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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN RH6R025 MOSFET (ossido di metallo) 8-HSMT (3,2x3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 150 V 25A (Ta) 6 V, 10 V 60 mOhm a 25 A, 10 V 4 V a 1 mA 16,7 nC a 10 V ±20 V 1010 pF a 75 V - 2 W (Ta), 59 W (Tc)
SCT4045DW7TL Rohm Semiconductor SCT4045DW7TL 12.2500
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 ECAD 996 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) TO-263-7L scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 750 V 31A(Tj) 18 V 59 mOhm a 17 A, 18 V 4,8 V a 8,89 mA 63 nC a 18 V +21V, -4V 1460 pF a 500 V - 93 W
R6020JNZ4C13 Rohm Semiconductor R6020JNZ4C13 8.4500
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 ECAD 355 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 R6020 MOSFET (ossido di metallo) TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 20A (Tc) 15 V 234 mOhm a 10 A, 15 V 7 V a 3,5 mA 45 nC a 15 V ±30 V 1500 pF a 100 V - 252 W(Tc)
RRS050P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS050P03HZGTB 1.2800
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) RRS050 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 5A (Ta) 4 V, 10 V 50 mOhm a 5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 9,2 nC a 5 V ±20 V 850 pF a 10 V - 2 W (Ta)
RSJ400N10TL Rohm Semiconductor RSJ400N10TL 3.8400
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 ECAD 15 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RSJ400 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 40A (Tc) 4 V, 10 V 27 mOhm a 40 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 90 nC a 10 V ±20 V 3600 pF a 25 V - 1,35 W (Ta), 50 W (Tc)
R6007RND3TL1 Rohm Semiconductor R6007RND3TL1 1.5800
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 R6007 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 - 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 7A(Tc) 15 V 940 mOhm a 3,5 A, 15 V 7 V a 1 mA 17,5 nC a 15 V ±30 V 460 pF a 100 V - 96 W (Tc)
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8K41 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SP8K41HZGTBTR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 80 V 3,4A(Ta) 130 mOhm a 3,4 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 6,6 nC a 5 V 600 pF a 10 V -
SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALGC11 116.8400
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 ECAD 3059 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCT3017 SiCFET (carburo di silicio) TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SCT3017ALGC11 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 118A(Tc) 18 V 22,1 mOhm a 47 A, 18 V 5,6 V a 23,5 mA 172 nC a 18 V +22V, -4V 2884 pF a 500 V - 427 W
RGWS80TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWS80TS65GC13 5.6000
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 ECAD 9493 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGWS80 Standard 202 W TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGWS80TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 71A 120A 2 V a 15 V, 40 A 700μJ (acceso), 660μJ (spento) 83 nC 40ns/114ns
RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor RS1G201ATTB1 2.8600
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1G MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 40 V 20A (Ta), 78A (Tc) 5,2 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 130 nC a 10 V ±20 V 6890 pF a 20 V - 3 W (Ta), 40 W (Tc)
RGW60TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65HRC11 6.3700
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 ECAD 4916 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGW60 Standard 178 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGW60TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 64A 120A 1,9 V a 15 V, 30 A 84 nC 36ns/107ns
RGW40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11 5.4500
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 ECAD 445 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 Standard 136 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 40A 80A 1,9 V a 15 V, 20 A 330μJ (acceso), 300μJ (spento) 59 nC 33ns/76ns
RGS00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65EHRC11 9.6400
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 ECAD 7821 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGS00 Standard 326 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGS00TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V 113 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 88A 150A 2,1 V a 15 V, 50 A - 58 nC 36ns/115ns
RGTV00TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTV00TS65GC11 6.2400
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 ECAD 6096 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGTV00 Standard 276 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 95A 200A 1,9 V a 15 V, 50 A 1,17 mJ (acceso), 940 µJ (spento) 104 nC 41ns/142ns
RSF010P03TL Rohm Semiconductor RSF010P03TL 0,6800
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 ECAD 190 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, conduttori piatti RSF010 MOSFET (ossido di metallo) TUMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 30 V 1A (Ta) 4 V, 10 V 350 mOhm a 1 A, 10 V - 1,9 nC a 5 V ±20 V 120 pF a 10 V - 800 mW (Ta)
RCX100N25 Rohm Semiconductor RCX100N25 2.2500
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 ECAD 466 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo RCX100 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 250 V 10A (Ta) 10 V - - ±30 V - 40 W (Tc)
RGWSX2TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65DGC13 6.9700
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 ECAD 2566 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGWSX2 Standard 288 W TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGWSX2TS65DGC13 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 60 A, 10 Ohm, 15 V 88 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 104A 180A 2 V a 15 V, 60 A 1,43 mJ (acceso), 1,2 mJ (spento) 140 nC 55ns/180ns
RGW40TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65GVC11 5.4100
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 ECAD 1287 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 RGW40 Standard 61 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGW40TK65GVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 27A 80A 1,9 V a 15 V, 20 A 330μJ (acceso), 300μJ (spento) 59 nC 33ns/76ns
DTA143ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143ZU3HZGT106 0,3800
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA143 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
DTC124XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC124XE3HZGTL 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTC124 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-DTC124XE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm 47 kOhm
DTB723YMT2L Rohm Semiconductor DTB723YMT2L 0,1035
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 ECAD 4214 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SOT-723 DTB723 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 30 V 200 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 140 a 100 mA, 2 V 260 MHz 2,2 kOhm 10 kOhm
BSS670T116 Rohm Semiconductor BSS670T116 0,5000
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm OptiMOS® Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ossido di metallo) SST3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 650mA(Ta) 2,5 V, 10 V 680 mOhm a 650 mA, 10 V 2 V a 10 µA ±20 V 47 pF a 30 V - 200mW (Ta)
DTC114TE3TL Rohm Semiconductor DTC114TE3TL 0,3700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm DTC143T Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTC114 150 mW EMT3 - Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm
EMH3FHAT2R Rohm Semiconductor EMH3FHAT2R 0,3600
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 ECAD 655 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMH3FHAT2 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm -
SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor SCT3160KLGC11 10.4900
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 ECAD 623 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCT3160 SiCFET (carburo di silicio) TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1200 V 17A(Tc) 18 V 208 mOhm a 5 A, 18 V 5,6 V a 2,5 mA 42 nC a 18 V +22V, -4V 398 pF a 800 V - 103 W(Tc)
2SA2029FHAT2LR Rohm Semiconductor 2SA2029FHAT2LR 0,3900
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 ECAD 22 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-723 2SA2029 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-2SA2029FHAT2LRTR EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 150 mA 100nA (ICBO) PNP 500mV a 5mA, 50mA 180 a 1 mA, 6 V 140 MHz
RGW40TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW40TK65DGVC11 6.3500
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 ECAD 3728 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 RGW40 Standard 61 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGW40TK65DGVC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V 92 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 27A 80A 1,9 V a 15 V, 20 A - 59 nC 33ns/76ns
LP8M3FP8TB1 Rohm Semiconductor LP8M3FP8TB1 -
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 ECAD 6873 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto LP8M3 - - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 846-LP8M3FP8TB1TR OBSOLETO 2.500 -
RF4L040ATTCR Rohm Semiconductor RF4L040ATTCR 0,9100
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 ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerUDFN RF4L040 MOSFET (ossido di metallo) HUML2020L8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 60 V 4A (Ta) 4,5 V, 10 V 89 mOhm a 4 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 17,3 nC a 10 V ±20 V 850 pF a 30 V - 2 W (Ta)
RSS070N05FW4TB1 Rohm Semiconductor RSS070N05FW4TB1 -
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 ECAD 5107 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 846-RSS070N05FW4TB1TR OBSOLETO 2.500 -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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