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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
BC237_J35Z onsemi BC237_J35Z -
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 ECAD 1307 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC237 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 120 a 2 mA, 5 V 250 MHz
NTTFS015P03P8ZTAG onsemi NTTFS015P03P8ZTAG 0,7600
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 ECAD 2853 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NTTFS015 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 Canale P 30 V 13,4 A(Ta), 47,6 A(Tc) 4,5 V, 10 V 9,3 mOhm a 12 A, 10 V 3 V a 250 µA 62,3 nC a 10 V ±25 V 2706 pF a 15 V - 2,66 W (Ta), 33,8 W (Tc)
2N4923 onsemi 2N4923 -
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 ECAD 1655 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 2N4923 30 W TO-126 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 2N4923OS EAR99 8541.29.0095 500 80 V 1A 500μA NPN 600 mV a 100 mA, 1 A 30 a 500 mA, 1 V 3 MHz
BU407TU onsemi BU407TU -
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 ECAD 5791 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BU407 60 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 150 V 7A 5mA NPN 1 V a 500 mA, 5 A - 10 MHz
TIP106G onsemi TIP106G -
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 ECAD 7233 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 SUGGERIMENTO106 2 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 80 V 8A 50 µA PNP-Darlington 2,5 V a 80 mA, 8 A 1000 a 3 A, 4 V -
NVB190N65S3 onsemi NVB190N65S3 -
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 ECAD 2894 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB NVB190 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK-3 (TO-263-3) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 650 V 20A (Tc) 10 V 190 mOhm a 10 A, 10 V 5 V a 430 µA 34 nC a 10 V ±30 V 1605 pF a 400 V - 162 W(Tc)
CPH6612-TL-E onsemi CPH6612-TL-E 0,2000
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 ECAD 213 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0095 3.000
SGR20N40LTM onsemi SGR20N40LTM -
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 ECAD 1932 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SGR20 Standard 45 W TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 - Trincea 400 V 150A 8 V a 4,5 V, 150 A - -
NVMFS6B05NLWFT3G onsemi NVMFS6B05NLWFT3G -
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 ECAD 9828 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS6 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 100 V 114A(Tc) 4,5 V, 10 V 5,6 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 6,8 nC a 10 V ±16V 3980 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 165 W (Tc)
FDP8441_F085 onsemi FDP8441_F085 -
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 ECAD 6104 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 FDP84 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 400 CanaleN 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 10 V 2,7 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 280 nC a 10 V ±20 V 15.000 pF a 25 V - 300 W(Tc)
NVMFD5877NLWFT1G onsemi NVMFD5877NLWFT1G -
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 ECAD 4624 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN NVMFD5877 MOSFET (ossido di metallo) 3,2 W Doppia bandiera 8-DFN (5x6) (SO8FL-doppia) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 2 canali N (doppio) 60 V 6A 39 mOhm a 7,5 A, 10 V 3 V a 250 µA 20nC a 10V 540 pF a 25 V Porta a livello logico
MUN2212T1 onsemi MUN2212T1 -
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 ECAD 8841 0.00000000 onsemi - Nastro tagliato (CT) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MUN2212 338 mW SC-59 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 250 mV a 300 µA, 10 mA 60 a 5 mA, 10 V 22 kOhm 22 kOhm
TIP117 onsemi SUGGERIMENTO117 -
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 ECAD 9025 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 SUGGERIMENTO117 2 W TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 100 V 2A 2mA PNP-Darlington 2,5 V a 8 mA, 2 A 1000 a 1 A, 4 V -
FDG328P onsemi FDG328P -
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 ECAD 6976 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG328 MOSFET (ossido di metallo) SC-88 (SC-70-6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 1,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 145 mOhm a 1,5 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 6 nC a 4,5 V ±12V 337 pF a 10 V - 750 mW(Ta)
NVMJD3D0N04CTWG onsemi NVMJD3D0N04CTWG 1.3539
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 ECAD 3920 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo NVMJD3D0 - - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NVMJD3D0N04CTWGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 -
2N5195 onsemi 2N5195 0,2500
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 ECAD 2511 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 2N5195 40 W TO-126 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 80 V 4A 1mA PNP 600 mV a 150 mA, 1,5 A 20 a 1,5 A, 2 V 2 MHz
NVTFWS004N04CTAG onsemi NVTFWS004N04CTAG 0,8223
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 ECAD 4264 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NVTFWS004 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 18A (Ta), 77A (Tc) 10 V 4,9 mOhm a 35 A, 10 V 3,5 V a 50 µA 18 nC a 10 V ±20 V 1150 pF a 25 V - 3,2 W (Ta), 55 W (Tc)
KSD1408OTU onsemi KSD1408OTU -
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 ECAD 9690 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo KSD1408 25 W TO-220F-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4A 30μA (ICBO) NPN 1,5 V a 300 mA, 3 A 70 a 500 mA, 5 V 8 MHz
MTB23P06VT4 onsemi MTB23P06VT4 -
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 ECAD 8051 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MTB23 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato MTB23P06VT4OS EAR99 8541.29.0095 800 Canale P 60 V 23A (Ta) 10 V 120 mOhm a 11,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 50 nC a 10 V ±15 V 1620 pF a 25 V - 3 W (Ta), 90 W (Tc)
DTC114EET1G onsemi DTC114EET1G 0,1700
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTC114 200 mW SC-75, SOT-416 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 250 mV a 300 µA, 10 mA 35 a 5 mA, 10 V 10 kOhm 10 kOhm
BC238TAR onsemi BC238TAR -
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 ECAD 3632 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC238 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 25 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 120 a 2 mA, 5 V 250 MHz
FQB6N40CTM onsemi FQB6N40CTM -
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 ECAD 4812 0.00000000 onsemi QFET® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB FQB6N40 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 400 V 6A (Tc) 10 V 1 Ohm a 3 A, 10 V 4 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±30 V 625 pF a 25 V - 73 W(Tc)
NVMFS5C404NWFAFT3G onsemi NVMFS5C404NWFAFT3G 2.7473
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 ECAD 6299 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 40 V 53A (Ta), 378A (Tc) 10 V 0,7 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 128 nC a 10 V ±20 V 8400 pF a 25 V - 3,9 W (Ta), 200 W (Tc)
FQP33N10 onsemi FQP33N10 1.6000
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 ECAD 2279 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 FQP33 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2156-FQP33N10-OS EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 100 V 33A(Tc) 10 V 52 mOhm a 16,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 51 nC a 10 V ±25 V 1500 pF a 25 V - 127 W(Tc)
TIP107TU onsemi TIP107TU -
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 ECAD 1498 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 SUGGERIMENTO107 2 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato TIP107TU-NDR EAR99 8541.29.0095 1.000 100 V 8A 50 µA PNP-Darlington 2,5 V a 80 mA, 8 A 1000 a 3 A, 4 V -
NGTB50N60FL2WG onsemi NGTB50N60FL2WG -
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 ECAD 5122 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 NGTB50 Standard 417 W TO-247-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V 94 nn Sosta sul campo di trincea 600 V 100A 200A 2 V a 15 V, 50 A 1,5 mJ (acceso), 460 µJ (spento) 220 nC 100ns/237ns
2N5246 onsemi 2N5246 -
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 ECAD 8702 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 30 V Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5246 - JFET TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 CanaleN 7mA - - -
NSS30201MR6T1G onsemi NSS30201MR6T1G 0,6100
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 ECAD 5 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 NSS30201 535 mW 6-TSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 2A 100 nA NPN 75 mV a 1 mA, 100 mA 300 a 500 mA, 5 V 300 MHz
FDD86380-F085 onsemi FDD86380-F085 -
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 ECAD 6686 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FDD86380 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 80 V 50A (Tc) 10 V 13,5 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 1440 pF a 40 V - 75 W(Tj)
NSVBC124EDXV6T1G onsemi NSVBC124EDXV6T1G 0,1154
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 ECAD 8928 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 NSVBC124 500 mW SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 60 a 5 mA, 10 V - 22kOhm 22kOhm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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