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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
R6011ENJTL Rohm Semiconductor R6011ENJTL 3.7800
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 ECAD 1483 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6011 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 390 mOhm a 3,8 A, 10 V 4 V a 1 mA 32 nC a 10 V ±20 V 670 pF a 25 V - 40 W (Tc)
DTA115TUAT106 Rohm Semiconductor DTA115TUAT106 0,0463
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 ECAD 9973 0.00000000 Semiconduttore Rohm DTA115T Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA115 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Prepolarizzato 300 mV a 100 µA, 1 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 100 kOhm
R6520KNJTL Rohm Semiconductor R6520KNJTL 6.2900
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 ECAD 98 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6520 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 20A (Tc) 10 V 205 mOhm a 9,5 A, 10 V 5 V a 630 µA 40 nC a 10 V ±20 V 1550 pF a 25 V - 231 W(Tc)
R6004KNXC7G Rohm Semiconductor R6004KNXC7G 2.2000
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R6004 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 846-R6004KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 4A (Ta) 10 V 980 mOhm a 1,5 A, 10 V 5 V a 1 mA 10,2 nC a 10 V ±20 V 280 pF a 25 V - 40 W (Tc)
2SCR512RHZGTL Rohm Semiconductor 2SCR512RHZGTL 0,6800
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 500 mW TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 2A 1μA (ICBO) NPN 400mV a 35mA, 700mA 200 a 100 mA, 2 V 320 MHz
IMH23T110 Rohm Semiconductor IMH23T110 0,5000
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMH23 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 600mA - 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 150 mV a 2,5 mA, 50 mA 820 a 50 mA, 5 V 150 MHz 4,7 kOhm -
IMB11AT110 Rohm Semiconductor IMB11AT110 0,4000
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMB11 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm 10kOhm
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor RSJ400N06FRATL 1.7800
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 ECAD 770 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RSJ400 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 60 V 40A (Ta) 10 V 16 mOhm a 40 A, 10 V 3 V a 1 mA 52 nC a 10 V ±20 V 2400 pF a 10 V - 50 W (Ta)
R6030KNZC8 Rohm Semiconductor R6030KNZC8 -
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 ECAD 9243 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6030 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 30A (Tc) 10 V 130 mOhm a 14,5 A, 10 V 5 V a 1 mA 56 nC a 10 V ±20 V 2350 pF a 25 V - 86 W (Tc)
SCT3080ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3080ALGC11 12.4500
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCT3080 SiCFET (carburo di silicio) TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 30A (Tc) 18 V 104 mOhm a 10 A, 18 V 5,6 V a 5 mA 48 nC a 18 V +22V, -4V 571 pF a 500 V - 134 W(Tc)
RQ5C030TPTL Rohm Semiconductor RQ5C030TPTL 0,6000
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 ECAD 17 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RQ5C030 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 3A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 75 mOhm a 3 A, 4,5 V 2 V a 1 mA 9,3 nC a 4,5 V ±12V 840 pF a 10 V - 700mW (Ta)
SP8K32TB1 Rohm Semiconductor SP8K32TB1 -
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 ECAD 8956 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8K32 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 846-SP8K32TB1TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 4,5A(Ta) 65 mOhm a 4,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 10nC a 5V 500 pF a 10 V Porta a livello logico, azionamento a 4 V
DTD143ECT116 Rohm Semiconductor DTD143ECT116 0,3800
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 47 a 50 mA, 5 V 200 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
EM6K7T2CR Rohm Semiconductor EM6K7T2CR 0,4200
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 ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EM6K7 MOSFET (ossido di metallo) 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 2 canali N (doppio) 20 V 200mA (Ta) 1,2 Ohm a 200 mA, 2,5 V 1 V@1 mA - 25 pF a 10 V -
RRS070N03TB1 Rohm Semiconductor RRS070N03TB1 -
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 ECAD 7628 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 7A (Ta) 28 mOhm a 7 A, 10 V - 11,6 nC a 5 V 900 pF a 10 V - -
DTA114TE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114TE3HZGTL 0,4100
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTA114 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-DTA114TE3HZGTLCT EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Prepolarizzato 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm
RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G18BBGC16 7.6300
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 ECAD 6633 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 RX3G18 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RX3G18BBGC16 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 270A (Ta), 180A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,47 mOhm a 90 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 210 nC a 10 V ±20 V 13200 pF a 20 V - 192 W(Tc)
DTC014EUBTL Rohm Semiconductor DTC014EUBTL 0,3000
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-85 DTC014 200 mW UMT3F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 50 mA - NPN - Prepolarizzato 150 mV a 500 µA, 5 mA 35 a 5 mA, 10 V 250 MHz 10 kOhm 10 kOhm
DTB543ZE3TL Rohm Semiconductor DTB543ZE3TL 0,4000
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTB543 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 500 mA 500nA PNP - Prepolarizzato + Diodo 300 mV a 5 mA, 100 mA 140 a 100 mA, 2 V 260 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor RE1C002ZPTL 0,4100
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 RE1C002 MOSFET (ossido di metallo) EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 200mA (Ta) 4,5 V 1,2 Ohm a 200 mA, 4,5 V 1 V a 100 µA 1,4 nC a 4,5 V ±10 V 115 pF a 10 V - 150mW (Ta)
HP8K24TB Rohm Semiconductor HP8K24TB 1.6600
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 ECAD 10 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN HP8K24 MOSFET (ossido di metallo) 3 W (Ta) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) asimmetrico 30 V 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 8,8 mOhm a 15 A, 10 V, 3 mOhm a 26 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 10nC a 10 V, 36 nC a 10 V 590pF a 15V, 2410pF a 15V -
RD3U080CNTL1 Rohm Semiconductor RD3U080CNTL1 1.9700
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RD3U080 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 250 V 8A (Tc) 10 V 300 mOhm a 4 A, 10 V 5 V a 1 mA 25 nC a 10 V ±30 V 1440 pF a 25 V - 85 W (Tc)
R5007ANJTL Rohm Semiconductor R5007ANJTL 1.5058
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 ECAD 2042 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R5007 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 500 V 7A (Ta) 10 V 1,05 Ohm a 3,5 A, 10 V 4,5 V a 1 mA 13 nC a 10 V ±30 V 500 pF a 25 V - 40 W (Tc)
SCT4045DRC15 Rohm Semiconductor SCT4045DRC15 14.8500
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 ECAD 2425 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SCT4045 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SCT4045DRC15 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 750 V 34A (Tc) 18 V 59 mOhm a 17 A, 18 V 4,8 V a 8,89 mA 63 nC a 18 V +21V, -4V 1460 pF a 500 V - 115 W
RSS060P05FRATB Rohm Semiconductor RSS060P05FRATB 1.0000
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) RSS060 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 45 V 6A (Ta) 4 V, 10 V 36 mOhm a 6 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 32,2 nC a 5 V ±20 V 2700 pF a 10 V - 2 W (Ta)
DTA123JE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA123JE3HZGTL 0,4100
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTA123 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 47 kOhm
RVQ040N05HZGTR Rohm Semiconductor RVQ040N05HZGTR 0,9600
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 ECAD 6 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 RVQ040 MOSFET (ossido di metallo) TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 45 V 4A (Ta) 4 V, 10 V 53 mOhm a 4 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 8,8 nC a 5 V ±21 V 530 pF a 10 V - 950 mW(Ta)
RQ7E100ATTCR Rohm Semiconductor RQ7E100ATTCR 1.3500
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 ECAD 466 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto RQ7E100 MOSFET (ossido di metallo) TSMT8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 10A (Ta) 4,5 V, 10 V 11,2 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 53 nC a 10 V ±20 V 2370 pF a 15 V - 1,1 W (Ta)
2SAR372P5T100R Rohm Semiconductor 2SAR372P5T100R 0,6300
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 ECAD 975 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SAR372 500 mW MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 120 V 700mA 1μA (ICBO) PNP 360 mV a 50 mA, 500 mA 120 a 100 mA, 5 V 300 MHz
DTA115GUAT106 Rohm Semiconductor DTA115GUAT106 0,0463
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 ECAD 1776 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA115 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 82 a 5 mA, 5 V 250 MHz 100 kOhm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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