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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)
NTD4815NT4G	-	Richiesta di offerta	2034	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NTD48		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	6,9 A (Ta), 35 A (Tc)	4,5 V, 11,5 V	15 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6,6 nC a 4,5 V	±20 V	770 pF a 12 V	-	1,26 W (Ta), 32,6 W (Tc)
TIP35AG	3.6000	Richiesta di offerta	96	onsemi	-	Tubo	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	CONSIGLIO35			125 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																60 V	25A						1mA	NPN	4 V a 5 A, 25 A	15 a 15 A, 4 V	3 MHz
FDB86566-F085	2.9200	Richiesta di offerta	8105	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FDB86566		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		60 V	110A (Tc)	10 V	2,7 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	6655 pF a 30 V	-	176 W(Tj)
HUFA75329S3S	-	Richiesta di offerta	3118	onsemi	UltraFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	HUFA75		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		55 V	49A(Tc)	10 V	24 mOhm a 49 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 20 V	±20 V	1060 pF a 25 V	-	128 W(Tc)
TIG111BF	-	Richiesta di offerta	7671	onsemi	-	Borsa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TIG111	Standard		2 W	TO-220FI(LS)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100			300 V, 10 A, 30 Ohm, 15 V												TNP	600 V	23A	92A	2 V a 15 V, 10 A	-	63 nC	43ns/175ns
MGP15N40CLG	-	Richiesta di offerta	6319	onsemi	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MGP15	Logica		150 W	TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MGP15N40CLGOS	EAR99	8541.29.0095	50			300 V, 6,5 A, 1 kOhm												-	440 V	15A	50A	2,9 V a 4 V, 25 A	-		-/4μs
FDPF085N10A	3.0100	Richiesta di offerta	790	onsemi	PowerTrench®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FDPF085		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		100 V	40A (Tc)	10 V	8,5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V	2695 pF a 50 V	-	33,3 W(Tc)
MTD15N06V1	-	Richiesta di offerta	1751	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1
FDB86360_SN00307	-	Richiesta di offerta	6778	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FDB863		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	-		Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		80 V	110A (Tc)	10 V	1,8 mOhm a 80 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	253 nC a 10 V	±20 V	14.600 pF a 25 V	-	333 W(Tc)
NSBC124EPDXV6T5	0,0700	Richiesta di offerta	624	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000
FDMC3300NZA	-	Richiesta di offerta	1141	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	FDMC3300		MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W	8-Potenza33 (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			20 V	8A		26 mOhm a 8 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	12nC a 4,5 V		815 pF a 10 V	Porta a livello logico
2SB1131S-AE	0,1600	Richiesta di offerta	12	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
2SB927T-AE	0,1100	Richiesta di offerta	8	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-2SB927T-AE-488			1
ATP108-TL-H	-	Richiesta di offerta	9100	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	ATPAK (2 derivazioni+Tab)	ATP108		MOSFET (ossido di metallo)		ATPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		40 V	70A (Ta)	4,5 V, 10 V	10,4 mOhm a 35 A, 10 V	-	79,5 nC a 10 V	±20 V	3850 pF a 20 V	-	60 W (Tc)
NJVMJD3055T4G	1.0800	Richiesta di offerta	6755	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NJVMJD3055			1,75 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																60 V	10A						50 µA	NPN	8 V a 3,3 A, 10 A	20 @ 4A, 4V	2 MHz
FQP4N20L	1.1900	Richiesta di offerta	2	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	FQP4		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		200 V	3,8 A(Tc)	5 V, 10 V	1,35 Ohm a 1,9 A, 10 V	2 V a 250 µA	5,2 nC a 5 V	±20 V	310 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
FDD24AN06LA0_SB82179	-	Richiesta di offerta	3218	onsemi	PowerTrench®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FDD24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-		Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		60 V	7,1 A (Ta), 40 A (Tc)	5 V, 10 V	19 mOhm a 40 A, 10 V	2 V a 250 µA	21 nC a 5 V	±20 V	1850 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
2SK2170-TL-E	0,1200	Richiesta di offerta	105	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
NTMFS4833NST3G	-	Richiesta di offerta	5785	onsemi	SENSEFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	NTMFS4		MOSFET (ossido di metallo)		SO-8FL	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	16A (Ta), 156A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	86 nC a 11,5 V	±20 V	5250 pF a 12 V	-	900 mW (Ta), 86,2 W (Tc)
FGA15N120ANDTU	-	Richiesta di offerta	3249	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	FGA15N120	Standard		200 W	TO-3PN	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450			600 V, 15 A, 20 Ohm, 15 V											330 n	TNP	1200 V	24A	45A	3,2 V a 15 V, 15 A	3,27 mJ (acceso), 600 µJ (spento)	120 nC	90ns/310ns
DTC114TET1	-	Richiesta di offerta	9370	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	DTC114			200 mW	SC-75, SOT-416	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																50 V	100 mA						500nA	NPN - Prepolarizzato	250 mV a 1 mA, 10 mA	160 a 5 mA, 10 V		10 kOhm
FDD5N50UTF_WS	-	Richiesta di offerta	3815	onsemi	FRFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FDD5		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		500 V	3A (Tc)	10 V	2 Ohm a 1,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±30 V	650 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
NVMFS5C680NLT1G	1.0800	Richiesta di offerta	1639	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		60 V	8,1 A (Ta), 21 A (Tc)	4,5 V, 10 V	27,5 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,2 V a 13 µA	5,8 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 25 V	-	3,4 W (Ta), 24 W (Tc)
FDB8443-F085	-	Richiesta di offerta	4831	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FDB844		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		40 V	25A (Ta)	10 V	5,5 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	185 nC a 10 V	±20 V	9310 pF a 25 V	-	188 W(Tc)
FDME1034CZT	1.0500	Richiesta di offerta	1449	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UFDFN	FDME1034		MOSFET (ossido di metallo)	600 mW	6-MicroFET (1,6x1,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000	Canali N e P			20 V	3,8 A, 2,6 A		66 mOhm a 3,4 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	4,2 nC a 4,5 V		300 pF a 10 V	Porta a livello logico
CPH3303-TL-E	0,1600	Richiesta di offerta	18	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
IRLS640A	1.7200	Richiesta di offerta	5	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IRLS640		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		200 V	9,8 A(Tc)	5 V	180 mOhm a 4,9 A, 5 V	2 V a 250 µA	56 nC a 5 V	±20 V	1705 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
NVMFS5C442NWFT1G	-	Richiesta di offerta	4376	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		40 V	140A (Tc)	10 V	2,3 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	2100 pF a 25 V	-	3,7 W (Ta), 83 W (Tc)
FQPF4N25	-	Richiesta di offerta	7422	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FQPF4		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		250 V	2,8 A(Tc)	10 V	1,75 Ohm a 1,4 A, 10 V	5 V a 250 µA	5,6 nC a 10 V	±30 V	200 pF a 25 V	-	32 W (Tc)
NVH4L020N090SC1	52.5100	Richiesta di offerta	450	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450		CanaleN		900 V	116A(Tc)	15 V, 18 V	16 mOhm a 60 A, 18 V	4,3 V a 20 mA	196 nC a 15 V	+22V, -8V	4415 pF a 450 V	-	484 W(Tc)