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Transistor(35)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima)
ICE15N73 IceMOS Technology ICE15N73 -
Richiesta di offerta
 ECAD 6209 0.00000000 Tecnologia IceMOS - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento 5133-ICE15N73 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 730 V 15A (Tc) 10 V 350 mOhm a 7,5 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±20 V 2816 pF a 100 V - 208 W(Tc)
ICE15N73W IceMOS Technology ICE15N73W 3.7300
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 ECAD 300 0.00000000 Tecnologia IceMOS - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento 5133-ICE15N73W EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 730 V 15A (Tc) 10 V 350 mOhm a 7,5 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±20 V 2816 pF a 100 V - 208 W(Tc)
ICE35N60W IceMOS Technology ICE35N60W 7.8400
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 ECAD 1 0.00000000 Tecnologia IceMOS - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento 5133-ICE35N60W EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 35A (Tc) 10 V 68 mOhm a 18 A, 10 V 3,9 V a 250 µA 189 nC a 10 V ±20 V 6090 pF a 25 V - 231 W(Tc)
ICE60N330FP IceMOS Technology ICE60N330FP -
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 ECAD 9157 0.00000000 Tecnologia IceMOS - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento 5133-ICE60N330FP EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 600 V 12A (Tc) 10 V 330 mOhm a 5 A, 10 V 3,9 V a 250 µA 43 nC a 10 V ±20 V 1250 pF a 25 V - 35 W (Tc)
ICE20N60EFP IceMOS Technology ICE20N60EFP 2.4800
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 ECAD 900 0.00000000 Tecnologia IceMOS - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento 5133-ICE20N60EFP EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 20A (Tc) 10 V 190 mOhm a 10 A, 10 V 3,9 V a 250 µA 59 nC a 10 V ±20 V 2064 pF a 25 V - 35 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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