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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2) Figura di rumore (dB tipo @ f)
FQI3N25TU onsemi FQI3N25TU -
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 ECAD 2973 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA FQI3 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK (TO-262) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 250 V 2,8 A(Tc) 10 V 2,2 Ohm a 1,4 A, 10 V 5 V a 250 µA 5,2 nC a 10 V ±30 V 170 pF a 25 V - 3,13 W (Ta), 45 W (Tc)
MJE210T onsemi MJE210T -
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 ECAD 2962 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 MJE210 15 W TO-126 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 500 40 V 5A 100nA (ICBO) PNP 1,8 V a 1 A, 5 A 45 @ 2A, 1V 65 MHz
NDS9957 onsemi NDS9957 -
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 ECAD 9194 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) NDS995 MOSFET (ossido di metallo) 900 mW 8-SOIC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 2,6 A 160 mOhm a 2,6 A, 10 V 3 V a 250 µA 12nC a 10V 200 pF a 30 V Porta a livello logico
MJE3055T onsemi MJE3055T -
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 ECAD 2333 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MJE3055 75 W TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato MJE3055TOS EAR99 8541.29.0095 50 60 V 10A 700μA NPN 8 V a 3,3 A, 10 A 20 @ 4A, 4V 2 MHz
TIP2955G onsemi TIP2955G 2.3100
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 ECAD 215 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 TIP2955 90 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 60 V 15A 700μA PNP 3 V a 3,3 A, 10 A 20 @ 4A, 4V 2,5 MHz
NSVBC144EPDXV6T1G onsemi NSVBC144EPDXV6T1G 0,1154
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 ECAD 4314 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 NSVBC144 500 mW SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V - 47kOhm 47kOhm
KSC388YBU onsemi KSC388YBU -
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 ECAD 4663 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC388 300 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 25 V 50 mA 100nA (ICBO) NPN 200 mV a 1,5 mA, 15 mA 20 a 12,5 mA, 12,5 V 300 MHz
NXH80T120L2Q0PG onsemi NXH80T120L2Q0PG -
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 ECAD 5569 0.00000000 onsemi - Vassoio Obsoleto Premere adatto Modulo NXH80T 146 W Standard Q0Confezione180AA - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato NXH80T120L2Q0PGOS EAR99 8541.29.0095 24 Tipo T Sosta sul campo di trincea 1200 V 65A 2,8 V a 15 V, 80 A 100 µA SÌ 1,99 nF a 20 V
MJD340 onsemi MJD340 -
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 ECAD 7720 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MJD34 15 W DPAK scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 300 V 500 mA 100μA NPN - 30 a 50 mA, 10 V -
MPSH17_D27Z onsemi MPSH17_D27Z -
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 ECAD 8125 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSH17 350 mW TO-92-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 24dB 15 V - NPN 25 a 5 mA, 10 V 800 MHz 6 dB a 200 MHz
NVTYS007N04CLTWG onsemi NVTYS007N04CLTWG 0,6142
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 ECAD 6586 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1205, 8-LFPAK56 MOSFET (ossido di metallo) 8-LFPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NVTYS007N04CLTWGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 40 V 16A (Ta), 54A (Tc) 4,5 V, 10 V 7,3 mOhm a 10 A, 10 V 2,2 V a 30 µA 16 nC a 10 V ±20 V 900 pF a 25 V - 3,1 W (Ta), 38 W (Tc)
SMUN5311DW1T3G onsemi SMUN5311DW1T3G 0,3700
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 ECAD 15 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SMUN5311 187 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 35 a 5 mA, 10 V - 10kOhm 10kOhm
BC184C_J35Z onsemi BC184C_J35Z -
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 ECAD 8199 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC184 350 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 500 mA 15nA (ICBO) NPN 250 mV a 5 mA, 100 mA 250 a 2 mA, 5 V 150 MHz
FJX4007RTF onsemi FJX4007RTF -
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 ECAD 8004 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 FJX400 200 mW SOT-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V 200 MHz 22 kOhm 47 kOhm
2N6515RLRMG onsemi 2N6515RLRMG -
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 ECAD 4290 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) 2N6515 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 5.000 250 V 500 mA 50nA (ICBO) NPN 1 V a 5 mA, 50 mA 45 a 50 mA, 10 V 200 MHz
BC237A_J35Z onsemi BC237A_J35Z -
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 ECAD 4496 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC237 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 120 a 2 mA, 5 V 250 MHz
FQD9N08TM onsemi FQD9N08TM -
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 ECAD 4524 0.00000000 onsemi QFET® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FQD9 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 80 V 7,4 A(Tc) 10 V 210 mOhm a 3,7 A, 10 V 4 V a 250 µA 7,7 nC a 10 V ±25 V 250 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
KSP06TA onsemi KSP06TA 0,3500
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 ECAD 716 0.00000000 onsemi - Nastro tagliato (CT) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead KSP06 625 mW TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 80 V 500 mA 100 nA NPN 250mV a 10mA, 100mA 50 a 100 mA, 1 V 100 MHz
MBT3904DW1T3G onsemi MBT3904DW1T3G 0,2100
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 ECAD 72 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MBT3904 150 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 40 V 200mA - 2 NPN (doppio) 300 mV a 5 mA, 50 mA 100 a 10 mA, 1 V 300 MHz
2SB1203S-H-TL-E onsemi 2SB1203S-H-TL-E -
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 ECAD 1593 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SB1203 1 W TP-FA - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 700 50 V 5A 1 µA (ICBO) PNP 550 mV a 150 mA, 3 A 140 a 500 mA, 2 V 130 MHz
FDPF041N06BL1 onsemi FDPF041N06BL1 -
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 ECAD 1425 0.00000000 onsemi PowerTrench® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FDPF0 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 60 V 77A(Tc) 10 V 4,1 mOhm a 77 A, 10 V 4 V a 250 µA 69 nC a 10 V ±20 V 5690 pF a 30 V - 44,1 W(Tc)
MJW21191G onsemi MJW21191G -
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 ECAD 8461 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MJW21 125 W TO-247-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 150 V 8A 10 µA PNP 2 V a 1,6 A, 8 A 15 a 4 A, 2 V 4 MHz
2SK4043LS onsemi 2SK4043LS -
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 ECAD 3979 0.00000000 onsemi - Borsa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo 2SK4043 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FI(LS) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 100 CanaleN 30 V 20A (Ta) 2,5 V, 4 V 21 mOhm a 10 A, 4 V - 37 nC a 4 V ±10 V 3000 pF a 20 V - 2W (Ta), 20W (Tc)
NTD4857NAT4G onsemi NTD4857NAT4G -
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 ECAD 7422 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 NTD48 MOSFET (ossido di metallo) DPAK - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 5,7 mOhm a 30 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 24 nC a 4,5 V 1960 pF a 12 V - -
2N6427G onsemi 2N6427G -
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 ECAD 9823 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2N6427 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 5.000 40 V 500 mA 1μA NPN-Darlington 1,5 V a 500 µA, 500 mA 20000 a 100 mA, 5 V -
MPS6531_D27Z onsemi MPS6531_D27Z -
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 ECAD 2699 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead MPS653 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 40 V 1A 50nA (ICBO) NPN 300 mV a 10 mA, 100 mA 90 a 100 mA, 1 V -
NVMYS013N08LHTWG onsemi NVMYS013N08LHTWG 0,6729
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 ECAD 3826 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (ossido di metallo) LFPAK4 (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 80 V 11A (Ta), 42A (Tc) 4,5 V, 10 V 13,1 mOhm a 10 A, 10 V 2 V a 45 µA 17 nC a 10 V ±20 V 906 pF a 40 V - 3,6 W (Ta), 54 W (Tc)
3LN01M-TL-H onsemi 3LN01M-TL-H -
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 ECAD 4108 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 3LN01 MOSFET (ossido di metallo) SC-70/MCP3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 150mA(Ta) 1,5 V, 4 V 3,7 Ohm a 80 mA, 4 V - 1,58 nC a 10 V ±10 V 7 pF a 10 V - 150mW (Ta)
NTD3055L170T4G onsemi NTD3055L170T4G -
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 ECAD 8712 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 NTD3055 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 9A (Ta) 5 V 170 mOhm a 4,5 A, 5 V 2 V a 250 µA 10 nC a 5 V ±15 V 275 pF a 25 V - 1,5 W (Ta), 28,5 W (Tj)
FTM3725 onsemi FTM3725 -
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 ECAD 8772 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FTM37 1 W 16-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 40 V 1,2A 100nA (ICBO) 4 NPN (quadruplo) 950 mV a 100 mA, 1 A 60 a 100 mA, 1 V 250 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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