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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
DTA144TMT2L Rohm Semiconductor DTA144TMT2L 0,3900
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 ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTA144 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm
DTC143ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC143ZCAHZGT116 0,1900
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 ECAD 26 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC143 350 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 100 mA - NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
DTC015EMT2L Rohm Semiconductor DTC015EMT2L 0,2500
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 ECAD 15 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTC015 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 20 mA - NPN - Prepolarizzato 100 mV a 500 µA, 5 mA 80 a 5 mA, 10 V 250 MHz 100 kOhm 100 kOhm
QS5U27TR Rohm Semiconductor QS5U27TR 0,7400
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 ECAD 128 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 QS5U27 MOSFET (ossido di metallo) TSMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 1,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 200 mOhm a 1,5 A, 4,5 V 2 V a 1 mA 4,2 nC a 4,5 V ±12V 325 pF a 10 V Diodo Schottky (isolato) 1,25 W(Ta)
2SD2226KT146W Rohm Semiconductor 2SD2226KT146W 0,4400
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 mA 300nA (ICBO) NPN 300 mV a 5 mA, 50 mA 1200 a 1 mA, 5 V 250 MHz
DTC124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC124ECAHZGT116 0,2100
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC124 350 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 100 mA - NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 56 a 5 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm 22 kOhm
2SAR502E3TL Rohm Semiconductor 2SAR502E3TL 0,3900
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 2SAR502 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 200nA (ICBO) PNP 400mV a 10mA, 200mA 200 a 100 mA, 2 V 520 MHz
2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2SCR523EBTL 0,3500
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 ECAD 23 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 2SCR523 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN 300 mV a 5 mA, 50 mA 120 a 1 mA, 6 V 350 MHz
R5205CNDTL Rohm Semiconductor R5205CNDTL 0,9710
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 ECAD 8123 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 R5205 MOSFET (ossido di metallo) CPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 525 V 5A (Ta) 10 V 1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V 4,5 V a 1 mA 10,8 nC a 10 V ±30 V 320 pF a 25 V - 40 W (Tc)
DTB543ZMT2L Rohm Semiconductor DTB543ZMT2L -
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 ECAD 5503 0.00000000 Semiconduttore Rohm DTB543Z Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTB543 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 846-DTB543ZMT2LTR EAR99 8541.21.0075 8.000 12 V 500 mA 500nA PNP - Prepolarizzato + Diodo 300 mV a 5 mA, 100 mA 140 a 100 mA, 2 V 260 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
2SD1766T100P Rohm Semiconductor 2SD1766T100P 0,2559
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 ECAD 8379 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SD1766 2 W MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 32 V 2A 1 µA (ICBO) NPN 800 mV a 200 mA, 2 A 82 a 500 mA, 3 V 100 MHz
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL60TK60DGC11 5.6200
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 ECAD 74 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 RGCL60 Standard 54 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V 58 nn Sosta sul campo di trincea 600 V 30A 120A 1,8 V a 15 V, 30 A 770 µJ (acceso), 1,11 mJ (spento) 68 nC 44ns/186ns
2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR572D3TL1 0,8500
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 ECAD 14 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SCR572 10 W TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 30 V 5A 1 µA (ICBO) NPN 400 mV a 100 mA, 2 A 200 a 500 mA, 3 V 300 MHz
SP8K52HZGTB Rohm Semiconductor SP8K52HZGTB 1.8000
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8K52 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 100 V 3A (Ta) 170 mOhm a 3 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 8,5 nC a 5 V 610 pF a 25 V -
R6530KNZC17 Rohm Semiconductor R6530KNZC17 6.5000
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 ECAD 300 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6530 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6530KNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 30A (Tc) 10 V 140 mOhm a 14,5 A, 10 V 5 V a 960 µA 56 nC a 10 V ±20 V 2350 pF a 25 V - 86 W (Tc)
R6025ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFU7C8 -
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 ECAD 5024 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6025 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 846-R6025ANZFU7C8 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 25A (Tc) 10 V 150 mOhm a 12,5 A, 10 V 4,5 V a 1 mA 88 nC a 10 V ±30 V 3250 pF a 10 V - 150 W(Tc)
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB -
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 ECAD 2530 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) RSS090 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 9A (Ta) 4 V, 10 V 15 mOhm a 9 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 15 nC a 5 V ±20 V 810 pF a 10 V - 2 W (Ta)
RGT40TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT40TM65DGC9 3.2800
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 ECAD 799 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo RGT40 Standard 39 W TO-220NFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V 58 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 17A 60A 2,1 V a 15 V, 20 A - 40 nC 22ns/75ns
UMH4NFHATN Rohm Semiconductor UMH4NFHATN 0,4800
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 ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH4 150 mW UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm -
QS5U16TR Rohm Semiconductor QS5U16TR 0,2360
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 ECAD 1975 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 QS5U16 MOSFET (ossido di metallo) TSMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 100 mOhm a 2 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 3,9 nC a 4,5 V ±12V 175 pF a 10 V Diodo Schottky (isolato) 900 mW (Ta)
SM6K2T110 Rohm Semiconductor SM6K2T110 0,4400
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 SM6K2 MOSFET (ossido di metallo) 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 60 V 200mA 2,4 Ohm a 200 mA, 10 V 2,5 V a 1 mA 4,4 nC a 10 V 15 pF a 10 V Porta a livello logico
IMH21T110 Rohm Semiconductor IMH21T110 0,2037
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 ECAD 4871 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMH21 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 600mA 500nA (ICBO) 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 150 mV a 2,5 mA, 50 mA 820 a 50 mA, 5 V 150 MHz 10kOhm -
RJU003N03T106 Rohm Semiconductor RJU003N03T106 0,4700
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 ECAD 176 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 RJU003 MOSFET (ossido di metallo) UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 300mA (Ta) 2,5 V, 4,5 V 1,1 Ohm a 300 mA, 4,5 V 1,5 V a 1 mA ±12V 24 pF a 10 V - 200mW (Ta)
DTA143TMT2L Rohm Semiconductor DTA143TMT2L 0,0615
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 ECAD 16 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTA143 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL 0,2900
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 ECAD 67 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-85 RU1C002 MOSFET (ossido di metallo) UMT3F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 200mA (Ta) 1,2 V, 4,5 V 1,2 Ohm a 200 mA, 4,5 V 1 V a 100 µA 1,4 nC a 4,5 V ±10 V 115 pF a 10 V - 150mW (Ta)
UMB4NTN Rohm Semiconductor UMB4NTN 0,0848
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 ECAD 1507 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMB4 150 mW UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA - 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm -
DTC143ZEBHZGTL Rohm Semiconductor DTC143ZEBHZGTL -
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 ECAD 6835 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 DTC143 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 100 mA - NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
SCT3105KW7TL Rohm Semiconductor SCT3105KW7TL 15.6300
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SCT3105 SiCFET (carburo di silicio) TO-263-7 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 1200 V 23A (Tc) 137 mOhm a 7,6 A, 18 V 5,6 V a 3,81 mA 51 nC a 18 V +22V, -4V 574 pF a 800 V - 125 W
SP8M7TB Rohm Semiconductor SP8M7TB -
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 ECAD 8394 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8M7 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 30 V 5A, 7A 51 mOhm a 5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 5,5 nC a 5 V 230 pF a 10 V Porta a livello logico
EMH2T2R Rohm Semiconductor EMH2T2R 0,3900
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 ECAD 88 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMH2T2 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm 47kOhm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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