Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(35)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
ICE20N170	-	Richiesta di offerta	3993	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE20N170	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	199 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	236 W(Tc)
ICE10N60	1.7700	Richiesta di offerta	500	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE10N60	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	10A (Tc)	10 V	330 mOhm a 5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1250 pF a 25 V	-	95 W (Tc)
ICE10N65	-	Richiesta di offerta	2882	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE10N65	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	650 V	9,5 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 4,75 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	1277 pF a 25 V	-	95 W (Tc)
ICE11N70	-	Richiesta di offerta	3600	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE11N70	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	700 V	11A(Tc)	10 V	25 mOhm a 5,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	85 nC a 10 V	±20 V	2750 pF a 25 V	-	108 W(Tc)
ICE10N60FP	1.7300	Richiesta di offerta	500	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	Pacchetto completo TO-220	scaricamento	5133-ICE10N60FP	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	10A (Tc)	10 V	330 mOhm a 5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	1250 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
ICE47N60W	7.8400	Richiesta di offerta	2	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-247	scaricamento	5133-ICE47N60W	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	600 V	47A(Tc)	10 V	68 mOhm a 24 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	189 nC a 10 V	±20 V	5718 pF a 25 V	-	431W(Tc)
ICE30N60W	-	Richiesta di offerta	2563	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-247	scaricamento	5133-ICE30N60W	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	30A (Tc)	10 V	68 mOhm a 15 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	189 nC a 10 V	±20 V	6090 pF a 25 V	-	171 W(Tc)
ICE20N60B	2.4600	Richiesta di offerta	5	Tecnologia IceMOS	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, variante D²Pak (2 conduttori + linguatta).	MOSFET (ossido di metallo)	TO-263	scaricamento	5133-ICE20N60BTR	EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	236 W(Tc)
ICE20N60FP	2.4700	Richiesta di offerta	14	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE20N60FP	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
ICE60N130	3.2000	Richiesta di offerta	150	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE60N130	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	25A (Tc)	10 V	150 mOhm a 13 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2730 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
ICE15N60W	-	Richiesta di offerta	4099	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-247	scaricamento	5133-ICE15N60W	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	15A (Tc)	10 V	250 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	156 W(Tc)
ICE20N60W	2.9900	Richiesta di offerta	990	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-247	scaricamento	5133-ICE20N60W	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	236 W(Tc)
ICE22N60	-	Richiesta di offerta	8577	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE22N60	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	22A(Tc)	10 V	160 mOhm a 11 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2730 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
ICE60N330	-	Richiesta di offerta	5415	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE60N330	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	12A (Tc)	10 V	330 mOhm a 5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1250 pF a 25 V	-	95 W (Tc)
ICE60N130FP	3.1700	Richiesta di offerta	500	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE60N130FP	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	25A (Tc)	10 V	150 mOhm a 13 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2730 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
ICE20N170B	-	Richiesta di offerta	6280	Tecnologia IceMOS	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, variante D²Pak (2 conduttori + linguatta).	MOSFET (ossido di metallo)	TO-263	scaricamento	5133-ICE20N170BTR	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	199 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	236 W(Tc)
ICE10N60B	-	Richiesta di offerta	6400	Tecnologia IceMOS	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, variante D²Pak (2 conduttori + linguatta).	MOSFET (ossido di metallo)	TO-263	scaricamento	5133-ICE10N60BTR	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	10A (Tc)	10 V	330 mOhm a 5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1250 pF a 25 V	-	95 W (Tc)
ICE11N70FP	-	Richiesta di offerta	8583	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE11N70FP	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	700 V	11A(Tc)	10 V	270 mOhm a 5,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	81 nC a 10 V	±20 V	2816 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
ICE15N60FP	2.4700	Richiesta di offerta	1	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE15N60FP	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	15A (Tc)	10 V	250 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
ICE10N73FP	-	Richiesta di offerta	8437	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	Pacchetto completo TO-220	scaricamento	5133-ICE10N73FP	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	730 V	10A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	81 nC a 10 V	±20 V	2624 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
ICE60N130W	-	Richiesta di offerta	4150	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-247	scaricamento	5133-ICE60N130W	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	25A (Tc)	10 V	150 mOhm a 13 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2730 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
ICE20N170FP	-	Richiesta di offerta	5830	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE20N170FP	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	199 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
ICE22N60B	-	Richiesta di offerta	4472	Tecnologia IceMOS	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, variante D²Pak (2 conduttori + linguatta).	MOSFET (ossido di metallo)	TO-263	scaricamento	5133-ICE22N60BTR	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	22A(Tc)	10 V	160 mOhm a 11 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2730 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
ICE19N60L	-	Richiesta di offerta	2962	Tecnologia IceMOS	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerTSFN	MOSFET (ossido di metallo)	4-DFN (8x8)	scaricamento	5133-ICE19N60LTR	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	19A(Tc)	10 V	220 mOhm a 9,5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	236 W(Tc)
ICE15N60	-	Richiesta di offerta	1866	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE15N60	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	15A (Tc)	10 V	250 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	156 W(Tc)
ICE20N60	2.5100	Richiesta di offerta	16	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE20N60	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	236 W(Tc)
ICE15N73FP	3.3900	Richiesta di offerta	150	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE15N73FP	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	730 V	15A (Tc)	10 V	350 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	2816 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
ICE10N73	-	Richiesta di offerta	2437	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220	scaricamento	5133-ICE10N73	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	730 V	10A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	81 nC a 10 V	±20 V	2624 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
ICE22N60W	-	Richiesta di offerta	1286	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-247	scaricamento	5133-ICE22N60W	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	600 V	22A(Tc)	10 V	160 mOhm a 11 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	2730 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
ICE20N60EFP	2.4800	Richiesta di offerta	900	Tecnologia IceMOS	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	MOSFET (ossido di metallo)	TO-220FP	scaricamento	5133-ICE20N60EFP	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	59 nC a 10 V	±20 V	2064 pF a 25 V	-	35 W (Tc)

2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq²
Magazzino in stock

Transistor(35)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 mq2

15.000 mq²