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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0,9900
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto QH8K26 MOSFET (ossido di metallo) 1,1 W (Ta) TSMT8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 40 V 7A (Ta) 38 mOhm a 7 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 2,9 nC a 5 V 275 pF a 20 V -
R6511ENJTL Rohm Semiconductor R6511ENJTL 4.0600
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ECAD 90 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6511 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 11A(Tc) 10 V 400 mOhm a 3,8 A, 10 V 4 V a 320 µA 32 nC a 10 V ±20 V 670 pF a 25 V - 124 W(Tc)
SCT4018KRC15 Rohm Semiconductor SCT4018KRC15 42.7500
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ECAD 5665 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SCT4018 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SCT4018KRC15 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 1200 V 81A(Tc) 18 V 23,4 mOhm a 42 A, 18 V 4,8 V a 22,2 mA 170 nC a 18 V +21V, -4V 4532 pF a 800 V - 312W
RE1L002SNTL Rohm Semiconductor RE1L002SNTL 0,4000
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ECAD 52 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 RE1L002 MOSFET (ossido di metallo) EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 250mA (Ta) 10 V 2,4 Ohm a 250 mA, 10 V 2,3 V a 1 mA ±20 V 15 pF a 25 V - 150mW (Ta)
IMH4AT110 Rohm Semiconductor IMH4AT110 0,1154
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ECAD 6300 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMH4 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm -
RGTVX2TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX2TS65GC11 6.7600
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ECAD 418 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGTVX2 Standard 319 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGTVX2TS65GC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 60 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 111A 240A 1,9 V a 15 V, 60 A 2,08 mJ (acceso), 1,15 mJ (spento) 123 nC 49ns/150ns
RS1L145GNTB Rohm Semiconductor RS1L145GNTB 2.1000
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1L MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 14,5 A (Ta), 47 A (Tc) 4,5 V, 10 V 9,7 mOhm a 14,5 A, 10 V 2,7 V a 200 µA 37 nC a 10 V ±20 V 1880 pF a 30 V - 3 W (Ta)
DTC143XE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC143XE3HZGTL 0,4200
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTC143 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 10 kOhm
2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR533PHZGT100 0,6800
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 500 mW SOT-89 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 50 V 3A 1μA (ICBO) PNP 400 mV a 50 mA, 1 A 180 a 50 mA, 3 V 300 MHz
UMF9NTR Rohm Semiconductor UMF9NTR 0,1495
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ECAD 2604 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 12 V NPN, 30 V canale N Scopo generale Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF9 UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 500 mA NPN, 100 mA canale N NPN, canale N
DTA143ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143ZU3HZGT106 0,3800
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA143 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor RJ1G12BGNTL 4.8300
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RJ1G12 MOSFET (ossido di metallo) LPTL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 40 V 120A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,86 mOhm a 50 A, 10 V 2,5 V a 2 mA 165 nC a 10 V ±20 V 12.500 pF a 20 V - 178 W(Tc)
DTC113ZEBTL Rohm Semiconductor DTC113ZEBTL 0,2600
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ECAD 17 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 DTC113 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 5 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
IMB2AT110 Rohm Semiconductor IMB2AT110 0,1277
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ECAD 1308 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMB2 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm 47kOhm
RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor RTR020N05HZGTL 0,6800
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ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RTR020 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 45 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 180 mOhm a 2 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 4,1 nC a 4,5 V ±12V 200 pF a 10 V - 700mW (Ta)
2SB1730TL Rohm Semiconductor 2SB1730TL 0,1890
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ECAD 6502 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, conduttori piatti 2SB1730 400 mW TUMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 2A 100nA (ICBO) PNP 180 mV a 50 mA, 1 A 270 a 200 mA, 2 V 360 MHz
R6015KNZC8 Rohm Semiconductor R6015KNZC8 -
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ECAD 8623 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6015 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 15A (Tc) 10 V 290 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 5 V a 1 mA 27,5 nC a 10 V ±20 V 1050 pF a 25 V - 60 W (Tc)
RRL035P03TR Rohm Semiconductor RRL035P03TR 0,4500
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ECAD 936 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RRL035 MOSFET (ossido di metallo) TUMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 30 V 3,5A(Ta) 4 V, 10 V 50 mOhm a 3,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 8 nC a 5 V ±20 V 800 pF a 10 V - 320 mW (Ta)
RW1E025RPT2CR Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR -
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ECAD 5974 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RW1E025 MOSFET (ossido di metallo) 6-WEMT scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 Canale P 30 V 2,5A(Ta) 4 V, 10 V 75 mOhm a 2,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 5,2 nC a 5 V ±20 V 480 pF a 10 V - 700mW (Ta)
DTA144TUAT106 Rohm Semiconductor DTA144TUAT106 0,3000
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ECAD 2515 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA144 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm
EMZ1T2R Rohm Semiconductor EMZ1T2R 0,3900
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ECAD 15 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMZ1T2 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) PNP, PNP 400mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA 120 a 1 mA, 6 V 180 MHz, 140 MHz
UMT2907AT106 Rohm Semiconductor UMT2907AT106 0,3800
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 UMT2907 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 100 nA PNP 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 200 MHz
RUL035N02FRATR Rohm Semiconductor RUL035N02FRATR 0,5200
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ECAD 300 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RUL035 MOSFET (ossido di metallo) TUMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 20 V 3,5A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 43 mOhm a 3,5 A, 4,5 V 1 V@1 mA 5,7 nC a 4,5 V ±10 V 460 pF a 10 V - 1 W (Ta)
RUE002N05TL Rohm Semiconductor RUE002N05TL -
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ECAD 5627 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 RUE002 MOSFET (ossido di metallo) EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 50 V 200mA (Ta) 1,2 V, 4,5 V 2,2 Ohm a 200 mA, 4,5 V 1 V@1 mA ±8 V 25 pF a 10 V - 150mW (Ta)
2SA854STPQ Rohm Semiconductor 2SA854STPQ -
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ECAD 4444 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante SC-72 Formati lead 300 mW SPT scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 5.000 32 V 500 mA 1μA (ICBO) PNP 600mV a 50mA, 500mA 120 a 100 mA, 3 V 200 MHz
IMB9AT110 Rohm Semiconductor IMB9AT110 0,4700
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ECAD 6 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMB9 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm 47kOhm
SCT3160KW7TL Rohm Semiconductor SCT3160KW7TL 11.2700
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SCT3160 SiCFET (carburo di silicio) TO-263-7 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 1200 V 17A(Tc) 208 mOhm a 5 A, 18 V 5,6 V a 2,5 mA 42 nC a 18 V +22V, -4V 398 pF a 800 V - 100 W
VT6X11T2R Rohm Semiconductor VT6X11T2R 0,1117
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ECAD 4234 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti VT6X11 150 mW VMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 20 V 200mA 100nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 300 mV a 10 mA, 100 mA 120 a 1 mA, 2 V 400 MHz
RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor RQ3E100GNTB 0,4500
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ECAD 1727 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN RQ3E100 MOSFET (ossido di metallo) 8-HSMT (3,2x3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 10A (Ta) 4,5 V, 10 V 11,7 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 7,9 nC a 10 V ±20 V 420 pF a 15 V - 2 W (Ta), 15 W (Tc)
2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR512P5T100 0,4200
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ECAD 975 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SCR512 500 mW MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 30 V 2A 1μA (ICBO) NPN 400mV a 35mA, 700mA 200 a 100 mA, 2 V 320 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock