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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
RGSX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 11.7500
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 ECAD 450 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGSX5TS65 Standard 404 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGSX5TS65EHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V 116 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 114A 225A 2,15 V a 15 V, 75 A 3,44 mJ (acceso), 1,9 mJ (spento) 79 nC 43ns/113ns
RCD060N25TL Rohm Semiconductor RCD060N25TL 0,6045
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 ECAD 4666 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RCD060 MOSFET (ossido di metallo) CPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 250 V 6A (Tc) 10 V 530 mOhm a 3 A, 10 V 5 V a 1 mA 15 nC a 10 V ±30 V 840 pF a 25 V - 850 mW (Ta), 20 W (Tc)
DTA124TCAT116 Rohm Semiconductor DTA124TCAT116 0,3700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA124 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm
RS1G300GNTB Rohm Semiconductor RS1G300GNTB 2.1000
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 ECAD 16 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1G MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 30A (Ta) 4,5 V, 10 V 2,5 mOhm a 30 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 56,8 nC a 10 V ±20 V 4230 pF a 20 V - 3 W (Ta), 35 W (Tc)
RGW60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65DGC11 5.9200
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 ECAD 8274 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGW60 Standard 178 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V 92 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 60A 120A 1,9 V a 15 V, 30 A 480μJ (acceso), 490μJ (spento) 84 nC 37ns/114ns
SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor SP8K31HZGTB 1.4900
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8K31 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SP8K31HZGTBTR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 3,5A(Ta) 120 mOhm a 3,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 5,2 nC a 5 V 250 pF a 10 V -
2SD1782KT146R Rohm Semiconductor 2SD1782KT146R 0,3900
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1782 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 500nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 180 a 100 mA, 3 V 120 MHz
RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor RGCL80TK60GC11 5.3700
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 ECAD 4129 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 RGCL80 Standard 57 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 600 V 35A 160A 1,8 V a 15 V, 40 A 1,11 mJ (acceso), 1,68 mJ (spento) 98 nC 53ns/227ns
R6530KNZC8 Rohm Semiconductor R6530KNZC8 -
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 ECAD 6614 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6530 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 846-R6530KNZC8 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 30A (Tc) 10 V 140 mOhm a 14,5 A, 10 V 5 V a 960 µA 56 nC a 10 V ±20 V 2350 pF a 25 V - 86 W (Tc)
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL 2.3300
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 ECAD 1357 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RGT8BM65 Standard 62 W TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V, 4 A, 50 Ohm, 15 V 40 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 8A 12A 2,1 V a 15 V, 4 A - 13,5 nC 17ns/69ns
SCT3080ARC15 Rohm Semiconductor SCT3080ARC15 11.8400
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 ECAD 9965 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SCT3080 SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento 3 (168 ore) REACH Inalterato 846-SCT3080ARC15 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 650 V 30A(Tj) 18 V 104 mOhm a 10 A, 18 V 5,6 V a 5 mA 48 nC a 18 V +22V, -4V 571 pF a 500 V - 134 W
RGTH60TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH60TS65GC13 5.2100
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 ECAD 8180 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGTH60 Standard 194 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGTH60TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 58A 120A 2,1 V a 15 V, 30 A - 58 nC 27ns/105ns
2SC4617E3TLQ Rohm Semiconductor 2SC4617E3TLQ 0,3600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 2SC4617 150 mW EMT3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 mA 100nA (ICBO) NPN 400 mV a 5 mA, 50 mA 120 a 1 mA, 6 V 180 MHz
RGWX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGWX5TS65HRC11 8.5600
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 ECAD 4632 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGWX5TS65 Standard 348 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGWX5TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 37,5 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 132A 300 A 1,9 V a 15 V, 75 A 213 nC 62ns/237ns
RD3P07BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3P07BBHTL1 3.0100
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 ECAD 8402 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RD3P07 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 80A (Ta), 70A (Tc) 6 V, 10 V 7,7 mOhm a 70 A, 10 V 4 V a 1 mA 38 nC a 10 V ±20 V 2410 pF a 50 V - 89 W (Ta)
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC11 2.5127
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 ECAD 8936 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGT50 Standard 174 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGT50TS65DGC11 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V 58 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 48A 75A 2,1 V a 15 V, 25 A - 49 nC 27ns/88ns
2SD1767T100Q Rohm Semiconductor 2SD1767T100Q 0,6700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SD1767 500 mW MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 1.000 80 V 700mA 500nA (ICBO) NPN 400mV a 50mA, 500mA 120 a 100 mA, 3 V 120 MHz
RSQ035N03HZGTR Rohm Semiconductor RSQ035N03HZGTR 0,6900
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 RSQ035 MOSFET (ossido di metallo) TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 3,5A(Ta) 4 V, 10 V 62 mOhm a 3,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 7,4 nC a 5 V ±20 V 290 pF a 10 V - 950 mW(Ta)
SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB 6.6400
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 ECAD 5476 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA SCT2H12 SiCFET (carburo di silicio) TO-268 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 400 CanaleN 1700 V 4A(Tc) 18 V 1,5 Ohm a 1,1 A, 18 V 4 V a 410 µA 14 nC a 18 V +22V, -6V 184 pF a 800 V - 44 W (Tc)
RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045AJTCL1 1.1000
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerUFDFN RW4E045 MOSFET (ossido di metallo) DFN1616-7T scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 4,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 40 mOhm a 4,5 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 4 nC a 4,5 V ±12V 450 pF a 15 V - 1,5 W(Ta)
RS1G260MNTB Rohm Semiconductor RS1G260MNTB 1.9900
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1G MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 26A (Ta) 4,5 V, 10 V 3,3 mOhm a 26 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 44 nC a 10 V ±20 V 2988 pF a 20 V - 3 W (Ta), 35 W (Tc)
RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor RGPR10BM40FHTL 0,9330
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 ECAD 2948 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -40°C ~ 75°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RGPR10 Standard 107 W TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 300 V, 8 A, 100 Ohm, 5 V - 460 V 20A 2,0 V a 5 V, 10 A - 14 nC 500ns/4μs
DTC115ECAT116 Rohm Semiconductor DTC115ECAT116 0,2800
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC115 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 82 a 5 mA, 5 V 250 MHz 100 kOhm 100 kOhm
RW1A020ZPT2R Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R -
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 ECAD 5174 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RW1A020 MOSFET (ossido di metallo) 6-WEMT scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 Canale P 12 V 2A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 105 mOhm a 2 A, 4,5 V 1 V@1 mA 6,5 nC a 4,5 V ±10 V 770 pF a 6 V - 400 mW (Ta)
RS1P090ATTB1 Rohm Semiconductor RS1P090ATTB1 2.9100
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 ECAD 1024 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1P090 MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento 1 (illimitato) 2.500 Canale P 100 V 9A (Ta), 33A (Tc) 4,5 V, 10 V 34 mOhm a 9 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 125 nC a 10 V ±20 V 5650 pF a 50 V - 3 W (Ta), 40 W (Tc)
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
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 ECAD 5388 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGW80 Standard 214 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGW80TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 160A 1,9 V a 15 V, 40 A 110 nC 42ns/148ns
RGTH80TS65GC13 Rohm Semiconductor RGTH80TS65GC13 5.7400
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 ECAD 2093 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGTH80 Standard 234 W TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-RGTH80TS65GC13 EAR99 8541.29.0095 600 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 70A 160A 2,1 V a 15 V, 40 A - 79 nC 34ns/120ns
2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2SCR563F3TR 0,9000
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 3-UDFN 1 W HUML2020L3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 50 V 6A 1μA (ICBO) NPN 350 mV a 150 mA, 3 A 180 a 500 mA, 3 V 200 MHz
RS1E350BNTB Rohm Semiconductor RS1E350BNTB 1.7400
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 ECAD 920 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN RS1E MOSFET (ossido di metallo) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 35A (Ta) 4,5 V, 10 V 1,7 mOhm a 35 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 185 nC a 10 V ±20 V 7900 pF a 15 V - 35 W (Tc)
2SCR642PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR642PHZGT100 0,8800
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 ECAD 917 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 500 mW SOT-89 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 30 V 3A 1μA (ICBO) NPN 400 mV a 100 mA, 2 A 200 a 500 mA, 2 V 250 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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