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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
FDS8878 onsemi FDS8878 0,7000
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 ECAD 60 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FDS88 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 10,2A(Ta) 4,5 V, 10 V 14 mOhm a 10,2 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 26 nC a 10 V ±20 V 897 pF a 15 V - 2,5 W(Ta)
FJE5304D onsemi FJE5304D 0,4087
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 ECAD 5814 0.00000000 onsemi - Massa Attivo - Foro passante TO-225AA, TO-126-3 FJE5304 30 W TO-126-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2832-FJE5304D EAR99 8541.29.0095 2.000 400 V 4A 100μA NPN 1,5 V a 500 mA, 2,5 A 8 a 2 A, 5 V -
BC212L_D75Z onsemi BC212L_D75Z -
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 ECAD 5212 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC212 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 50 V 300 mA 15nA (ICBO) PNP 600mV a 5mA, 100mA 60 a 2 mA, 5 V 200 MHz
SMMUN2116LT1G onsemi SMMUN2116LT1G 0,0505
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 ECAD 9486 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMUN2116 246 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 250 mV a 1 mA, 10 mA 160 a 5 mA, 10 V 4,7 kOhm
BD438 onsemi BD438 -
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 ECAD 8975 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD438 36 W TO-126 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 45 V 4A 100μA (ICBO) PNP 700 mV a 300 mA, 3 A 85 a 500 mA, 1 V 3 MHz
2N3903_S00Z onsemi 2N3903_S00Z -
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 ECAD 4241 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3903 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 40 V 200 mA 50nA NPN 300 mV a 5 mA, 50 mA 50 a 10 mA, 1 V -
BUB323ZT4 onsemi BUB323ZT4 -
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 ECAD 8218 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB BUB323 150 W D²PAK scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato BUB323ZT4OS EAR99 8541.29.0095 800 350 V 10A 100μA NPN-Darlington 1,7 V a 250 mA, 10 A 500 a 5 A, 4,6 V 2 MHz
KSH29CITU onsemi KSH29CITU -
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 ECAD 3843 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA KSH29 1,56 W I-PAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.040 100 V 1A 50 µA NPN 700 mV a 125 mA, 1 A 15 a 1 A, 4 V 3 MHz
FJP13009H2 onsemi FJP13009H2 -
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 ECAD 5787 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 FJP13009 100 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 200 400 V 12A - NPN 3 V a 3 A, 12 A 15 a 5 A, 5 V 4 MHz
FDS4072N7 onsemi FDS4072N7 -
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 ECAD 9567 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Platorello esposto 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm). FDS40 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOFLMP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 12,4A(Ta) 4,5 V, 10 V 9 mOhm a 13,7 A, 10 V 3 V a 250 µA 46 nC a 4,5 V ±12V 4299 pF a 20 V - 3 W (Ta)
MPS651RLRMG onsemi MPS651RLRMG -
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 ECAD 5937 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) MPS651 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 60 V 2A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 200 mA, 2 A 75 a 1 A, 2 V 75 MHz
BCP68T1 onsemi BCP68T1 -
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 ECAD 4375 0.00000000 onsemi * Nastro tagliato (CT) Obsoleto BCP68 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000
NTTFS4943NTWG onsemi NTTFS4943NTWG -
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 ECAD 3738 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NTTFS4 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 8A (Ta), 41A (Tc) 4,5 V, 10 V 7,2 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 20,4 nC a 10 V ±20 V 1386 pF a 15 V - 840 mW (Ta), 22,3 W (Tc)
BC214LC onsemi BC214LC -
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 ECAD 3318 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC214 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 500 mA 15nA (ICBO) PNP 600mV a 5mA, 100mA 140 a 2 mA, 5 V 200 MHz
MMBT5550LT1G onsemi MMBT5550LT1G 0,1800
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 ECAD 155 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5550 225 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 140 V 600 mA 100 nA NPN 250 mV a 5 mA, 50 mA 60 a 10 mA, 5 V -
SMMBT2907ALT1G onsemi SMMBT2907ALT1G 0,2800
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 ECAD 485 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT2907 300 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 10nA (ICBO) PNP 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 200 MHz
KSA642CYTA onsemi KSA642CYTA -
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 ECAD 9854 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead KSA642 400 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 25 V 300 mA 100nA (ICBO) PNP 600mV a 30mA, 300mA 120 a 50 mA, 1 V -
BC558TF onsemi BC558TF -
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 ECAD 8733 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC558 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 110 a 2 mA, 5 V 150 MHz
FGA50N100BNTD2 onsemi FGA50N100BNTD2 -
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 ECAD 3023 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 FGA50N100 Standard 156 W TO-3P scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 600 V, 60 A, 10 Ohm, 15 V 75 ns TNP e trincea 1000 V 50A 200A 2,9 V a 15 V, 60 A - 257 nC 34ns/243ns
2N3417 onsemi 2N3417 -
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 ECAD 4113 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N341 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 50 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 300 mV a 3 mA, 50 mA 180 a 2 mA, 4,5 V -
NSVMUN5333DW1T1G onsemi NSVMUN5333DW1T1G 0,4100
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5333 250 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 1 mA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V - 4,7 kOhm 47kOhm
MPSA29-D26Z onsemi MPSA29-D26Z 0,4500
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 ECAD 37 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead MPSA29 625 mW TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 100 V 800 mA 500nA NPN-Darlington 1,5 V a 100 µA, 100 mA 10000 a 100 mA, 5 V 125 MHz
CPH3323-TL-E onsemi CPH3323-TL-E 0,0900
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 ECAD 173 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1
BC182_D26Z onsemi BC182_D26Z -
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 ECAD 9894 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC182 350 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 50 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV a 5mA, 100mA 120 a 2 mA, 5 V 150 MHz
BC237BTAR onsemi BC237BTAR -
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 ECAD 5500 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC237 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 180 a 2 mA, 5 V 250 MHz
HUF75333S3 onsemi HUF75333S3 -
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 ECAD 7350 0.00000000 onsemi UltraFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA HUF75 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK (TO-262) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 400 CanaleN 55 V 66A(Tc) 10 V 16 mOhm a 66 A, 10 V 4 V a 250 µA 85 nC a 20 V ±20 V 1300 pF a 25 V - 150 W(Tc)
2SC4211-6-TL-E onsemi 2SC4211-6-TL-E -
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 ECAD 4022 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 2SC4211 MCP - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 - - - - -
BD244C onsemi BD244C -
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 ECAD 7936 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BD244 65 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 200 100 V 6A 700μA PNP 1,5 V a 1 A, 6 A 15 a 3 A, 4 V -
2N4403RLG onsemi 2N4403RLG -
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 ECAD 7923 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) 2N4403 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 40 V 600 mA - PNP 750mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 2 V 200 MHz
KSA642OTA onsemi KSA642OTA -
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 ECAD 2840 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead KSA642 400 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 25 V 300 mA 100nA (ICBO) PNP 600mV a 30mA, 300mA 70 a 50 mA, 1 V -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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