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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Assorbimento di corrente (Id) -Max
JDX5012	0,6400	Richiesta di offerta	22	onsemi	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1
2SK3666-3-TB-E	-	Richiesta di offerta	2574	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SK3666			200 mW		SMCP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN		30 V							4 pF a 10 V													1,2 mA a 10 V	180 mV a 1μA			200 ohm					10 mA
FD6M043N08	-	Richiesta di offerta	8824	onsemi	Power-SPM™	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	EPM15	FD6M043		MOSFET (ossido di metallo)	-		EPM15	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	19	2 canali N (doppio)			75 V	65A		4,3 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	148 nC a 10 V		6180pF a 25V	-
MCH3374-TL-E	-	Richiesta di offerta	4266	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	MCH3374		MOSFET (ossido di metallo)			SC-70FL/MCPH3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		12 V	3A (Ta)	1,8 V, 4 V	70 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	-	5,6 nC a 4,5 V	±8 V	405 pF a 6 V	-	1 W (Ta)
EMT1DXV6T5G	0,4700	Richiesta di offerta	84	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMT1DXV6			500 mW		SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000																60 V	100mA									500nA (ICBO)			2 PNP (doppio)	500mV a 5mA, 50mA	120 a 1 mA, 6 V	140 MHz
FDMC7692_F126	-	Richiesta di offerta	9366	onsemi	PowerTrench®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	FDMC76		MOSFET (ossido di metallo)			8-MLP (3,3x3,3)	-		Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	13,3 A (Ta), 16 A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 13,3 A, 10 V	3 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 15 V	-	2,3 W (Ta), 29 W (Tc)
NVHL027N65S3F	21.0200	Richiesta di offerta	270	onsemi	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	NVHL027		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		650 V	75A (Tc)	10 V	27,4 mOhm a 35 A, 10 V	5 V a 3 mA	227 nC a 10 V	±30 V	7780 pF a 400 V	-	595 W(Tc)
NGTB50N120FL2WAG	1.0000	Richiesta di offerta	8914	onsemi	*	Massa	Attivo										scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-NGTB50N120FL2WAG-488			1
IRLR230ATM	-	Richiesta di offerta	3578	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRLR23		MOSFET (ossido di metallo)			TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		200 V	7,5 A(Tc)	5 V	400 mOhm a 3,75 A, 5 V	2 V a 250 µA	27 nC a 5 V	±20 V	755 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 48 W (Tc)
PCFG40T65SQF	-	Richiesta di offerta	2037	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire		Standard				Wafer	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	488-PCFG40T65SQFTR	EAR99	8541.29.0040	2.500			-												Sosta sul campo	650 V		160A	2,1 V a 15 V, 40 A	-	80 nC	-
2SK932-24-TB-E	0,5700	Richiesta di offerta	4390	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SK932			200 mW		SMCP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN		15 V							-													14,5 mA a 5 V	200 mV a 100 µA								50 mA
J174_D75Z	-	Richiesta di offerta	7826	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	J174			350 mW		TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		Canale P									-												30 V	20 mA a 15 V	5 V a 10 nA			85 Ohm
FDA24N50	-	Richiesta di offerta	7184	onsemi	UniFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	FDA24		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3PN	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		500 V	24A (Tc)	10 V	190 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 250 µA	85 nC a 10 V	±30 V	4150 pF a 25 V	-	270 W(Tc)
NVD5C648NLT4G	3.0400	Richiesta di offerta	1431	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NVD5C648		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		60 V	18A (Ta), 89A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,1 mOhm a 45 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 72 W (Tc)
FJX3014RTF-ON	-	Richiesta di offerta	3701	onsemi	*	Massa	Attivo				FJX301						scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000
NVD20N03L27T4G	-	Richiesta di offerta	2456	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NVD20N		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	20A (Ta)	4V, 5V	27 mOhm a 10 A, 5 V	2 V a 250 µA	18,9 nC a 10 V	±20 V	1260 pF a 25 V	-	1,75 W (Ta), 74 W (Tc)
J176_D26Z	-	Richiesta di offerta	8789	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	J176			350 mW		TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		Canale P									-												30 V	2 mA a 15 V	1 V a 10 nA			250 Ohm
HGTG20N60B3D	6.1500	Richiesta di offerta	95	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	HGTG20N60	Standard		165 W		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			-											55 ns	-	600 V	40A	160A	2 V a 15 V, 20 A	475 µJ (acceso), 1,05 mJ (spento)	80 nC	-
FCD620N60ZF	1.9600	Richiesta di offerta	10	onsemi	HiPerFET™, Polar™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FCD620		MOSFET (ossido di metallo)			TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	7,3 A(Tc)	10 V	620 mOhm a 3,6 A, 10 V	5 V a 250 µA	36 nC a 10 V	±20 V	1135 pF a 25 V	-	89 W(Tc)
FMG2G400LS60	-	Richiesta di offerta	9522	onsemi	-		Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	19:00-IA	FMG2			1136 W	Standard	19:00-IA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Mezzo ponte														-	600 V	400 A		1,8 V a 15 V, 400 A							250 µA	NO
FDU6296	-	Richiesta di offerta	9220	onsemi	PowerTrench®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	FDU62		MOSFET (ossido di metallo)			I-PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		30 V	15A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,8 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	31,5 nC a 10 V	±20 V	1440 pF a 15 V	-	3,8 W (Ta), 52 W (Tc)
FDW9926A	-	Richiesta di offerta	8059	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	FDW99		MOSFET (ossido di metallo)	600 mW		8-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.500	2 canali N (doppio)			20 V	4,5 A		32 mOhm a 4,5 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	9nC a 4,5 V		630 pF a 10 V	Porta a livello logico
NVMFS5C682NLWFT3G	-	Richiesta di offerta	7485	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5		MOSFET (ossido di metallo)			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2832-NVMFS5C682NLWFT3G-488	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 16 µA	5 nC a 10 V	±20 V	410 pF a 25 V	-	3,5 W (Ta), 28 W (Tc)
PN2222TFR	-	Richiesta di offerta	7163	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PN2222			625 mW		TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																30 V	600 mA									10nA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
2SC5706-PE	-	Richiesta di offerta	7072	onsemi	-	Borsa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	2SC5706			800 mW		TP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	500																100 V	5A									1μA (ICBO)			NPN	240 mV a 100 mA, 2 A	200 a 500 mA, 2 V	400 MHz
2SJ634-S-TL-E	0,7100	Richiesta di offerta	7	onsemi	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	700
ECH8657-TL-H	0,6600	Richiesta di offerta	13	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	ECH8657		MOSFET (ossido di metallo)	1,5 W		8-CE	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			35 V	4,5 A		59 mOhm a 2 A, 10 V	-	4,5 nC a 10 V		230 pF a 20 V	Porta a livello logico
FGH20N60SFDTU-F085	-	Richiesta di offerta	1255	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	FGH20	Standard		165 W		TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450			400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V											40 ns	Sosta sul campo	600 V	40A	60A	2,8 V a 15 V, 20 A	430μJ (acceso), 130μJ (spento)	66 nC	13ns/90ns
MCH3312-EBM-TL-E	0,1100	Richiesta di offerta	24	onsemi	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
SFGH25N120FTDS	-	Richiesta di offerta	1609	onsemi	FGH	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SFGH25N	Standard		313 W		TO-247-3	-			REACH Inalterato	488-SFGH25N120FTDS	EAR99	8541.29.0095	1			600 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V											535 n	Sosta sul campo di trincea	1200 V	50A	75A	2 V a 15 V, 25 A	1,42 mJ (acceso), 1,16 mJ (spento)	169 nC	26ns/151ns