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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
2SAR543RTL Rohm Semiconductor 2SAR543RTL 0,6700
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ECAD 310 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 2SAR543 1 W TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 50 V 3A 1 µA (ICBO) PNP 400 mV a 100 mA, 2 A 180 a 100 mA, 3 V 300 MHz
RGW50TK65DGVC11 Rohm Semiconductor RGW50TK65DGVC11 6.3100
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ECAD 450 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3PFM, SC-93-3 Standard 67 W TO-3PFM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V 92 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 30A 100A 1,9 V a 15 V, 25 A 390μJ (acceso), 430μJ (spento) 73 nC 35ns/102ns
RSD150N06TL Rohm Semiconductor RSD150N06TL 0,5924
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ECAD 5921 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RSD150 MOSFET (ossido di metallo) CPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 15A (Ta) 4 V, 10 V 40 mOhm a 15 A, 10 V 3 V a 1 mA 18 nC a 10 V ±20 V 930 pF a 10 V - 20 W (Tc)
RTR020N05TL Rohm Semiconductor RTR020N05TL 0,9200
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RTR020 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 45 V 2A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 180 mOhm a 2 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 4,1 nC a 4,5 V ±12V 200 pF a 10 V - 1 W (Ta)
EMX2T2R Rohm Semiconductor EMX2T2R 0,3900
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ECAD 3604 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMX2T2 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 400 mV a 5 mA, 50 mA 120 a 1 mA, 6 V 180 MHz
R6050JNZC8 Rohm Semiconductor R6050JNZC8 -
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ECAD 7204 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6050 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 846-R6050JNZC8 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 50A (Tc) 15 V 83 mOhm a 25 A, 15 V 7 V a 5 mA 120 nC a 15 V ±30 V 4500 pF a 100 V - 120 W (Tc)
DTA123EKAT146 Rohm Semiconductor DTA123EKAT146 0,3100
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ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 20 a 20 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 2,2 kOhm
DTDG23YPT100 Rohm Semiconductor DTDG23YPT100 0,7500
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ECAD 3897 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-243AA DTDG23 1,5 W MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 60 V 1A 500nA NPN - Prepolarizzato 400mV a 5mA, 500mA 300 a 500 mA, 2 V 80 MHz 2,2 kOhm 22 kOhm
2SC5661T2LP Rohm Semiconductor 2SC5661T2LP 0,5200
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ECAD 11 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-723 2SC5661 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 20 V 50 mA 500nA (ICBO) NPN 500 mV a 4 mA, 20 mA 82 a 10 mA, 10 V 1,5GHz
RP1E100RPTR Rohm Semiconductor RP1E100RPTR -
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ECAD 1906 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti RP1E0100 MOSFET (ossido di metallo) MPT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 Canale P 30 V 10A (Ta) 10 V 12,6 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 39 nC a 5 V ±20 V 3600 pF a 10 V - 2 W (Ta)
BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101 527.2400
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Modulo BSM180 Carburo di silicio (SiC) 1130 W Modulo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato Q7641253A EAR99 8541.29.0095 12 2 canali N (mezzo ponte) 1200 V (1,2 kV) 204A(Tc) - 4 V a 35,2 mA - 23.000 pF a 10 V -
IMH14AT108 Rohm Semiconductor IMH14AT108 0,1692
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ECAD 3348 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 IMH14 300 mW SMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA - 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm -
2SAR293PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR293PFRAT100 0,5000
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ECAD 45 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SAR293 500 mW MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 30 V 1A 100nA (ICBO) PNP 350mV a 25mA, 500mA 270 a 100 mA, 2 V 320 MHz
DTC123JKAT146 Rohm Semiconductor DTC123JKAT146 0,2600
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ECAD 161 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 47 kOhm
QSX3TR Rohm Semiconductor QSX3TR -
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ECAD 6286 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 QSX 1,25 W TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 30 V 5A 100nA (ICBO) NPN 250 mV a 30 mA, 1,5 A 270 a 500 mA, 2 V 360 MHz
EMG11T2R Rohm Semiconductor EMG11T2R 0,3800
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ECAD 15 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto EMG11 150 mW EMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 47kOhm
2SD1859TV2Q Rohm Semiconductor 2SD1859TV2Q -
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ECAD 3851 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro tagliato (CT) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante 3-SIP 2SD1859 1 W ATV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 80 V 700mA 500nA (ICBO) NPN 400mV a 50mA, 500mA 120 a 100 mA, 3 V 120 MHz
DTA124EE3TL Rohm Semiconductor DTA124EE3TL 0,3700
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm DTA143X Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTA124 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Prepolarizzato + Diodo 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 10 kOhm
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0,4200
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ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 400mA (Ta) 2,5 V, 10 V 680 mOhm a 400 mA, 10 V 2 V a 10 µA ±20 V 47 pF a 30 V - 200mW (Ta)
UMA3NTR Rohm Semiconductor UMA3NTR 0,4400
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ECAD 214 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMA3 150 mW UMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm -
SCT4026DW7HRTL Rohm Semiconductor SCT4026DW7HRTL 22.7600
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) TO-263-7L scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 750 V 51A(Tc) 18 V 34 mOhm a 29 A, 18 V 4,8 V a 15,4 mA 94 nC a 18 V +21V, -4V 2320 pF a 500 V - 150 W
DTA123YCAT116 Rohm Semiconductor DTA123YCAT116 0,2700
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 22 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 10 kOhm
2SD2033AT114E Rohm Semiconductor 2SD2033AT114E -
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ECAD 7690 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante terapia ormonale sostitutiva 2SD2033 1,8 W terapia ormonale sostitutiva scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 160 V 1,5 A 1 µA (ICBO) NPN 2 V a 100 mA, 1 A 100 a 100 mA, 5 V 80 MHz
DTA115TETL Rohm Semiconductor DTA115TETL 0,0678
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ECAD 6537 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTA115 150 mW EMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 100 µA, 1 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 100 kOhm
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor RSJ250P10TL 2.8700
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ECAD 18 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RSJ250 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 Canale P 100 V 25A (Ta) 4 V, 10 V 63 mOhm a 25 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 60 nC a 5 V ±20 V 8000 pF a 25 V - 50 W (Tc)
QST8TR Rohm Semiconductor QST8TR 0,6400
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 QST8 1,25 W TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 12V 1,5 A 100nA (ICBO) 2 PNP (doppio) 200mV a 25mA, 500mA 270 a 200 mA, 2 V 400 MHz
RDX045N60FU6 Rohm Semiconductor RDX045N60FU6 -
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ECAD 7226 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo RDX045 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 600 V 4,5A(Ta) 10 V 2,1 Ohm a 2,25 A, 10 V 4 V a 1 mA 16 nC a 10 V ±30 V 500 pF a 25 V - 35 W (Tc)
DTD143TKT146 Rohm Semiconductor DTD143TKT146 0,4400
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ECAD 55 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD143 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 500 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 100 a 50 mA, 5 V 200 MHz 4,7 kOhm
RE1C001UNTCL Rohm Semiconductor RE1C001UNTCL 0,4000
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 RE1C001 MOSFET (ossido di metallo) EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 100mA (Ta) 1,2 V, 4,5 V 3,5 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1 V a 100 µA ±8 V 7,1 pF a 10 V - 150mW (Ta)
DTA123JMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA123JMFHAT2L 0,2800
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ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTA123 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 100 mA - PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 47 kOhm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock