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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SAR372P5T100R | 0,6300 | ![]() | 975 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SAR372 | 500 mW | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 V | 700mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 360 mV a 50 mA, 500 mA | 120 a 100 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||||
![]() | RQ7E100ATTCR | 1.3500 | ![]() | 466 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | RQ7E100 | MOSFET (ossido di metallo) | TSMT8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 10A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 11,2 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 53 nC a 10 V | ±20 V | 2370 pF a 15 V | - | 1,1 W (Ta) | |||||||||||||
![]() | RVQ040N05HZGTR | 0,9600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | RVQ040 | MOSFET (ossido di metallo) | TSMT6 (SC-95) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 45 V | 4A (Ta) | 4 V, 10 V | 53 mOhm a 4 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 8,8 nC a 5 V | ±21 V | 530 pF a 10 V | - | 950 mW(Ta) | |||||||||||||
![]() | QS6M3TR | 0,6200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | QS6M3 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,25 W | TSMT6 (SC-95) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P | 30 V, 20 V | 1,5 A | 230 mOhm a 1,5 A, 4,5 V | 1,5 V a 1 mA | 1,6 nC a 4,5 V | 80 pF a 10 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||
![]() | SH8M70TB1 | - | ![]() | 6862 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SH8M70 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canali N e P | 250 V | 3A, 2,5A | 1,63 Ohm a 1,5 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 5,2 nC a 10 V | 180 pF a 25 V | - | |||||||||||||||
![]() | DTA144EU3T106 | 0,2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DTA144 | 200 mW | UMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 68 a 5 mA, 5 V | 250 MHz | 47 kOhm | 47 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | 2SAR513PFRAT100 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SAR513 | 500 mW | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 V | 1A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mV a 25mA, 500mA | 180 a 50 mA, 2 V | 400 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SAR574D3TL1 | 0,8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | 2SAR574 | 10 W | TO-252 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 V | 2A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 mV a 50 mA, 1 A | 120 a 100 mA, 3 V | 280 MHz | |||||||||||||||||
![]() | R8002ANX | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Massa | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | R8002 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | CanaleN | 800 V | 2A(Tc) | 10 V | 4,3 Ohm a 1 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 12,7 nC a 10 V | ±30 V | 210 pF a 25 V | - | 35 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | SCT3080ARHRC15 | 12.2000 | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | SCT3080 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-4L | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 846-SCT3080ARHRC15 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | CanaleN | 650 V | 30A (Tc) | 18 V | 104 mOhm a 10 A, 18 V | 5,6 V a 5 mA | 48 nC a 18 V | +22V, -4V | 571 pF a 500 V | - | 134 W | |||||||||||||
![]() | 2SAR375P5T100Q | 0,6600 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SAR375 | 500 mW | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 V | 1,5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 320mV a 80mA, 800mA | 120 a 200 mA, 5 V | 280 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTA143TUAT106 | 0,0536 | ![]() | 6960 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | DTA143T | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 mW | UMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA (ICBO) | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 250 µA, 5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | EMD29T2R | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | EMD29 | 120 mW | EMT6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V, 12 V | 100 mA, 500 mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 500 µA, 10 mA / 300 mV a 5 mA, 100 mA | 30 a 5 mA, 5 V / 140 a 100 mA, 2 V | 250 MHz, 260 MHz | 1kOhm, 10kOhm | 10kOhm | ||||||||||||||||
![]() | MMSTA13T146 | 0,1417 | ![]() | 8600 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMSTA13 | 200 mW | SMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 V | 300 mA | 100nA (ICBO) | NPN-Darlington | 1,5 V a 100 µA, 100 mA | 10000 a 100 mA, 5 V | 125 MHz | |||||||||||||||||
| R6015ANZFU7C8 | - | ![]() | 5471 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | Pacchetto completo TO-3P-3 | R6015 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 846-R6015ANZFU7C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 600 V | 15A (Tc) | 10 V | 300 mOhm a 7,5 A, 10 V | 4,15 V a 1 mA | 50 nC a 10 V | ±30 V | 1700 pF a 25 V | - | 110 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | 2SB1241TV2Q | - | ![]() | 8606 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | 3-SIP | 2SB1241 | 1 W | ATV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 V | 1A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mV a 50mA, 500mA | 120 a 100 mA, 3 V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| RSH070P05GZETB | 2.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | RSH070 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 45 V | 7A (Ta) | 4 V, 10 V | 27 mOhm a 7 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 47,6 nC a 5 V | ±20 V | 4100 pF a 10 V | - | 2 W (Ta) | ||||||||||||||
![]() | 2SAR553P5T100 | 0,4300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SAR553 | 500 mW | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 V | 2A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mV a 35mA, 700mA | 180 a 50 mA, 2 V | 320 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTC143XU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 mW | UMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||
![]() | QS5K2TR | 0,5900 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | QS5K2 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,25 W | TSMT5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Sorgente comune a 2 canali N (doppia). | 30 V | 2A | 100 mOhm a 2 A, 4,5 V | 1,5 V a 1 mA | 3,9 nC a 4,5 V | 175 pF a 10 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||
![]() | RSQ015N06HZGTR | 0,6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (ossido di metallo) | TSMT6 (SC-95) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 1,5A(Ta) | 4 V, 10 V | 290 mOhm a 1,5 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 2 nC a 5 V | ±20 V | 110 pF a 10 V | - | 950 mW(Ta) | |||||||||||||
![]() | R6020ANJTL | 4.1079 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | R6020 | MOSFET (ossido di metallo) | LPTS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 20A (Ta) | 10 V | 250 mOhm a 10 A, 10 V | 4,5 V a 1 mA | 65 nC a 10 V | ±30 V | 2040 pF a 25 V | - | 100 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | R6011ENX | 3.0700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | R6011 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | CanaleN | 600 V | 11A(Tc) | 10 V | 390 mOhm a 3,8 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 32 nC a 10 V | ±20 V | 670 pF a 25 V | - | 40 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | RF4E075ATTCR | 0,6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerUDFN | RF4E075 | MOSFET (ossido di metallo) | HUML2020L8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 7,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 21,7 mOhm a 7,5 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 22 nC a 10 V | ±20 V | 1000 pF a 15 V | - | 2 W (Ta) | |||||||||||||
![]() | MP6M11TCR | - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-SMD, conduttori piatti | MP6M11 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | MPT6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canali N e P | 30 V | 3,5 A | 98 mOhm a 3,5 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 1,9 nC a 5 V | 85 pF a 10 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||
![]() | 2SAR544RTL | 0,6500 | ![]() | 6916 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-96 | 2SAR544 | 1 W | TSMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 V | 2,5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 mV a 50 mA, 1 A | 120 a 100 mA, 3 V | 280 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTD143ECHZGT116 | 0,2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD143 | 200 mW | SST3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 47 a 50 mA, 5 V | 200 MHz | 4,7 kOhm | 4,7 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | DTB113ZCT116 | 0,3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB113 | 200 mW | SST3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 56 a 50 mA, 5 V | 200 MHz | 1 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||
![]() | DTA144TMT2L | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-723 | DTA144 | 150 mW | VMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 V | 100 mA | 500nA (ICBO) | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 500 µA, 5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 47 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | DTC143ZCAHZGT116 | 0,1900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC143 | 350 mW | SST3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 250 µA, 5 mA | 80 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | 47 kOhm |

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