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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
US6T9TR Rohm Semiconductor US6T9TR 0,2300
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 ECAD 2253 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 US6T9 400 mW UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1A 100nA (ICBO) 2 PNP (doppio) 350mV a 25mA, 500mA 270 a 100 mA, 2 V 320 MHz
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor RTQ045N03HZGTR 0,7400
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 ECAD 4765 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 RTQ045 MOSFET (ossido di metallo) TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 4,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 43 mOhm a 4,5 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 10,7 nC a 4,5 V ±12V 540 pF a 10 V - 950 mW(Ta)
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor R6006JNJGTL 2.6500
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6006 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 6A (Tc) 15 V 936 mOhm a 3 A, 15 V 7 V a 800 µA 15,5 nC a 15 V ±30 V 410 pF a 100 V - 86 W (Tc)
R6004ENXC7G Rohm Semiconductor R6004ENXC7G 2.5300
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R6004 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6004ENXC7G EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 4A(Tc) 10 V 980 mOhm a 1,5 A, 10 V 4 V a 1 mA 15 nC a 10 V ±20 V 250 pF a 25 V - 40 W (Tc)
DTA123YUAT106 Rohm Semiconductor DTA123YUAT106 0,0536
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 ECAD 5936 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA123 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 10 kOhm
R6511END3TL1 Rohm Semiconductor R6511END3TL1 2.8100
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 R6511 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6511END3TL1D€ EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 650 V 11A(Tc) 10 V 400 mOhm a 3,8 A, 10 V 4 V a 320 µA 32 nC a 10 V ±20 V 670 pF a 25 V - 124 W(Tc)
UMH25NTN Rohm Semiconductor UMH25NTN 0,3600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH25 150 mW UMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47kOhm
DTC114YEBTL Rohm Semiconductor DTC114YEBTL 0,0488
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 ECAD 1526 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 DTC114 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 47 kOhm
R6020ENJTL Rohm Semiconductor R6020ENJTL 2.7900
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 ECAD 12 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6020 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 20A (Tc) 10 V 196 mOhm a 9,5 A, 10 V 4 V a 1 mA 60 nC a 10 V ±20 V 1.400 pF a 25 V - 40 W (Tc)
DTC124EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC124EU3HZGT106 0,0683
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 ECAD 5543 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTC124 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 56 a 5 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm 22 kOhm
R8006KNXC7G Rohm Semiconductor R8006KNXC7G 3.3400
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 ECAD 790 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R8006 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 6A (Ta) 10 V 900 mOhm a 3 A, 10 V 4,5 V a 4 mA 22 nC a 10 V ±20 V 650 pF a 100 V - 52 W (Tc)
2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL 1.9400
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SAR586 10 W TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 80 V 5A 1μA (ICBO) 320 mV a 100 mA, 2 A 120 a 500 mA, 3 V
HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor HP8MA2TB1 1.8500
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN HP8MA2 MOSFET (ossido di metallo) 3 W (Ta) 8-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 30 V 18A(Ta), 15A(Ta) 9,6 mOhm a 18 A, 10 V, 17,9 mOhm a 15 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 22nC a 10 V, 25 nC a 10 V 1100pF a 15V, 1250pF a 15V -
2SA2072TLQ Rohm Semiconductor 2SA2072TLQ 0,3825
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 ECAD 8173 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SA2072 1 W CPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 3A 1μA (ICBO) PNP 500 mV a 200 mA, 2 A 120 a 100 mA, 2 V 180 MHz
QS8K11TCR Rohm Semiconductor QS8K11TCR 0,9200
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto QS8K11 - 1,5 W TSMT8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 3,5 A 50 mOhm a 3,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 3,3 nC a 5 V 180 pF a 10 V -
R6515KNXC7G Rohm Semiconductor R6515KNXC7G 3.8300
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R6515 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6515KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 15A (Ta) 10 V 315 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 5 V a 430 µA 27,5 nC a 10 V ±20 V 1050 pF a 25 V - 60 W (Tc)
SP8J62TB1 Rohm Semiconductor SP8J62TB1 -
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 ECAD 4034 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto SP8J62 - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 846-SP8J62TB1TR OBSOLETO 2.500 -
RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor RJ1L08CGNTL 2.5800
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 ECAD 40 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RJ1L08 MOSFET (ossido di metallo) LPTL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 60 V 80A (Ta) 4,5 V, 10 V 7,7 mOhm a 80 A, 10 V 2,5 V a 50 µA 55 nC a 10 V ±20 V 2600 pF a 30 V - 96 W (Ta)
DTD123YCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD123YCHZGT116 0,3700
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 56 a 50 mA, 5 V 200 MHz 2,2 kOhm 10 kOhm
RSD200N05TL Rohm Semiconductor RSD200N05TL 0,4542
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 ECAD 9711 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RSD200 MOSFET (ossido di metallo) CPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 45 V 20A (Ta) 4 V, 10 V 28 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 12 nC a 5 V ±20 V 950 pF a 10 V - 20 W (Tc)
SH8KC6TB1 Rohm Semiconductor SH8KC6TB1 0,9900
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 ECAD 7 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SH8KC6 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 6,5A(Ta) 32 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 2,5 V a 1 mA 7,6 nC a 10 V 460 pF a 30 V -
R5013ANXFU6 Rohm Semiconductor R5013ANXFU6 -
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 ECAD 8121 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 500 V 13A (Ta) 10 V 380 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 4,5 V a 1 mA 35 nC a 10 V ±30 V 1300 pF a 25 V - 50 W (Tc)
RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor RW1A025APT2CR -
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 ECAD 4370 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RW1A025 MOSFET (ossido di metallo) 6-WEMT scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 Canale P 12 V 2,5A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 62 mOhm a 2,5 A, 4,5 V 1 V@1 mA 16 nC a 4,5 V -8V 2000 pF a 6 V - 400 mW (Ta)
DTA143ZCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA143ZCAHZGT116 0,3700
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
RGW00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65DGC11 6.5400
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 ECAD 4307 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 RGW00 Standard 254 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V 95 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 96A 200A 1,9 V a 15 V, 50 A 1,18 mJ (acceso), 960 µJ (spento) 141 nC 52ns/180ns
DTD713ZETL Rohm Semiconductor DTD713ZETL 0,1126
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 ECAD 7051 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTD713 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 200 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 140 a 100 mA, 2 V 260 MHz 1 kOhm 10 kOhm
RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor RV8L002SNHZGG2CR 0,5800
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 ECAD 7 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN RV8L002 MOSFET (ossido di metallo) DFN1010-3W scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 8.000 CanaleN 60 V 250mA (Ta) 2,4 Ohm a 250 mA, 10 V 2,3 V a 1 mA ±20 V 15 pF a 25 V - 1 W (Ta)
SP8K41HZGTB Rohm Semiconductor SP8K41HZGTB 2.0600
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8K41 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SP8K41HZGTBTR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 80 V 3,4A(Ta) 130 mOhm a 3,4 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 6,6 nC a 5 V 600 pF a 10 V -
SCT3017ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3017ALGC11 116.8400
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 ECAD 3059 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCT3017 SiCFET (carburo di silicio) TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SCT3017ALGC11 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 118A(Tc) 18 V 22,1 mOhm a 47 A, 18 V 5,6 V a 23,5 mA 172 nC a 18 V +22V, -4V 2884 pF a 500 V - 427 W
DTC123TCAT116 Rohm Semiconductor DTC123TCAT116 0,3700
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 ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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