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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTP75N06L | - | ![]() | 2124 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | NTP75N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | NTP75N06LOS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 75A (Ta) | 5 V | 11 mOhm a 37,5 A, 5 V | 2 V a 250 µA | 92 nC a 5 V | ±20 V | 4370 pF a 25 V | - | 2,4 W (Ta), 214 W (Tj) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD12N20LTM-F085 | - | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | Automotive, AEC-Q101, QFET® | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | FQD12N20 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252AA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 200 V | 9A (Tc) | 5 V, 10 V | 280 mOhm a 4,5 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 21 nC a 5 V | ±20 V | 1080 pF a 25 V | - | 2,5 W (Ta), 55 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6572A | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FDS65 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 20 V | 16A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 6 mOhm a 16 A, 4,5 V | 1,5 V a 250 µA | 80 nC a 4,5 V | ±12V | 5914 pF a 10 V | - | 2,5 W(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4936NCT1G | - | ![]() | 2372 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | NTMFS4936 | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 30 V | 11,6 A (Ta), 79 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,8 mOhm a 30 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 43 nC a 10 V | ±20 V | 3044 pF a 15 V | - | 920 mW (Ta), 43 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH4015-TL-H | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-343F | MCH4015 | 450 mW | 4-MCPH | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 17dB | 12V | 100mA | NPN | 60 a 50 mA, 5 V | 10GHz | 1,2 dB a 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN200 | - | ![]() | 3352 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN200 | 625 mW | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 50nA | PNP | 400mV a 20mA, 200mA | 100 a 150 mA, 1 V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC81816MTF | - | ![]() | 5025 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC818 | 310 mW | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 V | 800 mA | 100 nA | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 110 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVMUN5116T1G-M02 | 0,0400 | ![]() | 102 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | NSVMUN5116 | 202 mW | SC-70-3 (SOT323) | - | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-NSVMUN5116T1G-M02 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-polarizzato | 250 mV a 1 mA, 10 mA | 160 a 5 mA, 10 V | 4,7 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH17G | - | ![]() | 3321 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | MPSH17 | 350 mW | TO-92 (TO-226) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MPSH17GOS | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 24dB | 15 V | - | NPN | 25 a 5 mA, 10 V | 800 MHz | 6 dB a 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2334RTU | - | ![]() | 2926 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | KSC2334 | 1,5 W | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 100 V | 7A | 10μA (ICBO) | NPN | 600 mV a 500 mA, 5 A | 40 a 3 A, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDA59N30 | 4.0900 | ![]() | 2135 | 0.00000000 | onsemi | UniFET™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | FDA59 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PN | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 300 V | 59A(Tc) | 10 V | 56 mOhm a 29,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 100 nC a 10 V | ±30 V | 4670 pF a 25 V | - | 500 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB30N6S2 | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | FGB3 | Standard | 167 W | D²PAK (TO-263) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V | - | 600 V | 45A | 108A | 2,5 V a 15 V, 12 A | 55μJ (acceso), 100μJ (spento) | 23 nC | 6ns/40ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP40N60UFTU | - | ![]() | 4223 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | SGP40 | Standard | 160 W | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V | - | 600 V | 40A | 160A | 2,6 V a 15 V, 20 A | 160μJ (acceso), 200μJ (spento) | 97 nC | 15ns/65ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| NTMSD2P102LR2 | - | ![]() | 7044 | 0.00000000 | onsemi | FETKY™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | NTMSD2 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canale P | 20 V | 2,3A(Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 90 mOhm a 2,4 A, 4,5 V | 1,5 V a 250 µA | 18 nC a 4,5 V | ±10 V | 750 pF a 16 V | Diodo Schottky (isolato) | 710 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD128T4 | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MJD12 | 1,75 W | DPAK | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 120 V | 8A | 5mA | PNP-Darlington | 4 V a 80 mA, 8 A | 1000 a 4 A, 4 V | 4 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJNS3209RTA | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e scatola (TB) | Obsoleto | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo corto | FJNS32 | 300 mW | TO-92S | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 100 mA | 100nA (ICBO) | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 1 mA, 10 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4895C | - | ![]() | 7243 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FDS48 | MOSFET (ossido di metallo) | 900 mW | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canali N e P | 40 V | 5,5 A, 4,4 A | 39 mOhm a 5,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 10nC a 10V | 410 pF a 20 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC654P | 0,5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | FDC654 | MOSFET (ossido di metallo) | SuperSOT™-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 3,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 75 mOhm a 3,6 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 9 nC a 10 V | ±20 V | 298 pF a 15 V | - | 1,6 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NIF9N05CLT1G | - | ![]() | 6880 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | NIF9N05 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-223 (TO-261) | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 59 V | 2,6A(Ta) | 3 V, 10 V | 125 mOhm a 2,6 A, 10 V | 2,5 V a 100 µA | 7 nC a 4,5 V | ±15 V | 250 pF a 35 V | - | 1,69 W(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC144EPDP6T5G | 0,1054 | ![]() | 4419 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-963 | NSBC144 | 339 mW | SOT-963 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 250 mV a 300 µA, 10 mA | 80 a 5 mA, 10 V | - | 47kOhm | 47kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NVATS5A107PLZT4G | - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | NVATS5 | MOSFET (ossido di metallo) | ATPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 40 V | 55A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 17 mOhm a 25 A, 10 V | 2,6 V a 1 mA | 47 nC a 10 V | ±20 V | 2400 pF a 20 V | - | 60 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH3457-TL-H | - | ![]() | 1125 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | CPH345 | MOSFET (ossido di metallo) | 3-CPH | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 95 mOhm a 1,5 A, 4,5 V | - | 3,5 nC a 4,5 V | ±12V | 265 pF a 10 V | - | 1 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6B03NLWFT1G | - | ![]() | 5651 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | NVMFS6 | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 145A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 4 mOhm a 20 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 9,4 nC a 10 V | ±16V | 5320 pF a 25 V | - | 3,9 W (Ta), 198 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHD5903T1G | - | ![]() | 3445 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | NTHD59 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,1 W | ChipFET™ | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 20 V | 2.2A | 155 mOhm a 2,2 A, 4,5 V | 600mV a 250μA | 7,4 nC a 4,5 V | - | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD12N10T4G | - | ![]() | 6646 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | NTD12 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 100 V | 12A (Ta) | 10 V | 165 mOhm a 6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 550 pF a 25 V | - | 1,28 W (Ta), 56,6 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G75US60L | - | ![]() | 5144 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 19:00-GA | FMG1 | 310 W | Standard | 19:00-GA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Separare | - | 600 V | 75A | 2,8 V a 15 V, 75 A | 250 µA | NO | 7.056 nF a 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP30N6S2D | - | ![]() | 6596 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | FGP3 | Standard | 167 W | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V | 46 ns | - | 600 V | 45A | 108A | 2,5 V a 15 V, 12 A | 55μJ (acceso), 100μJ (spento) | 23 nC | 6ns/40ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3040D3S | - | ![]() | 1877 | 0.00000000 | onsemi | EcoSPARK® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | ISL9 | Logica | 150 W | TO-252AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 300 V, 1 kOhm, 5 V | - | 430 V | 21A | 1,6 V a 4 V, 6 A | - | 17 nC | -/4,8 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGTB40N120FL3WG | 8.2400 | ![]() | 4010 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | NGTB40 | Standard | 454 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | NGTB40N120FL3WGOS | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V | 136 ns | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 160A | 160A | 2,3 V a 15 V, 40 A | 1,6 mJ (acceso), 1,1 mJ (spento) | 212 nC | 18ns/145ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NGTB40N65IHRTG | 2.8900 | ![]() | 80 | 0.00000000 | onsemi | * | Tubo | Attivo | NGTB40 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 |

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