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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2N6764T1	-	Richiesta di offerta	8974	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AE	2N6764		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	38A(Tc)	10 V	65 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGF75DH120TG	-	Richiesta di offerta	5611	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4				500 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico														TNP	1200 V	100A		3,7 V a 15 V, 75 A				250 µA	SÌ	5,1 nF a 25 V
APTC90HM60T3G	-	Richiesta di offerta	5331	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC90		MOSFET (ossido di metallo)	462 W		SP3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100	4 canali N (mezzo ponte)				900 V	59A		60 mOhm a 52 A, 10 V	3,5 V a 6 mA	540nC a 10V		13600 pF a 100 V	Super giunzione
APTC60AM70T1G	-	Richiesta di offerta	3862	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC60		MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				600 V	39A		70 mOhm a 39 A, 10 V	3,9 V a 2,7 mA	259nC a 10 V		7000 pF a 25 V	-
2N6802	-	Richiesta di offerta	1647	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	2,5 A (TC)	10 V	1,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	4,46 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
S200-50	-	Richiesta di offerta	5529	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio su telaio	55HX				320 W		55HX	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				12dB~14,5dB												110 V	30A									NPN		10 a 1 A, 5 V	1,5 MHz ~ 30 MHz	-
MS2203	-	Richiesta di offerta	7051	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M220				5 W		M220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1				10,8dB~12,3dB												20 V	300mA									NPN		120 a 100 mA, 5 V	1,09GHz	-
MSC1175M	-	Richiesta di offerta	1033	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M218				400W		M218	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8dB												65 V	12A									NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
JANS2N3810L/TR	-	Richiesta di offerta	6037	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810					TO-78-6	scaricamento			REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	50																							10μA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
JANTX2N7224	-	Richiesta di offerta	6055	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)			MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
MS1076C	-	Richiesta di offerta	1560	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1
APT11GF120BRDQ1G	-	Richiesta di offerta	4997	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT11G	Standard		156 W		TO-247 [B]	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			800 V, 8 A, 10 Ohm, 15 V												TNP	1200 V	25A	24A	3 V a 15 V, 8 A	300μJ (acceso), 285μJ (spento)	65 nC	7ns/100ns
PP9063	-	Richiesta di offerta	4566	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MRF4427R1	-	Richiesta di offerta	1510	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				1,5 W		8dBGA (2x1,5)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	2.500				20dB												20 V	400mA									NPN		10 a 10 mA, 5 V	-	-
JANSF2N2221AUB	139.3710	Richiesta di offerta	4378	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2221			500 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
PP8064	-	Richiesta di offerta	5718	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
SD1400-03	-	Richiesta di offerta	6099	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
C25-28A	-	Richiesta di offerta	1909	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGF180DH60G	-	Richiesta di offerta	2982	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP6				833 W	Standard	SP6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico														TNP	600 V	220A		2,5 V a 15 V, 180 A				300 µA	NO	8,6 nF a 25 V
MS2176	-	Richiesta di offerta	6523	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	2L-FLG				875 W		2L-FLG	scaricamento		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				9,5dB												28 V	21,6A									NPN		10 a 5 A, 5 V	-	-
APTML20UM18R010T1AG	-	Richiesta di offerta	5077	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	109A(Tc)	10 V	19 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 2,5 mA		±30 V	9880 pF a 25 V	-	480 W(Tc)
62091	-	Richiesta di offerta	3637	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MSC280SMA120S	-	Richiesta di offerta	6028	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA			SiCFET (carburo di silicio)			D3PAK	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	-	-	-	-		-		-	-
MS652S	-	Richiesta di offerta	2612	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M123				25 W		M123	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				10dB												16V	2A									NPN		10 a 200 mA, 5 V	450 MHz~512 MHz	-
JANTXV2N6800	-	Richiesta di offerta	8784	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
68225H	-	Richiesta di offerta	4985	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N6250	-	Richiesta di offerta	7477	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Foro passante	TO-204AA, TO-3				6 W		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100																275 V	10A						1mA			NPN	1,5 V a 1,25 A, 10 A	8 a 10 A, 3 V	-
62012T	-	Richiesta di offerta	9375	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2361	-	Richiesta di offerta	9629	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M115				87,5 W		M115	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				9dB												65 V	2,6 A									NPN		-	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
SRF4427	-	Richiesta di offerta	3283	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				1,5 W		8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	2.500				17dB~18dB												18 V	400mA									NPN		20 a 150 mA, 5 V	1,3GHz	-