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Transistor(3592)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
RUM002N02T2L	0,3700	Richiesta di offerta	783	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-723	RUM002		MOSFET (ossido di metallo)		VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000	CanaleN		20 V	200mA (Ta)	1,2 V, 2,5 V	1,2 Ohm a 200 mA, 2,5 V	1 V@1 mA		±8 V	25 pF a 10 V	-	150mW (Ta)
2SC5659T2LN	0,1009	Richiesta di offerta	2245	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-723	2SC5659			150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000															25 V	50 mA						500nA (ICBO)	NPN	300 mV a 1 mA, 10 mA	56 a 1 mA, 6 V	300 MHz
R8002KNXC7G	2.0300	Richiesta di offerta	960	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	R8002		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		800 V	1,6A(Ta)	10 V	4,2 Ohm a 800 mA, 10 V	4,5 V a 150 µA	7,5 nC a 10 V	±20 V	140 pF a 100 V	-	28 W (Tc)
RHK005N03FRAT146	0,4800	Richiesta di offerta	382	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RHK005		MOSFET (ossido di metallo)		SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN		30 V	500mA (Ta)	4 V, 10 V	550 mOhm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 1 mA		±20 V	45 pF a 10 V	-	200mW (Ta)
R6015ANJTL	3.0267	Richiesta di offerta	7224	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	R6015		MOSFET (ossido di metallo)		LPTS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		600 V	15A (Tc)		300 mOhm a 7,5 A, 10 V	4,5 V a 1 mA	50 nC a 10 V		1700 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
RF4E060AJTCR	0,6300	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerUDFN	RF4E060		MOSFET (ossido di metallo)		HUML2020L8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		30 V	6A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	37 mOhm a 6 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	4 nC a 4,5 V	±12V	450 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
EMX51T2R	0,3900	Richiesta di offerta	4347	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMX51			150 mW	EMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000															20 V	200mA						100nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 1 mA, 2 V	400 MHz
UMT2NTR	0,4000	Richiesta di offerta	465	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT2			150 mW	UMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000															50 V	150mA						100nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	500mV a 5mA, 50mA	120 a 1 mA, 6 V	140 MHz
RSR025N03TL	0,6200	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96	RSR025		MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		30 V	2,5A(Ta)	4 V, 10 V	70 mOhm a 2,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	4,1 nC a 5 V	20 V	165 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
RX3P10BBHC16	7.8900	Richiesta di offerta	7397	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	RX3P10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	846-RX3P10BBHC16	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		100 V	170A (Ta), 100A (Tc)	6 V, 10 V	3,3 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 1 mA	135 nC a 10 V	±20 V	8600 pF a 50 V	-	189 W (Ta)
R6020JNZC8	7.0000	Richiesta di offerta	30	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	360	CanaleN		600 V	20A (Tc)	15 V	234 mOhm a 10 A, 15 V	7 V a 3,5 mA	45 nC a 15 V	±30 V	1500 pF a 100 V	-	76 W(Tc)
RW4C045BCTCL1	0,8900	Richiesta di offerta	20	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerUFDFN	RW4C045		MOSFET (ossido di metallo)		DFN1616-7T	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P		20 V	4,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	56 mOhm a 4,5 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	6,5 nC a 4,5 V	±8 V	460 pF a 10 V	-	1,5 W(Ta)
RGTV80TK65DGVC11	7.1000	Richiesta di offerta	450	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-3PFM, SC-93-3	RGTV80	Standard		85 W	TO-3PFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RGTV80TK65DGVC11	EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V											101 nn	Sosta sul campo di trincea	650 V	39A	160A	1,9 V a 15 V, 40 A	1,02 mJ (acceso), 710 µJ (spento)	81 nC	39ns/113ns
R6006JND3TL1	2.4200	Richiesta di offerta	32	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	R6006		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		600 V	6A (Tc)	15 V	936 mOhm a 3 A, 15 V	7 V a 800 µA	15,5 nC a 15 V	±30 V	410 pF a 100 V	-	86 W (Tc)
ES6U42FU7T2R	-	Richiesta di offerta	4455	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		846-ES6U42FU7T2RTR	OBSOLETO		8.000
SCT2280KEC	-	Richiesta di offerta	9972	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Obsoleto	175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SCT2280		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SCT2280KECU	EAR99	8541.29.0095	360	CanaleN		1200 V	14A (Tc)	18 V	364 mOhm a 4 A, 18 V	4 V a 1,4 mA	36 nC a 18 V	+22 V, -6 V	667 pF a 800 V	-	108 W(Tc)
2SB1386T100R	0,6000	Richiesta di offerta	900	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SB1386			2 W	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000															20 V	5A						500nA (ICBO)	PNP	1 V a 100 mA, 4 A	180 a 500 mA, 2 V	120 MHz
RGCL80TK60DGC11	6.0100	Richiesta di offerta	433	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-3PFM, SC-93-3	RGCL80	Standard		57 W	TO-3PFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450		400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V											58 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	35A	160A	1,8 V a 15 V, 40 A	1,11 mJ (acceso), 1,68 mJ (spento)	98 nC	53ns/227ns
R6076ENZ1C9	-	Richiesta di offerta	5068	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450	CanaleN		600 V	76A(Tc)	10 V	42 mOhm a 44,4 A, 10 V	4 V a 1 mA	260 nC a 10 V	±20 V	6500 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
EMX52T2R	0,4700	Richiesta di offerta	8	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMX52			150 mW	EMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000															50 V	100mA						100nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 50 mA	120 a 1 mA, 6 V	350 MHz
RSR020N06TL	0,2181	Richiesta di offerta	5439	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96	RSR020		MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN		60 V	2A (Ta)	4 V, 10 V	170 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	4,9 nC a 10 V	±20 V	180 pF a 10 V	-	540 mW (Ta)
RS1E150GNTB	0,6900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	RS1E		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		30 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	8,8 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	10 nC a 10 V	±20 V	590 pF a 15 V	-	3 W (Ta), 22,9 W (Tc)
RCJ450N20TL	3.3900	Richiesta di offerta	67	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	RCJ450		MOSFET (ossido di metallo)		LPTS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		200 V	45A (Tc)	10 V	55 mOhm a 22,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	80 nC a 10 V	±30 V	4200 pF a 25 V	-	1,56 W (Ta), 40 W (Tc)
RCD040N25TL	-	Richiesta di offerta	9023	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	RCD040		MOSFET (ossido di metallo)		CPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		250 V	4A (Ta)	10 V	-	-		±30 V		-	20 W (Tc)
R6025ANZC8	-	Richiesta di offerta	8515	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	360	CanaleN		600 V	25A (Tc)	10 V	150 mOhm a 12,5 A, 10 V	4,5 V a 1 mA	88 nC a 10 V	±20 V	3250 pF a 10 V	-	150 W(Tc)
RGTH00TS65GC13	6.2300	Richiesta di offerta	600	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	RGTH00	Standard		277 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RGTH00TS65GC13	EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	85A	200A	2,1 V a 15 V, 50 A	-	94 nC	39ns/143ns
DTA125TKAT146	0,0561	Richiesta di offerta	2584	Semiconduttore Rohm	DTA125T	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA125			200 mW	SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000															50 V	100 mA						500nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	300mV a 50μA, 500μA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	200 kOhm
BCX71JT116	-	Richiesta di offerta	8562	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCX71				SST3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000															45 V	200 mA						-	PNP	-	250 a 2 mA, 5 V	180 MHz
DTA015EUBTL	0,0536	Richiesta di offerta	3872	Semiconduttore Rohm	DTA015E	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-85	DTA015			200 mW	UMT3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000															50 V	100 mA						500nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 5 mA	80 a 5 mA, 10 V	250 MHz	100 kOhm	100 kOhm
RGTH60TS65GC11	3.7200	Richiesta di offerta	14	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Design non per nuovi	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	RGTH60	Standard		197 W	TO-247N	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	58A	120A	2,1 V a 15 V, 30 A	-	58 nC	27ns/105ns