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Transistor(3592)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
2SCR583D3FRATL	2.5500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				10 W	TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																	50 V	7A						1μA (ICBO)	NPN	350 mV a 150 mA, 3 A	180 @ 1A, 3V	280 MHz
RSS120N03FU6TB	-	Richiesta di offerta	8931	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	RSS120		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			30 V	12A (Ta)	4 V, 10 V	10 mOhm a 12 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25 nC a 5 V	20 V	1360 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
R6015FNX	4.2704	Richiesta di offerta	2546	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Design non per nuovi		150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	R6015		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-R6015FNX	EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			600 V	15A (Ta)	10 V	350 mOhm a 7,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	42 nC a 10 V	±30 V	1660 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
EMF32T2R	0,1084	Richiesta di offerta	4954	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	50 V PNP, 30 V canale N		Scopo generale	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMF32				EMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000			100 mA PNP, 100 mA canale N																						PNP prepolarizzato, canale N
DTA043TUBTL	0,0536	Richiesta di offerta	1772	Semiconduttore Rohm	DTA043T	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-85	DTA043			200 mW	UMT3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																	50 V	100 mA						500nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 5 mA	100 a 5 mA, 10 V	250 MHz	4,7 kOhm
DTA113ZU3HZGT106	0,3800	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DTA113			200 mW	UMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	50 V	100 mA						500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	33 a 5 mA, 5 V	250 MHz	1 kOhm	10 kOhm
RSS120N03TB	-	Richiesta di offerta	1627	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	RSS120		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			30 V	12A (Ta)	4 V, 10 V	10 mOhm a 12 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25 nC a 5 V	20 V	1360 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
RS1E350BNTB	1.7400	Richiesta di offerta	920	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	RS1E		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			30 V	35A (Ta)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 35 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	185 nC a 10 V	±20 V	7900 pF a 15 V	-	35 W (Tc)
UMG3NTR	0,4700	Richiesta di offerta	5	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	UMG3			150 mW	UMT5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																	50 V	100mA						-	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	-
DTA124XMT2L	0,3900	Richiesta di offerta	6292	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SOT-723	DTA124			150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000																	50 V	50 mA						500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	68 a 5 mA, 5 V	250 MHz	22 kOhm	47 kOhm
RSQ045N03HZGTR	0,7800	Richiesta di offerta	39	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	RSQ045		MOSFET (ossido di metallo)		TSMT6 (SC-95)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			30 V	4,5A(Ta)	4 V, 10 V	38 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	9,5 nC a 5 V	±20 V	520 pF a 10 V	-	950 mW(Ta)
BSM250D17P2E004	1.0000	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Rohm	-	Scatola	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio su telaio	Modulo	BSM250		Carburo di silicio (SiC)	1800 W(Tc)	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4	2 canali N (mezzo ponte)				1700 V (1,7 kV)	250A (Tc)		-	4 V a 66 mA	-		30000 pF a 10 V	-
DTDG14GPT100	0,6000	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	TO-243AA	DTDG14			2 W	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																	60 V	1A						500nA (ICBO)	NPN - Prepolarizzato	400mV a 5mA, 500mA	300 a 500 mA, 2 V	80 MHz		10 kOhm
US6M2GTR	0,6700	Richiesta di offerta	3815	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C		Montaggio superficiale	6-SMD, conduttori piatti	US6M2		MOSFET (ossido di metallo)	1 W	TUMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P				30 V, 20 V	1,5 A, 1 A		240 mOhm a 1,5 A, 4,5 V, 390 mOhm a 1 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA, 2 V a 1 mA	2,2 nC a 4,5 V, 2,1 nC a 4,5 V		80 pF a 10 V, 150 pF a 10 V	-
2SA1514KT146R	0,4200	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1514			200 mW	SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	120 V	50 mA						500nA (ICBO)	PNP	500 mV a 1 mA, 10 mA	180 a 2 mA, 6 V	140 MHz
2SAR293PFRAT100	0,5000	Richiesta di offerta	45	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-243AA	2SAR293			500 mW	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000																	30 V	1A						100nA (ICBO)	PNP	350mV a 25mA, 500mA	270 a 100 mA, 2 V	320 MHz
2SAR543RTL	0,6700	Richiesta di offerta	310	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	SC-96	2SAR543			1 W	TSMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000																	50 V	3A						1μA (ICBO)	PNP	400 mV a 100 mA, 2 A	180 a 100 mA, 3 V	300 MHz
RSD200N05TL	0,4542	Richiesta di offerta	9711	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	RSD200		MOSFET (ossido di metallo)		CPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			45 V	20A (Ta)	4 V, 10 V	28 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	12 nC a 5 V	±20 V	950 pF a 10 V	-	20 W (Tc)
EMG9T2R	0,3900	Richiesta di offerta	7	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	6-SMD (5 conduttori), cavo piatto	EMG9T2			150 mW	EMT5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000																	50 V	100mA						500nA	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	10kOhm
RCX100N25	2.2500	Richiesta di offerta	466	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RCX100		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			250 V	10A (Ta)	10 V	-	-		±30 V		-	40 W (Tc)
DTA143ZUBHZGTL	0,2200	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi				Montaggio superficiale	SC-85	DTA143			200 mW	UMT3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																		100 mA						-	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
RQ1A070APTR	0,8600	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	RQ1A070		MOSFET (ossido di metallo)		TSMT8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P			12 V	7A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	14 mOhm a 7 A, 4,5 V	1 V@1 mA	80 nC a 4,5 V	-8V	7800 pF a 6 V	-	550 mW(Ta)
RUC002N05T116	0,3200	Richiesta di offerta	672	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RUC002		MOSFET (ossido di metallo)		SST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			50 V	200mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	2,2 Ohm a 200 mA, 4,5 V	1 V@1 mA		±8 V	25 pF a 10 V	-	200mW (Ta)
DTC123EETL	0,3500	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	DTC123			150 mW	EMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	50 V	100 mA						500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	20 a 20 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	2,2 kOhm
DTC115ECAT116	0,2800	Richiesta di offerta	4	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC115			200 mW	SST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	50 V	100 mA						500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	82 a 5 mA, 5 V	250 MHz	100 kOhm	100 kOhm
DTB123YUT106	0,4300	Richiesta di offerta	369	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DTB123			200 mW	UMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	50 V	500 mA						500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	56 a 50 mA, 5 V	200 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
RGSX5TS65EHRC11	11.7500	Richiesta di offerta	450	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Design non per nuovi		-40°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	RGSX5TS65	Standard		404 W	TO-247N	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RGSX5TS65EHRC11	EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V											116 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	114A	225A	2,15 V a 15 V, 75 A	3,44 mJ (acceso), 1,9 mJ (spento)	79 nC	43ns/113ns
IMX1T108	0,1469	Richiesta di offerta	7697	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	IMX1			300 mW	SMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																	50 V	150mA						100nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	400 mV a 5 mA, 50 mA	120 a 1 mA, 6 V	180 MHz
R6030ENZM12C8	-	Richiesta di offerta	1373	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	R6030		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	846-R6030ENZM12C8	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			600 V	30A (Tc)	10 V	130 mOhm a 14,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	85 nC a 10 V	±20 V	2100 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
RQ5A030APTL	0,4400	Richiesta di offerta	26	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	SC-96	RQ5A030		MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P			12 V	3A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	62 mOhm a 3 A, 4,5 V	1 V@1 mA	16 nC a 4,5 V	-8V	2000 pF a 6 V	-	1 W (Ta)