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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor RF4C100BCTCR 0,8500
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerUDFN RF4C100 MOSFET (ossido di metallo) HUML2020L8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 10A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 15,6 mOhm a 10 A, 4,5 V 1,2 V a 1 mA 23,5 nC a 4,5 V ±8 V 1660 pF a 10 V - 2 W (Ta)
DTC023JEBTL Rohm Semiconductor DTC023JEBTL 0,1900
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 DTC023 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA - NPN - Prepolarizzato 150 mV a 500 µA, 5 mA 80 a 5 mA, 10 V 250 MHz 2,2 kOhm 47 kOhm
2SA1774EBTLS Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLS 0,0683
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 ECAD 2250 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 2SA1774 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 mA 100nA (ICBO) PNP 500mV a 5mA, 50mA 120 a 1 mA, 6 V 140 MHz
UMT1NFHATN Rohm Semiconductor UMT1NFHATN 0,4800
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMT1 150 mW UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) 2 PNP (doppio) 500mV a 5mA, 50mA 120 a 1 mA, 6 V 140 MHz
RGT8TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8TM65DGC9 2.1000
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 ECAD 897 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo RGT8TM65 Standard 16 W TO-220NFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 4 A, 50 Ohm, 15 V 40 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 5A 12A 2,1 V a 15 V, 4 A - 13,5 nC 17ns/69ns
RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor RQ3E080GNTB 0,5300
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 ECAD 3876 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN RQ3E080 MOSFET (ossido di metallo) 8-HSMT (3,2x3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 8A (Ta) 4,5 V, 10 V 16,7 mOhm a 8 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 5,8 nC a 10 V ±20 V 295 pF a 15 V - 2 W (Ta), 15 W (Tc)
DTC024XMT2L Rohm Semiconductor DTC024XMT2L 0,3000
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTC024 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 50 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 150 mV a 500 µA, 5 mA 80 a 5 mA, 10 V 250 MHz 22 kOhm 47 kOhm
SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor SCT3160KW7TL 11.2700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SCT3160 SiCFET (carburo di silicio) TO-263-7 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 1200 V 17A(Tc) 208 mOhm a 5 A, 18 V 5,6 V a 2,5 mA 42 nC a 18 V +22V, -4V 398 pF a 800 V - 100 W
ES6U1T2R Rohm Semiconductor ES6U1T2R 0,4000
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 ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti MOSFET (ossido di metallo) 6-WEMT scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 Canale P 12 V 1,3A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 260 mOhm a 1,3 A, 4,5 V 1 V@1 mA 2,4 nC a 4,5 V ±10 V 290 pF a 6 V Diodo Schottky (isolato) 700mW (Ta)
RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT80TS65DGC11 4.6900
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 ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGT80 Standard 234 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V 58 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 70A 120A 2,1 V a 15 V, 40 A - 79 nC 34ns/119ns
R6004RND3TL1 Rohm Semiconductor R6004RND3TL1 1.1900
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 ECAD 600 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 R6004 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 - 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 4A(Tc) 15 V 1,73 Ohm a 2 A, 15 V 7 V a 450 µA 10,5 nC a 15 V ±30 V 230 pF a 100 V - 60 W (Tc)
2SD1383KT146B Rohm Semiconductor 2SD1383KT146B 0,4600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1383 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 300 mA 1μA (ICBO) NPN-Darlington 1,5 V a 400 µA, 200 mA 5000 a 100 mA, 5 V 250 MHz
RGWS00TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWS00TS65GC13 6.2100
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 ECAD 7117 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGWS00 Standard 245 W TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGWS00TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 88A 150A 2 V a 15 V, 50 A 980μJ (acceso), 910μJ (spento) 108 nC 46ns/145ns
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor RF4E110GNTR 0,5600
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 ECAD 6 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerUDFN RF4E110 MOSFET (ossido di metallo) HUML2020L8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 11A (Ta) 4,5 V, 10 V 11,3 mOhm a 11 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 7,4 nC a 10 V ±20 V 504 pF a 15 V - 2 W (Ta)
2SD2654TLV Rohm Semiconductor 2SD2654TLV 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 2SD2654 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 mA 300nA (ICBO) NPN 300 mV a 5 mA, 50 mA 820 a 1 mA, 5 V 250 MHz
DTB543EETL Rohm Semiconductor DTB543EETL 0,4600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTB543 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 500 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 5 mA, 100 mA 115 a 100 mA, 2 V 260 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
DTA114TETL Rohm Semiconductor DTA114TETL 0,0678
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 ECAD 4855 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTA114 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm
RSS105N03TB Rohm Semiconductor RSS105N03TB -
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 ECAD 8424 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) RSS105 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 10,5A(Ta) 4 V, 10 V 11,7 mOhm a 10,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 15 nC a 5 V 20 V 1130 pF a 10 V - 2 W (Ta)
RGW50TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW50TK65GVC11 5.5100
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 ECAD 450 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 Standard 67 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 30A 100A 1,9 V a 15 V, 25 A 390μJ (acceso), 430μJ (spento) 73 nC 35ns/102ns
2SD2700TL Rohm Semiconductor 2SD2700TL 0,5700
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 ECAD 20 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, conduttori piatti 2SD2700 800 mW TUMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 2A 100nA (ICBO) NPN 180 mV a 50 mA, 1 A 270 a 200 mA, 2 V 360 MHz
DTC043TMT2L Rohm Semiconductor DTC043TMT2L 0,2400
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTC043 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 150 mV a 500 µA, 5 mA 100 a 5 mA, 10 V 250 MHz 4,7 kOhm
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) RRS090 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 9A (Ta) 4 V, 10 V 15,4 mOhm a 9 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 30 nC a 5 V ±20 V 3000 pF a 10 V - 2 W (Ta)
RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor RTR040N03HZGTL 0,6800
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 ECAD 15 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RTR040 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 4A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 48 mOhm a 4 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 8,3 nC a 4,5 V ±12V 475 pF a 10 V - 700mW (Ta)
RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor RTQ025P02HZGTR 0,7400
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 ECAD 164 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 RTQ025 MOSFET (ossido di metallo) TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 2,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 100 mOhm a 2,5 A, 4,5 V 2 V a 1 mA 6,4 nC a 4,5 V ±12V 580 pF a 10 V - 950 mW(Ta)
UMF28NTR Rohm Semiconductor UMF28NTR 0,4500
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 ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF28 150 mW UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA, 150 mA 500nA 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP 300 mV a 500 µA, 10 mA / 500 mV a 5 mA, 50 mA 68 a 5 mA, 5 V / 180 a 1 mA, 6 V 250 MHz, 140 MHz 22kOhm 47kOhm
RCD075N19TL Rohm Semiconductor RCD075N19TL 1.0900
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RCD075 MOSFET (ossido di metallo) CPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 190 V 7,5 A(Tc) 4 V, 10 V 336 mOhm a 3,8 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 30 nC a 10 V ±30 V 1100 pF a 25 V - 850 mW (Ta), 20 W (Tc)
UMA11NTR Rohm Semiconductor UMA11NTR 0,0848
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 ECAD 1214 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA11 150 mW UMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47kOhm
RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGTH80TS65DGC13 6.5100
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 ECAD 1273 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGTH80 Standard 234 W TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGTH80TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 600 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V 236 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 70A 160A 2,1 V a 15 V, 40 A - 79 nC 34ns/120ns
QSX5TR Rohm Semiconductor QSX5TR -
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 ECAD 5054 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 QSX 1,25 W TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 12 V 2A 100nA (ICBO) NPN 180 mV a 50 mA, 1 A 270 a 200 mA, 2 V 360 MHz
SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor SP8M9FU6TB -
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 ECAD 7434 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8M9 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 30 V 9A, 5A 18 mOhm a 9 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 21nC a 5 V 1190 pF a 10 V Porta a livello logico
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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