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Transistor(3592)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
R6011ENX Rohm Semiconductor R6011ENX 3.0700
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 ECAD 500 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R6011 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 390 mOhm a 3,8 A, 10 V 4 V a 1 mA 32 nC a 10 V ±20 V 670 pF a 25 V - 40 W (Tc)
2SAR552P5T100 Rohm Semiconductor 2SAR552P5T100 0,5500
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SAR552 500 mW MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 30 V 3A 1μA (ICBO) PNP 400 mV a 50 mA, 1 A 200 a 500 mA, 2 V 330 MHz
SH8ME5TB1 Rohm Semiconductor SH8ME5TB1 1.9500
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 ECAD 4706 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SH8ME5 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOP - Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.29.0095 2.500 - 100 V 4,5A(Ta) 58 mOhm a 4,5 A, 10 V, 91 mOhm a 4,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 6,7 nC a 10 V, 52 nC a 10 V 305 pF a 50 V, 2100 pF a 50 V Standard
SCT4036KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEHRC11 23.1200
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 ECAD 20 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato 846-SCT4036KEHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 1200 V 43A(Tc) 18 V 47 mOhm a 21 A, 18 V 4,8 V a 11,1 mA 91 nC a 18 V +21V, -4V 2335 pF a 800 V - 176 W
R5016FNJTL Rohm Semiconductor R5016FNJTL 2.0698
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 ECAD 6200 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R5016 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 1.000 CanaleN 500 V 16A (Tc) 10 V 325 mOhm a 8 A, 10 V 5 V a 1 mA 46 nC a 10 V ±30 V 1700 pF a 25 V - 255 W(Tc)
DTA114EUAT106 Rohm Semiconductor DTA114EUAT106 0,2600
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 ECAD 18 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA114 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 50 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 10 kOhm
2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR572D3TL1 0,8500
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 ECAD 14 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SCR572 10 W TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 30 V 5A 1μA (ICBO) NPN 400 mV a 100 mA, 2 A 200 a 500 mA, 3 V 300 MHz
DTA115EUAT106 Rohm Semiconductor DTA115EUAT106 0,3000
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 ECAD 275 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTA115 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 20 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 82 a 5 mA, 5 V 250 MHz 100 kOhm 100 kOhm
QSZ3TR Rohm Semiconductor QSZ3TR -
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 ECAD 6854 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 QSZ3 500 mW TSMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 12V 3A 100nA (ICBO) NPN, PNP (emettitore accoppiato) 250 mV a 30 mA, 1,5 A 270 a 500 mA, 2 V 280 MHz
2SAR544RTL Rohm Semiconductor 2SAR544RTL 0,6500
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 ECAD 6916 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 2SAR544 1 W TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 80 V 2,5 A 1μA (ICBO) PNP 400 mV a 50 mA, 1 A 120 a 100 mA, 3 V 280 MHz
RF4E075ATTCR Rohm Semiconductor RF4E075ATTCR 0,6500
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 ECAD 7 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerUDFN RF4E075 MOSFET (ossido di metallo) HUML2020L8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 7,5A(Ta) 4,5 V, 10 V 21,7 mOhm a 7,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 22 nC a 10 V ±20 V 1000 pF a 15 V - 2 W (Ta)
MP6M11TCR Rohm Semiconductor MP6M11TCR -
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 ECAD 9922 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti MP6M11 MOSFET (ossido di metallo) 2 W MPT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 Canali N e P 30 V 3,5 A 98 mOhm a 3,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 1,9 nC a 5 V 85 pF a 10 V Porta a livello logico
RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor RJ1L12BGNTL 6.8200
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RJ1L12 MOSFET (ossido di metallo) TO-263AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 60 V 120A (Ta) 4,5 V, 10 V 2,9 mOhm a 40 A, 10 V 2,5 V a 500 µA 175 nC a 10 V ±20 V 9000 pF a 30 V - 192 W (Ta)
RD3G03BATTL1 Rohm Semiconductor RD3G03BATTL1 1.5100
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 ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RD3G03 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 40 V 35A (Ta) 4,5 V, 10 V 19,1 mOhm a 35 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 38 nC a 10 V ±20 V 2100 pF a 20 V - 56 W (Ta)
R8002ANX Rohm Semiconductor R8002ANX -
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 ECAD 5448 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Design non per nuovi 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo R8002 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 CanaleN 800 V 2A(Tc) 10 V 4,3 Ohm a 1 A, 10 V 5 V a 1 mA 12,7 nC a 10 V ±30 V 210 pF a 25 V - 35 W (Tc)
R6020ANJTL Rohm Semiconductor R6020ANJTL 4.1079
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 ECAD 3428 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6020 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 20A (Ta) 10 V 250 mOhm a 10 A, 10 V 4,5 V a 1 mA 65 nC a 10 V ±30 V 2040 pF a 25 V - 100 W (Tc)
DTB143TKT146 Rohm Semiconductor DTB143TKT146 0,1312
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 ECAD 8849 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB143 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 500 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 100 a 50 mA, 5 V 200 MHz 4,7 kOhm
DTC623TUT106 Rohm Semiconductor DTC623TUT106 0,3900
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 ECAD 646 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DTC623 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 600 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 150 mV a 2,5 mA, 50 mA 820 a 50 mA, 5 V 150 MHz 2,2 kOhm
SCT3080ARHRC15 Rohm Semiconductor SCT3080ARHRC15 12.2000
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 ECAD 4373 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SCT3080 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-4L scaricamento 3 (168 ore) REACH Inalterato 846-SCT3080ARHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 650 V 30A (Tc) 18 V 104 mOhm a 10 A, 18 V 5,6 V a 5 mA 48 nC a 18 V +22V, -4V 571 pF a 500 V - 134 W
SH8M70TB1 Rohm Semiconductor SH8M70TB1 -
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 ECAD 6862 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SH8M70 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 250 V 3A, 2,5A 1,63 Ohm a 1,5 A, 10 V 4 V a 1 mA 5,2 nC a 10 V 180 pF a 25 V -
EMD22FHAT2R Rohm Semiconductor EMD22FHAT2R 0,0611
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 ECAD 8801 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMD22 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 - 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 47kOhm
R6530KNZC17 Rohm Semiconductor R6530KNZC17 6.5000
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 ECAD 300 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 R6530 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6530KNZC17 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 30A (Tc) 10 V 140 mOhm a 14,5 A, 10 V 5 V a 960 µA 56 nC a 10 V ±20 V 2350 pF a 25 V - 86 W (Tc)
DTA114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA114ECAHZGT116 0,1900
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 ECAD 11 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 350 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 100 mA - PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 10 kOhm
2SC4505T100P Rohm Semiconductor 2SC4505T100P -
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 ECAD 6568 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SC4505 2 W MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V 100 mA 10 µA (ICBO) NPN 500 mV a 1 mA, 10 mA 82 a 10 mA, 10 V 20 MHz
QS6M3TR Rohm Semiconductor QS6M3TR 0,6200
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 ECAD 11 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 QS6M3 MOSFET (ossido di metallo) 1,25 W TSMT6 (SC-95) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canali N e P 30 V, 20 V 1,5 A 230 mOhm a 1,5 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 1,6 nC a 4,5 V 80 pF a 10 V Porta a livello logico
EMD2T2R Rohm Semiconductor EMD2T2R 0,3900
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 ECAD 5321 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMD2T2 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 56 a 5 mA, 5 V 250 MHz 22kOhm 22kOhm
RSS100N03HZGTB Rohm Semiconductor RSS100N03HZGTB 1.5800
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 ECAD 990 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) RSS100 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 10A (Ta) 4 V, 10 V 13,3 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 20 nC a 5 V ±20 V 1070 pF a 10 V - 2 W (Ta)
EMD29T2R Rohm Semiconductor EMD29T2R 0,4500
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMD29 120 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V, 12 V 100 mA, 500 mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA / 300 mV a 5 mA, 100 mA 30 a 5 mA, 5 V / 140 a 100 mA, 2 V 250 MHz, 260 MHz 1kOhm, 10kOhm 10kOhm
SP8K32FRATB Rohm Semiconductor SP8K32FRATB 0,7343
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 ECAD 8020 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SP8K32 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 4,5A(Ta) 65 mOhm a 4,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 10nC a 5V 500 pF a 10 V -
2SCR514P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR514P5T100 0,5000
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SCR514 500 mW MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 80 V 700mA 1μA (ICBO) NPN 300mV a 15mA, 300mA 120 a 100 mA, 3 V 320 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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