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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SAR513PT100 | 1.0600 | ![]() | 279 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SAR513 | 2 W | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 V | 1A | 1μA (ICBO) | PNP | 400mV a 25mA, 500mA | 180 a 50 mA, 2 V | 400 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1776TV2Q | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | 3-SIP | 2SA1776 | 1 W | ATV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 500 mA | 1μA (ICBO) | PNP | 1 V a 10 mA, 100 mA | 120 a 50 mA, 5 V | 12 MHz | |||||||||||||||||
| SH8M51GZETB | 1.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SH8M51 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,4 W(Ta) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canali N e P | 100 V | 3A (Ta), 2,5 A (Ta) | 170 mOhm a 3 A, 10 V, 290 mOhm a 2,5 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 8,5 nC a 5 V, 12,5 nC a 5 V | 610pF a 25V, 1550pF a 25V | - | ||||||||||||||||
![]() | DTC614TKT146 | 0,4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC614 | 200 mW | SMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 600 mA | 500nA (ICBO) | NPN - Prepolarizzato | 150 mV a 2,5 mA, 50 mA | 820 a 50 mA, 5 V | 150 MHz | 10 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | BCX71HT216 | 0,0822 | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX71 | 350 mW | SST3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 200 mA | 100 nA | PNP | 550 mV a 1,25 mA, 50 mA | 140 a 2 mA, 5 V | 180 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTC044EUBTL | 0,3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-85 | DTC044 | 200 mW | UMT3F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 mA | - | NPN - Prepolarizzato | 150 mV a 500 µA, 5 mA | 80 a 5 mA, 10 V | 250 MHz | 47 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||
![]() | EMH3T2R | 0,3900 | ![]() | 568 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | EMH3T2 | 150 mW | EMT6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V | 100mA | - | 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 250 µA, 5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | - | ||||||||||||||||
![]() | MMSTA28T146 | 0,4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMSTA28 | 200 mW | SMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 V | 300 mA | 500nA | NPN-Darlington | 1,5 V a 100 µA, 100 mA | 10000 a 100 mA, 5 V | 200 MHz | |||||||||||||||||
![]() | R6015KNJTL | 2.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | R6015 | MOSFET (ossido di metallo) | LPTS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 15A (Tc) | 10 V | 290 mOhm a 6,5 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 37,5 nC a 10 V | ±20 V | 1050 pF a 25 V | - | 184 W(Tc) | |||||||||||||
![]() | EMB51T2R | 0,4700 | ![]() | 4371 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | EMB51 | 150 mW | EMT6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V | 30mA | 500nA | 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 150 mV a 500 µA, 5 mA | 60 a 5 mA, 10 V | 250 MHz | 22kOhm | 22kOhm | ||||||||||||||||
![]() | DTC623TUT106 | 0,3900 | ![]() | 646 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DTC623 | 200 mW | UMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 600 mA | 500nA (ICBO) | NPN - Prepolarizzato | 150 mV a 2,5 mA, 50 mA | 820 a 50 mA, 5 V | 150 MHz | 2,2 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | DTC114TUAT106 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 mW | UMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA (ICBO) | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 1 mA, 10 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | IMB3AT110 | 0,4700 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | IMB3 | 300 mW | SMT6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100mA | - | 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 2,5 mA, 5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | - | ||||||||||||||||
![]() | SST6839T116 | 0,0973 | ![]() | 1778 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SST6839 | 200 mW | SST3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 mA | 500nA (ICBO) | PNP | 500mV a 10mA, 100mA | 100 a 1 mA, 5 V | 140 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTB123TKT146 | 0,4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 mW | SMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 500 mA | 500nA (ICBO) | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 100 a 50 mA, 5 V | 200 MHz | 2,2 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | 2SA2092TLQ | 0,1137 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-96 | 2SA2092 | 500 mW | TSMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2SA2092MGTLQ | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 1A | 1μA (ICBO) | PNP | 500mV a 50mA, 500mA | 120 a 100 mA, 2 V | 300 MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SAR522MT2L | 0,3500 | ![]() | 539 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-723 | 2SAR522 | 150 mW | VMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 20 V | 200 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 300 mV a 10 mA, 100 mA | 120 a 1 mA, 2 V | 350 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SD1664T100Q | 0,1694 | ![]() | 6906 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SD1664 | 2 W | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 32 V | 1A | 500nA (ICBO) | NPN | 400mV a 50mA, 500mA | 120 a 100 mA, 3 V | 150 MHz | |||||||||||||||||
![]() | QSX6TR | 0,2415 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | QSX6 | 1,25 W | TSMT6 (SC-95) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 1,5 A | 100nA (ICBO) | NPN | 350 mV a 50 mA, 1 A | 270 a 100 mA, 2 V | 300 MHz | |||||||||||||||||
![]() | RDN050N20FU6 | - | ![]() | 4676 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | RDN050 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FN | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | CanaleN | 200 V | 5A (Ta) | 10 V | 720 mOhm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 18,6 nC a 10 V | ±30 V | 292 pF a 10 V | - | 30 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | DTC114EU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 301 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 mW | UMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 5 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||
![]() | R6504ENJTL | 2.3800 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | R6504 | MOSFET (ossido di metallo) | LPTS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 4A(Tc) | 10 V | 1,05 Ohm a 1,5 A, 10 V | 4 V a 130 µA | 15 nC a 10 V | ±20 V | 220 pF a 25 V | - | 58 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | DTD123ECT116 | 0,3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 mW | SST3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 39 a 50 mA, 5 V | 200 MHz | 2,2 kOhm | 2,2 kOhm | ||||||||||||||||
![]() | QSZ3TR | - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | QSZ3 | 500 mW | TSMT5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12V | 3A | 100nA (ICBO) | NPN, PNP (emettitore accoppiato) | 250 mV a 30 mA, 1,5 A | 270 a 500 mA, 2 V | 280 MHz | |||||||||||||||||
![]() | RW1C025ZPT2CR | 0,4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-SMD, conduttori piatti | RW1C025 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-WEMT | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | Canale P | 20 V | 2,5A(Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 65 mOhm a 2,5 A, 4,5 V | 1 V@1 mA | 21 nC a 4,5 V | ±10 V | 1300 pF a 10 V | - | 700mW (Ta) | |||||||||||||
![]() | SH8ME5TB1 | 1.9500 | ![]() | 4706 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SH8ME5 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W (Ta) | 8-SOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | 100 V | 4,5A(Ta) | 58 mOhm a 4,5 A, 10 V, 91 mOhm a 4,5 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 6,7 nC a 10 V, 52 nC a 10 V | 305 pF a 50 V, 2100 pF a 50 V | Standard | ||||||||||||||||
| RSS100N03HZGTB | 1.5800 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | RSS100 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 10A (Ta) | 4 V, 10 V | 13,3 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 20 nC a 5 V | ±20 V | 1070 pF a 10 V | - | 2 W (Ta) | ||||||||||||||
![]() | R8002ANJFRGTL | 2.7200 | ![]() | 7191 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | R8002 | MOSFET (ossido di metallo) | LPTS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 800 V | 2A(Tc) | 10 V | 4,3 Ohm a 1 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 13 nC a 10 V | ±30 V | 250 pF a 25 V | - | 62 W (Tc) | |||||||||||||
![]() | 2SCR514PFRAT100 | 0,4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2SCR514 | 500 mW | MPT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 V | 700mA | 1μA (ICBO) | NPN | 300mV a 15mA, 300mA | 120 a 100 mA, 3 V | 320 MHz | |||||||||||||||||
![]() | RUM002N05T2L | 0,4200 | ![]() | 938 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-723 | RUM002 | MOSFET (ossido di metallo) | VMT3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | CanaleN | 50 V | 200mA (Ta) | 1,2 V, 4,5 V | 2,2 Ohm a 200 mA, 4,5 V | 1 V@1 mA | ±8 V | 25 pF a 10 V | - | 150mW (Ta) |

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