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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2) Figura di rumore (dB tipo @ f)
FGPF4533 onsemi FGPF4533 -
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 ECAD 9482 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FGPF4 Standard 28,4 W TO-220F-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 - Trincea 330 V 200A 1,8 V a 15 V, 50 A - 44 nC -
2SC4853A-4-TL-E onsemi 2SC4853A-4-TL-E -
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 ECAD 4914 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 2SC4853 90 mW 3-MCP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 7 dB ~ 10,5 dB a 1 GHz 6V 15 mA NPN 90 a 1 mA, 1 V 5GHz 2,6 dB ~ 1,9 dB a 1 GHz
BF959RL1 onsemi BF959RL1 -
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 ECAD 6210 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) BF959 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 - 20 V 100mA NPN 40 a 20 mA, 10 V 700 MHz 3 dB a 200 MHz
AFGHL40T120RL onsemi AFGHL40T120RL -
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 ECAD 3854 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 AFGHL40 Standard 529 W TO-247-3 - Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 488-AFGHL40T120RL EAR99 8541.29.0095 450 600 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V 195 n Sosta sul campo di trincea 1250 V 48A 160A 2,1 V a 15 V, 40 A 3,4 mJ (acceso), 1,2 mJ (spento) 395 nC 48ns/208ns
MPSH10_D75Z onsemi MPSH10_D75Z -
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 ECAD 4399 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead MPSH10 350 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 - 25 V 50mA NPN 60 a 4 mA, 10 V 650 MHz -
MTD12N06EZL onsemi MTD12N06EZL 0,2000
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1
NVMFS5C442NAFT1G onsemi NVMFS5C442NAFT1G 1.8700
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 ECAD 1712 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 29A (Ta), 140A (Tc) 10 V 2,3 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 32 nC a 10 V ±20 V 2100 pF a 25 V - 3,7 W (Ta), 83 W (Tc)
NTP75N06L onsemi NTP75N06L -
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 ECAD 2124 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 NTP75N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato NTP75N06LOS EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 75A (Ta) 5 V 11 mOhm a 37,5 A, 5 V 2 V a 250 µA 92 nC a 5 V ±20 V 4370 pF a 25 V - 2,4 W (Ta), 214 W (Tj)
FDS2670 onsemi FDS2670 1.9000
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FDS26 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 200 V 3A (Ta) 10 V 130 mOhm a 3 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 43 nC a 10 V ±20 V 1228 pF a 100 V - 2,5 W(Ta)
MUN5216DW1T1 onsemi MUN5216DW1T1 -
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 ECAD 7911 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MUN52 250 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 1 mA, 10 mA 160 a 5 mA, 10 V - 4,7 kOhm -
FQP50N06L onsemi FQP50N06L 1.7000
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 ECAD 126 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 FQP50 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 52,4 A(Tc) 5 V, 10 V 21 mOhm a 26,2 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 32 nC a 5 V ±20 V 1630 pF a 25 V - 121 W(Tc)
MPS8098_D81Z onsemi MPS8098_D81Z -
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 ECAD 8413 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead MPS809 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 60 V 500 mA 100 nA NPN 400 mV a 5 mA, 100 mA 100 a 1 mA, 5 V 150 MHz
BSS79C onsemi BSS79C -
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 ECAD 4224 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS79 350 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 800 mA 10nA (ICBO) NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 250 MHz
FDS9958 onsemi FDS9958 -
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 ECAD 6003 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FDS99 MOSFET (ossido di metallo) 900 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.500 2 canali P (doppio) 60 V 2,9 A 105 mOhm a 2,9 A, 10 V 3 V a 250 µA 23nC a 10V 1020 pF a 30 V Porta a livello logico
15C01SS-TL-E onsemi 15C01SS-TL-E 0,4600
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 ECAD 8 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, conduttori piatti 15C01 200 mW 3-SSFP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 15 V 600 mA 100nA (ICBO) NPN 300mV a 10mA, 200mA 300 a 10 mA, 2 V 330 MHz
FDZ1323NZ onsemi FDZ1323NZ 1.5000
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 ECAD 60 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-XFBGA, WLCSP FDZ1323 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 6-WLCSP (1,3x2,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 5.000 Scarico comune a 2 canali N (doppio). 20 V 10A 13 mOhm a 1 A, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 24nC a 10V 2055 pF a 10 V Porta a livello logico
2N5961 onsemi 2N5961 -
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 ECAD 9640 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5961 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2N5961-NDR EAR99 8541.21.0095 2.000 60 V 100 mA 2nA (ICBO) NPN 200 mV a 500 µA, 10 mA 150 a 10 mA, 5 V -
TIP125G onsemi TIP125G -
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 ECAD 2193 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 SUGGERIMENTO125 2 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato TIP125GOS EAR99 8541.29.0095 50 60 V 5A 500μA PNP-Darlington 4 V a 20 mA, 5 A 1000 a 3 A, 3 V -
PZT3906T1 onsemi PZT3906T1 -
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 ECAD 2192 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA PZT390 1,5 W SOT-223 (TO-261) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato PZT3906T1OS EAR99 8541.29.0075 1.000 40 V 200 mA - PNP 400 mV a 5 mA, 50 mA 100 a 10 mA, 1 V 250 MHz
MPSA42_D74Z onsemi MPSA42_D74Z -
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 ECAD 7910 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead MPSA42 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 300 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 2 mA, 20 mA 40 a 30 mA, 10 V 50 MHz
NDS9947 onsemi NDS9947 -
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 ECAD 9338 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NDS994 MOSFET (ossido di metallo) 900 mW 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.500 2 canali P (doppio) 20 V 3,5 A 100 mOhm a 3,5 A, 10 V 3 V a 250 µA 13nC a 10V 542 pF a 10 V Porta a livello logico
MCH6336-TL-H onsemi MCH6336-TL-H -
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 ECAD 3711 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti MCH63 MOSFET (ossido di metallo) 6-MCPH scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 12 V 5A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 43 mOhm a 3 A, 4,5 V - 6,9 nC a 4,5 V ±10 V 660 pF a 6 V - 1,5 W(Ta)
BC857BLT1 onsemi BC857BLT1 -
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 ECAD 2758 0.00000000 onsemi * Nastro tagliato (CT) Obsoleto BC857 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000
NVMFS5C410NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C410NLWFAFT1G 4.4500
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 ECAD 8995 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 4,5 V, 10 V 0,82 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 250 µA 143 nC a 10 V ±20 V 8862 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 167 W (Tc)
NGTD20T120F2WP onsemi NGTD20T120F2WP 2.6363
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 ECAD 7516 0.00000000 onsemi - Massa Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Morire NGTD20 Standard Morire scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 - Sosta sul campo di trincea 1200 V 100A 2,4 V a 15 V, 20 A - -
2SA2012-TD-E onsemi 2SA2012-TD-E -
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 ECAD 3341 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SA2012 3,5 W PCP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 30 V 5A 100nA (ICBO) PNP 210 mV a 30 mA, 1,5 A 200 a 500 mA, 2 V 420 MHz
NSV20101JT1G onsemi NSV20101JT1G 0,6530
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 ECAD 2407 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 NSV20101 255 mW SC-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 1A 100nA (ICBO) NPN 220 mV a 100 mA, 1 A 200 a 100 mA, 2 V 350 MHz
BC81816MTF onsemi BC81816MTF -
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 ECAD 5025 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC818 310 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 800 mA 100 nA NPN 700mV a 50mA, 500mA 110 a 100 mA, 1 V 100 MHz
NTTFS4928NTAG onsemi NTTFS4928NTAG 0,5700
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 ECAD 6477 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NTTFS4928 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 30 V 7,3 A (Ta), 37 A (Tc) 4,5 V, 10 V 9 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 16 nC a 10 V ±20 V 913 pF a 15 V - 810 mW (Ta), 20,8 W (Tc)
BD442S onsemi BD442S -
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 ECAD 7420 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD442 36 W TO-126-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 80 V 4A 100μA PNP 800 mV a 200 mA, 2 A 40 a 500 mA, 1 V 3 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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