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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
RS1G150MNTB Rohm Semiconductor RS1G150MNTB 0,9800
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 ECAD 3335 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1G MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 15A (Ta) 4,5 V, 10 V 10,6 mOhm a 15 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 15 nC a 10 V ±20 V 930 pF a 20 V - 3 W (Ta), 25 W (Tc)
R6009JNJGTL Rohm Semiconductor R6009JNJGTL 2.9400
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 ECAD 9436 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6009 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 9A (Tc) 15 V 585 mOhm a 4,5 A, 15 V 7 V a 1,38 mA 22 nC a 15 V ±30 V 645 pF a 100 V - 125 W (Tc)
IMX1T108 Rohm Semiconductor IMX1T108 0,1469
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 ECAD 7697 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMX1 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 400 mV a 5 mA, 50 mA 120 a 1 mA, 6 V 180 MHz
IMB2AT110 Rohm Semiconductor IMB2AT110 0,1277
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 ECAD 1308 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMB2 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm 47kOhm
DTC113ZEBTL Rohm Semiconductor DTC113ZEBTL 0,2600
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 ECAD 17 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 DTC113 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 5 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor RJ1G12BGNTL 4.8300
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RJ1G12 MOSFET (ossido di metallo) LPTL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 40 V 120A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,86 mOhm a 50 A, 10 V 2,5 V a 2 mA 165 nC a 10 V ±20 V 12.500 pF a 20 V - 178 W(Tc)
UMF9NTR Rohm Semiconductor UMF9NTR 0,1495
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 ECAD 2604 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 12 V NPN, 30 V canale N Scopo generale Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF9 UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 500 mA NPN, 100 mA canale N NPN, canale N
R6020FNJTL Rohm Semiconductor R6020FNJTL 2.8724
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 ECAD 5929 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6020 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 1.000 CanaleN 600 V 20A (Tc) 10 V 280 mOhm a 10 A, 10 V 5 V a 1 mA 60 nC a 10 V ±30 V 2350 pF a 25 V - 304 W(Tc)
DTC143EE3TL Rohm Semiconductor DTC143EE3TL 0,3700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm DTC143E Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTC143 150 mW EMT3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 5 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR533PHZGT100 0,6800
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 500 mW SOT-89 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 50 V 3A 1μA (ICBO) PNP 400 mV a 50 mA, 1 A 180 a 50 mA, 3 V 300 MHz
R6524ENXC7G Rohm Semiconductor R6524ENXC7G 5.5800
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R6524 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6524ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 24A (Ta) 10 V 185 mOhm a 11,3 A, 10 V 4 V a 750 µA 70 nC a 10 V ±20 V 1650 pF a 25 V - 74 W(Tc)
RZL025P01TR Rohm Semiconductor RZL025P01TR 0,6600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RZL025 MOSFET (ossido di metallo) TUMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 12 V 2,5A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 61 mOhm a 2,5 A, 4,5 V 1 V@1 mA 13 nC a 4,5 V ±10 V 1350 pF a 6 V - 1 W (Ta)
RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor RS6R035BHTB1 2.4900
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento 1 (illimitato) 846-RS6R035BHTB1TR EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 150 V 35A (Tc) 6 V, 10 V 41 mOhm a 35 A, 10 V 4 V a 1 mA 25 nC a 10 V ±20 V 1470 pF a 75 V - 3 W (Ta), 73 W (Tc)
R6511ENJTL Rohm Semiconductor R6511ENJTL 4.0600
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 ECAD 90 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6511 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 11A(Tc) 10 V 400 mOhm a 3,8 A, 10 V 4 V a 320 µA 32 nC a 10 V ±20 V 670 pF a 25 V - 124 W(Tc)
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0,9900
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto QH8K26 MOSFET (ossido di metallo) 1,1 W (Ta) TSMT8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 40 V 7A (Ta) 38 mOhm a 7 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 2,9 nC a 5 V 275 pF a 20 V -
SCT4018KRC15 Rohm Semiconductor SCT4018KRC15 42.7500
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 ECAD 5665 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SCT4018 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SCT4018KRC15 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 1200 V 81A(Tc) 18 V 23,4 mOhm a 42 A, 18 V 4,8 V a 22,2 mA 170 nC a 18 V +21V, -4V 4532 pF a 800 V - 312W
RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor RQ6E030ATTCR 0,5400
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 RQ6E030 MOSFET (ossido di metallo) TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 3A (Ta) 91 mOhm a 3 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 5,4 nC a 10 V 240 pF a 15 V -
IMH4AT110 Rohm Semiconductor IMH4AT110 0,1154
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 ECAD 6300 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMH4 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm -
RQ5H020TNTL Rohm Semiconductor RQ5H020TNTL 0,9300
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 ECAD 16 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RQ5H020 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 45 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 180 mOhm a 2 A, 4 V 1,5 V a 1 mA 4,1 nC a 4,5 V ±12V 200 pF a 10 V - 700mW (Ta)
UMF17NTR Rohm Semiconductor UMF17NTR -
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 ECAD 6657 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF17 150 mW UMT6 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 846-UMF17NTR 3.000 50 V 100 mA, 150 mA 500nA, 100nA (ICBO) 1 NPN - Prepolarizzato, 1 PNP 300 mV a 500 µA, 10 mA / 500 mV a 5 mA, 50 mA 20 a 20 mA, 5 V / 180 a 1 mA, 6 V 250 MHz, 140 MHz 2,2 kOhm 2,2 kOhm
SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3120ALGC11 9.1500
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCT3120 SiCFET (carburo di silicio) TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato Q12567120 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 21A(Tc) 18 V 156 mOhm a 6,7 ​​A, 18 V 5,6 V a 3,33 mA 38 nC a 18 V +22V, -4V 460 pF a 500 V - 103 W(Tc)
RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR020N05HZGTL 0,6800
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RTR020 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 45 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 180 mOhm a 2 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 4,1 nC a 4,5 V ±12V 200 pF a 10 V - 700mW (Ta)
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1L MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 14,5 A (Ta), 47 A (Tc) 4,5 V, 10 V 9,7 mOhm a 14,5 A, 10 V 2,7 V a 200 µA 37 nC a 10 V ±20 V 1880 pF a 30 V - 3 W (Ta)
RGTVX2TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX2TS65GC11 6.7600
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 ECAD 418 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGTVX2 Standard 319 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGTVX2TS65GC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 60 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 111A 240A 1,9 V a 15 V, 60 A 2,08 mJ (acceso), 1,15 mJ (spento) 123 nC 49ns/150ns
RGTV00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGTV00TK65GVC11 6.8700
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 ECAD 440 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 RGTV00 Standard 94 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 45A 200A 1,9 V a 15 V, 50 A 1,17 mJ (acceso), 940 µJ (spento) 104 nC 41ns/142ns
RE1L002SNTL Rohm Semiconductor RE1L002SNTL 0,4000
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 ECAD 52 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 RE1L002 MOSFET (ossido di metallo) EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 250mA (Ta) 10 V 2,4 Ohm a 250 mA, 10 V 2,3 V a 1 mA ±20 V 15 pF a 25 V - 150mW (Ta)
RP1E070XNTCR Rohm Semiconductor RP1E070XNTCR -
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 ECAD 8467 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RP1E070 MOSFET (ossido di metallo) MPT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 30 V 7A (Ta) 4 V, 10 V 28 mOhm a 7 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 5,8 nC a 5 V ±20 V 390 pF a 10 V - 2 W (Ta)
DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143XE3HZGTL 0,4200
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTC143 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 10 kOhm
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5.8000
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 ECAD 385 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGT00 Standard 277 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V 54 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 85A 150A 2,1 V a 15 V, 50 A - 94 nC 42ns/137ns
RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 10.9100
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 ECAD 450 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGSX5TS65 Standard 404 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGSX5TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V 114 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 114A 225A 2,15 V a 15 V, 75 A 3,32 mJ (acceso), 1,9 mJ (spento) 79 nC 43ns/113ns
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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