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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
MMDF3N02HDR2G	-	Richiesta di offerta	1821	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MMDF3		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		20 V	3,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	90 mOhm a 3 A, 10 V	2 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	630 pF a 16 V	-	2 W (Ta)
NSBA123JDXV6T5	0,0500	Richiesta di offerta	943	onsemi	-	Massa	Obsoleto				NSBA12					scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	8.000
KSA1182OMTF	-	Richiesta di offerta	1039	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KSA1182			150 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														30 V	500 mA					100nA (ICBO)	PNP	250mV a 10mA, 100mA	70 a 100 mA, 1 V	200 MHz
FQPF6P25	-	Richiesta di offerta	7271	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FQPF6		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	Canale P		250 V	4,2 A(Tc)	10 V	1,1 Ohm a 2,1 A, 10 V	5 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±30 V	780 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
FDMA420NZ	0,8100	Richiesta di offerta	4	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	FDMA420		MOSFET (ossido di metallo)		6-MicroFET (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		20 V	5,7A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	30 mOhm a 5,7 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±12V	935 pF a 10 V	-	2,4 W(Ta)
PCF6294W	-	Richiesta di offerta	6729	onsemi	-	Massa	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-PCF6294W	OBSOLETO		1				13A (Tj)
KSB798GTF	-	Richiesta di offerta	7058	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	KSB79			2 W	SOT-89-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000														25 V	1A					100nA (ICBO)	PNP	400 mV a 100 mA, 1 A	200 a 100 mA, 1 V	110 MHz
FDD6780A	-	Richiesta di offerta	9943	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FDD678		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		25 V	16,4 A (Ta), 30 A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,6 mOhm a 16,4 A, 10 V	3 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1235 pF a 13 V	-	3,7 W (Ta), 32,6 W (Tc)
FQP70N10	-	Richiesta di offerta	1578	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	FQP70		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		100 V	57A(Tc)	10 V	23 mOhm a 28,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±25 V	3300 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
2SK2617ALS-CB11	1.3500	Richiesta di offerta	5	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
NGTD30T120F2SWK	-	Richiesta di offerta	9465	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	NGTD30	Standard			Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		-											Sosta sul campo di trincea	1200 V		200A	2,4 V a 15 V, 40 A	-	-
NVMFS5844NLT3G	-	Richiesta di offerta	3327	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5844		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	CanaleN		60 V	11,2A (Ta)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 10 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1460 pF a 25 V	-	3,7 W (Ta), 107 W (Tc)
2N4125RLRA	0,0200	Richiesta di offerta	9160	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000
FDMC86260	2.6100	Richiesta di offerta	5	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	FDMC86260		MOSFET (ossido di metallo)		Potenza33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		150 V	5,4 A (Ta), 16 A (Tc)	6 V, 10 V	34 mOhm a 5,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	1330 pF a 75 V	-	2,3 W (Ta), 54 W (Tc)
MTD20P06HDL	-	Richiesta di offerta	4146	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1
NTMFS5C442NLTT1G	1.7066	Richiesta di offerta	8415	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NTMFS5		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN		40 V	28A (Ta), 130A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±20 V	3100 pF a 25 V	-	3,7 W (Ta), 83 W (Tc)
FJZ945OTF	-	Richiesta di offerta	5489	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-623F	FJZ945			100 mW	SOT-623F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														50 V	150 mA					100nA (ICBO)	NPN	300 mV a 10 mA, 100 mA	70 a 1 mA, 6 V	300 MHz
MUN2231T1	-	Richiesta di offerta	3623	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MUN2231			338 mW	SC-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000														50 V	100 mA					500nA	NPN - Prepolarizzato	250 mV a 5 mA, 10 mA	8-5 mA, 10 V		2,2 kOhm	2,2 kOhm
CPH3341-TL-E	0,2500	Richiesta di offerta	53	onsemi	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96			MOSFET (ossido di metallo)		3-CPH	scaricamento	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P		30 V	5A (Ta)		45 mOhm a 2,5 A, 10 V	-	21,8 nC a 10 V		1115 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta)
FFDPF3N50NZ	1.3800	Richiesta di offerta	976	onsemi	UniFET-II™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FDPF3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		500 V	3A (Tc)	10 V	2,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	9 nC a 10 V	±25 V	280 pF a 25 V	-	27 W (Tc)
MGSF3454XT1	0,2900	Richiesta di offerta	25	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PCP1203-TD-H	-	Richiesta di offerta	5140	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	PCP1203			1,3 W	PCP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000														30 V	1,5 A					100nA (ICBO)	NPN	225mV a 15mA, 750mA	200 a 100 mA, 2 V	500 MHz
2SK1470-TD-E	0,3100	Richiesta di offerta	10	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
MCH6305-H-TL-E	0,1500	Richiesta di offerta	279	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
NJVTIP50G	0,3200	Richiesta di offerta	15	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8542.39.0001	1
KSC2310YBU	-	Richiesta di offerta	2533	onsemi	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	KSC2310			800 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	500														150 V	50 mA					100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	120 a 10 mA, 5 V	100 MHz
NTGS3441BT1G	-	Richiesta di offerta	2707	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	NTGS34		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canale P		20 V	2,2A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	90 mOhm a 3 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	9 nC a 4,5 V	±8 V	630 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
BD537KTU	-	Richiesta di offerta	7301	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BD537			50 W	TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000														80 V	8A					100μA	NPN	800 mV a 200 mA, 2 A	40 a 2A, 2V	12 MHz
FQPF19N10L	-	Richiesta di offerta	5958	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FQPF1		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		100 V	13,6 A(Tc)	5 V, 10 V	100 mOhm a 6,8 A, 10 V	2 V a 250 µA	18 nC a 5 V	±20 V	870 pF a 25 V	-	38 W (Tc)
TM00143	-	Richiesta di offerta	3607	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1