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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tensione-Uscita | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Condizione di prova | Voltaggio | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Tensione - Rottura (V(BR)GSS) | Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id | Corrente - Interruzione collettore (max) | Resistenza - RDS(On) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Assorbimento di corrente (Id) -Max | Tensione - Offset (Vt) | Corrente - Dispersione dal gate all'anodo (Igao) | Corrente - Valle (Iv) | Corrente-Piccolo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1230 | 1.0100 | ![]() | 323 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 323 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5703-TL-E | 0,3300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVLJWS6D0N04CLTAG | 0,3652 | ![]() | 7658 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 6-PowerWDFN | NVLJWS6 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-WDFNW (2,05x2,05) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 488-NVLJWS6D0N04CLTAGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 40 V | 15A (Ta), 68A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5 mOhm a 10 A, 10 V | 2 V a 34 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 1150 pF a 25 V | - | 2,5 W (Ta), 46 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TF256TH-5-TL-H | - | ![]() | 8298 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, cavo piatto | TF256 | 100 mW | 3-VTFP | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | CanaleN | 3,1 pF a 2 V | 240 µA a 2 V | 100 mV a 1 µA | 1 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC1416BDR2 | 0,2900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J112_D11Z | - | ![]() | 5580 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | J112 | 625 mW | TO-92-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | - | 35 V | 5 mA a 15 V | 1 V a 1 µA | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1339S | - | ![]() | 2038 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4735F-AY | 0,2400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3478-TL-WZ | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | onsemi | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | MCH3478 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 1,8 V, 4,5 V | ±12V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6028RLRMG | - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | 2N6028 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.000 | 11V | 40 V | 300 mW | 600 mV | 10 nA | 25 µA | 150 nA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSVJ3910SB3T1G | 0,6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NSVJ3910 | 400 mW | 3-CPH | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 25 V | 6 pF a 5 V | 25 V | 20 mA a 5 V | 600 mV a 100 µA | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFGHL40T120RHD | - | ![]() | 1619 | 0.00000000 | onsemi | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | AFGHL40 | Standard | 400 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 488-AFGHL40T120RHD | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V | 195 n | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 48A | 160A | 2,4 V a 15 V, 40 A | 3,7 mJ (acceso), 1,2 mJ (spento) | 277 nC | 37ns/150ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMFBJ176 | 0,4700 | ![]() | 60 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMFBJ1 | 225 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | - | 30 V | 2 mA a 15 V | 1 V a 10 nA | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020RLRAG | - | ![]() | 2852 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) | 2SA1020 | 900 mW | TO-92 (TO-226) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 V | 2A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mV a 50 mA, 1 A | 70 a 500 mA, 2 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR30LT1G | - | ![]() | 1345 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR30 | 225 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BFR30LT1G-ONTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 25 V | 5 pF a 10 V | 4 mA a 10 V | 5 V a 0,5 nA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4392LT1G | 0,3900 | ![]() | 387 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF4392 | 225 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 14 pF a 15 V | 30 V | 25 mA a 15 V | 2 V a 10 nA | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVLJD4007NZTBG | - | ![]() | 5935 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-WDFN Tampone esposto | NVLJD4007 | MOSFET (ossido di metallo) | 755 mW | 6-WDFN (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2832-NVLJD4007NZTBGTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 245 mA | 7 Ohm a 125 mA, 4,5 V | 1,5 V a 100 µA | 0,75 nC a 4,5 V | 20 pF a 5 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH5908H-TL-E | 0,7200 | ![]() | 1261 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 5-SMD, conduttori piatti | MCH5908 | 300 mW | 5-MCPH | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 10,5 pF a 5 V | 16 mA a 5 V | 300 mV a 100 µA | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J202_D27Z | - | ![]() | 5822 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | J202 | 625 mW | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | - | 40 V | 900 µA a 20 V | 800 mV a 10 nA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH5901F-TL-E | - | ![]() | 1942 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 50 V | Amplificatore | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | CPH5901 | 5-CPH | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 150mA | NPN+FET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB560E-MP-AE | 0,1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1009YTA-ON | 0,0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | 800 mW | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 140 V | 700mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 20mA, 200mA | 120 a 50 mA, 2 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS644BYDTU_AS001 | - | ![]() | 7435 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | IRFS6 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 250 V | 14A (Tc) | 10 V | 280 mOhm a 7 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±30 V | 1600 pF a 25 V | - | 43 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1415S-TD-E | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SJE5875 | 0,3400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32716_J35Z | - | ![]() | 4611 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | BC327 | 625 mW | TO-92-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 800 mA | 100 nA | PNP | 700mV a 50mA, 500mA | 100 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3614-TD-E | - | ![]() | 3357 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | 2SK3614 | - | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 0000.00.0000 | 1.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF246B_J35Z | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | BF246 | 625 mW | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | - | 25 V | 60 mA a 15 V | 600 mV a 10 nA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1753-7-TB-E | 0,0700 | ![]() | 351 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86202ET120 | 6.3700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | FDMS86202 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PQFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 120 V | 13,5 A (Ta), 102 A (Tc) | 6 V, 10 V | 7,2 mOhm a 13,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 64 nC a 10 V | ±20 V | 4585 pF a 60 V | - | 3,3 W (Ta), 187 W (Tc) |

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