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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Assorbimento di corrente (Id) -Max
FQA13N50CF_F109	-	Richiesta di offerta	2080	onsemi	FRFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	FQA1		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PN	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450		CanaleN			500 V	15A (Tc)	10 V	480 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±30 V	2055 pF a 25 V	-	218 W(Tc)
NTTFS010N10MCLTAG	1.7200	Richiesta di offerta	2611	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	NTTFS010		MOSFET (ossido di metallo)		8-WDFN (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN			100 V	10,7 A (Ta), 50 A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,6 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 85 µA	30 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 50 V		2,3 W (Ta), 52 W (Tc)
CPH5905G-TL-E	-	Richiesta di offerta	9918	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	50 V NPN, 15 V canale N		Scopo generale	Montaggio superficiale	SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5	CPH5905				5-CPH	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000			150 mA NPN, 50 mA canale N																										NPN, canale N
NTH027N65S3F-F155	23.0900	Richiesta di offerta	419	onsemi	FRFET®, SuperFET® II	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	NTH027		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			650 V	75A (Tc)	10 V	27,4 mOhm a 35 A, 10 V	5 V a 7,5 mA	259 nC a 10 V	±30 V	7690 pF a 400 V	-	595 W(Tc)
MJE200	-	Richiesta di offerta	2648	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-		Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	MJE200			15 W	TO-126	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500																	40 V	5A									-		NPN	1,8 V a 1 A, 5 A	45 @ 2A, 1V	65 MHz
NTB45N06	1.0000	Richiesta di offerta	5176	onsemi	-	Tubo	Obsoleto						NTB45					scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50
NVMFWS021N10MCLT1G	0,4169	Richiesta di offerta	2968	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerTDFN, 5 conduttori			MOSFET (ossido di metallo)		5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVMFWS021N10MCLT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN			100 V	8,4 A (Ta), 31 A (Tc)	4,5 V, 10 V	23 mOhm a 7 A, 10 V	3 V a 42 µA	13 nC a 10 V	±20 V	850 pF a 50 V	-	3,6 W (Ta), 49 W (Tc)
2SK715U-AC	-	Richiesta di offerta	7564	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		125°C (TJ)		Foro passante	SC-72	2SK715			300 mW	3-SPA	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.500		CanaleN			15 V							10 pF a 5 V													7,3 mA a 5 V	600 mV a 100 µA							50 mA
NTMT190N65S3HF	6.6500	Richiesta di offerta	3892	onsemi	SuperFET® III, FRFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	4-PowerTSFN			MOSFET (ossido di metallo)		4-PQFN (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NTMT190N65S3HFTR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			650 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 430 µA	34 nC a 10 V	±30 V	1610 pF a 400 V	-	162 W(Tc)
2SK715W	-	Richiesta di offerta	4405	onsemi	-	Massa	Obsoleto		125°C (TJ)		Foro passante	SC-72	2SK715			300 mW	3-SPA	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	500		CanaleN			15 V							10 pF a 5 V													14,5 mA a 5 V	600 mV a 100 µA							50 mA
EMC3DXV5T1G	0,4400	Richiesta di offerta	7	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	50 V		-	Montaggio superficiale	SOT-553	EMC3DXV5				SOT-553	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	4.000			100mA																										1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)
NVH4L022N120M3S	42.4100	Richiesta di offerta	8966	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-247-4			SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	488-NVH4L022N120M3S	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			1200 V	68A(Tc)	18 V	30 mOhm a 40 A, 18 V	4,4 V a 20 mA	151 nC a 18 V	+22 V, -10 V	3175 pF a 800 V	-	352 W(Tc)
2SJ670-TD-E	0,2600	Richiesta di offerta	974	onsemi	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
NVH4L060N065SC1	14.6100	Richiesta di offerta	450	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-247-4	NVH4L060		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVH4L060N065SC1	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			650 V	47A(Tc)	15 V, 18 V	70 mOhm a 20 A, 18 V	4,3 V a 6,5 mA	74 nC a 18 V		1473 pF a 325 V	-	176 W(Tc)
2SK3819-DL-E	0,9600	Richiesta di offerta	36	onsemi	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
FDD8880-SN00319	0,4100	Richiesta di offerta	89	onsemi	*	Massa	Attivo											scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-FDD8880-SN00319-488			1
NVTFS6H850NLWFTAG	0,6988	Richiesta di offerta	7125	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	NVTFS6		MOSFET (ossido di metallo)		8-WDFN (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN			80 V	11A (Ta), 68A (Tc)	10 V	9,5 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 70 µA	19 nC a 10 V	±20 V	1140 pF a 40 V	-	3,2 W (Ta), 107 W (Tc)
NTMFD1D4N02P1E	2.5300	Richiesta di offerta	2	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	NTMFD1		MOSFET (ossido di metallo)	960 mW (Ta), 1 W (Ta)	8-PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio) asimmetrico				25 V	13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)		3,3 mOhm a 20 A, 10 V, 1,1 mOhm a 37 A, 10 V	2 V a 250 µA, 2 V a 800 µA	7,2 nC a 4,5 V, 21,5 nC a 4,5 V		1180pF a 13V, 3603pF a 13V	-
NSS35200CF8TIG	1.0000	Richiesta di offerta	6223	onsemi	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto				635 mW	ChipFET™	-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1																	35 V	2A									100 nA		PNP	300 mV a 20 mA, 2 A	100 a 1,5 A, 2 V	100 MHz
FGA40T65UQDF	-	Richiesta di offerta	6336	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	FGA40T65	Standard		231 W	TO-3PN	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450				400 V, 40 A, 6 Ohm, 15 V											89 nn	TNP	650 V	80A	120A	1,67 V a 15 V, 40 A	989μJ (acceso), 310μJ (spento)	306 nC	32ns/271ns
FTD2015-TL-E	0,5400	Richiesta di offerta	57	onsemi	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
NTLUS4930NTBG	-	Richiesta di offerta	5099	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	NTLUS4930		MOSFET (ossido di metallo)		6-UDFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			30 V	3,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	28,5 mOhm a 6,1 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	8,7 nC a 10 V	±20 V	476 pF a 15 V	-	650 mW(Ta)
MTP75N06HD	1.0700	Richiesta di offerta	9803	onsemi	*	Massa	Attivo											-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	2156-MTP75N06HD	EAR99	8541.29.0095	1
VEC2402-TL-E	0,2800	Richiesta di offerta	102	onsemi	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
NTA7002NT1G	0,3600	Richiesta di offerta	113	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	NTA7002		MOSFET (ossido di metallo)		SC-75, SOT-416	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			30 V	154mA(Tj)	2,5 V, 4,5 V	7 Ohm a 154 mA, 4,5 V	1,5 V a 100 µA		±10 V	20 pF a 5 V	-	300 mW(Tj)
PN4092_J18Z	-	Richiesta di offerta	2619	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	PN409			625 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		CanaleN										16 pF a 20 V												40 V	15 mA a 20 V	2 V a 1 nA		50 Ohm
J202_D26Z	-	Richiesta di offerta	8654	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	J202			625 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		CanaleN										-												40 V	900 µA a 20 V	800 mV a 10 nA
FQPF3N90_NL	-	Richiesta di offerta	8863	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FQPF3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			900 V	2,1 A(Tc)	10 V	4,25 Ohm a 1,05 A, 10 V	5 V a 250 µA	26 nC a 10 V	±30 V	910 pF a 25 V	-	43 W (Tc)
MTA15N06	0,5200	Richiesta di offerta	33	onsemi	*	Massa	Attivo											scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
NTD3817N-35G	-	Richiesta di offerta	1011	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	NTD38		MOSFET (ossido di metallo)		I-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN			16 V	7,6 A(Ta), 34,5 A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,9 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10,5 nC a 4,5 V	±16V	702 pF a 12 V	-	1,2 W (Ta), 25,9 W (Tc)