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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
NTMFS5C628NLT3G onsemi NTMFS5C628NLT3G 4.0800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 60 V 150A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,4 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 135 µA 52 nC a 10 V ±20 V 3600 pF a 25 V - 3,7 W (Ta), 110 W (Tc)
BC309ATA onsemi BC309ATA -
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 ECAD 4851 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC309 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 25 V 100 mA 15nA PNP 500mV a 5mA, 100mA 120 a 2 mA, 5 V 130 MHz
ISL9V3036D3STV onsemi ISL9V3036D3STV -
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 ECAD 1888 0.00000000 onsemi EcoSPARK® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 ISL9V3036 Logica 150 W TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-ISL9V3036D3STVTR EAR99 8541.29.0095 2.500 300 V, 1 kOhm, 5 V - 360 V 21A 1,6 V a 4 V, 6 A - 17 nC 700 µs/4,8 µs
NTMFS4C50NT3G onsemi NTMFS4C50NT3G -
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 ECAD 1446 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTMFS4 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 - 21,7A (Ta) - - - -
NVTFS5116PLWFTAG onsemi NVTFS5116PLWFTAG 1.5100
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 ECAD 7388 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NVTFS5116 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 Canale P 60 V 6A (Ta) 4,5 V, 10 V 52 mOhm a 7 A, 10 V 3 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±20 V 1258 pF a 25 V - 3,2 W (Ta), 21 W (Tc)
FDD26AN06A0-F085 onsemi FDD26AN06A0-F085 -
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 ECAD 3404 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FDD26AN06 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 7A (Ta), 36A (Tc) 10 V 26 mOhm a 36 A, 10 V 4 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±20 V 800 pF a 25 V - 75 W (Tc)
FDMS8023S onsemi FDMS8023S 1.5000
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi PowerTrench®, SyncFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN FDMS8023 MOSFET (ossido di metallo) 8-PQFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 26A (Ta), 49A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,4 mOhm a 26 A, 10 V 3 V a 1 mA 57 nC a 10 V ±20 V 3550 pF a 15 V - 2,5 W (Ta), 59 W (Tc)
FGA90N30DTU onsemi FGA90N30DTU -
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 ECAD 8959 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 FGA90 Standard 219 W TO-3P scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 V 90A 220A 1,4 V a 15 V, 20 A - 87 nC -
2SJ659-DL-E onsemi 2SJ659-DL-E 0,5100
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 ECAD 15 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1.000
2SC4519-5-TB-E onsemi 2SC4519-5-TB-E 0,1500
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 ECAD 6 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0075 3.000
SGP15N60RUFTU onsemi SGP15N60RUFTU -
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 ECAD 2859 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 SGP15N Standard 160 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 300 V, 15 A, 13 Ohm, 15 V - 600 V 24A 45A 2,8 V a 15 V, 15 A 320μJ (acceso), 356μJ (spento) 42 nC 17ns/44ns
FQI47P06TU onsemi FQI47P06TU -
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 ECAD 3411 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA FQI4 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK (TO-262) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 Canale P 60 V 47A(Tc) 10 V 26 mOhm a 23,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 110 nC a 10 V ±25 V 3600 pF a 25 V - 3,75 W (Ta), 160 W (Tc)
MMBT2907AM3T5G onsemi MMBT2907AM3T5G 0,2800
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 ECAD 8 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-723 MMBT2907 265 mW SOT-723 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 60 V 600 mA 10nA (ICBO) PNP 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 200 MHz
KSD401O onsemi KSD401O -
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 ECAD 2520 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 KSD401 25 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.200 150 V 2A 50μA (ICBO) NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 120 a 400 mA, 10 V 5 MHz
FGHL50T65MQD onsemi FGHL50T65MQD 4.7800
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 ECAD 450 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 FGHL50 Standard 268 W TO-247-3 - Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 488-FGHL50T65MQD EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V 32 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 200A 1,8 V a 15 V, 50 A 1,05 mJ (acceso), 700 µJ (spento) 94 nC 23ns/120ns
BF245B onsemi BF245B -
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 ECAD 6455 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 30 V Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo BF245 - JFET TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 CanaleN 100mA - - -
KSC838OBU onsemi KSC838OBU -
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 ECAD 3408 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC838 250 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 30 V 30 mA 100nA (ICBO) NPN 400 mV a 1 mA, 10 mA 70 a 2 mA, 12 V 250 MHz
FJX3011RTF onsemi FJX3011RTF -
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 ECAD 7919 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 FJX301 200 mW SOT-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm
NSBC115EDXV6T1 onsemi NSBC115EDXV6T1 -
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 ECAD 8680 0.00000000 onsemi * Massa Attivo NSBC11 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 0000.00.0000 4.000
HGTP12N60A4D onsemi HGTP12N60A4D -
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 ECAD 1970 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 HGTP12N60 Standard 167 W TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V 30 ns - 600 V 54A 96A 2,7 V a 15 V, 12 A 55μJ (acceso), 50μJ (spento) 78 nC 17ns/96ns
NTD25P03LT4G onsemi NTD25P03LT4G 1.4300
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 ECAD 8931 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 NTD25 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 25A (Ta) 4V, 5V 80 mOhm a 25 A, 5 V 2 V a 250 µA 20 nC a 5 V ±15 V 1260 pF a 25 V - 75 W(Tj)
NTMFSC0D9N04CL onsemi NTMFSC0D9N04CL 5.0500
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 ECAD 8318 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TA) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN NTMFSC0 MOSFET (ossido di metallo) 8-PQFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 40 V 313A(Tc) 4,5 V, 10 V - 2 V a 250 µA 143 nC a 10 V ±20 V 8500 pF a 20 V - 83 W (Ta)
NST1602CLTWG onsemi NST1602CLTWG 0,2459
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 ECAD 4140 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1205, 8-LFPAK56 800 mW 8-LFPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NST1602CLTWGTR EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V 1,5 A 100nA (ICBO) NPN 140mV a 50mA, 500mA 140 a 100 mA, 5 V 100 MHz
FDMA7670 onsemi FDMA7670 0,8500
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 ECAD 682 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto FDMA76 MOSFET (ossido di metallo) 6-MicroFET (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 11A (Ta) 4,5 V, 10 V 15 mOhm a 11 A, 10 V 3 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±20 V 1360 pF a 15 V - 2,4 W(Ta)
SJE3016 onsemi SJE3016 0,2400
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 ECAD 45 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1
2SB1131T onsemi 2SB1131T 0,2300
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1
ECH8662-TL-H onsemi ECH8662-TL-H -
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 ECAD 7191 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto ECH8662 MOSFET (ossido di metallo) 1,5 W 8-CE scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 40 V 6,5 A 30 mOhm a 3,5 A, 4,5 V - 12nC a 4,5 V 1130 pF a 20 V Porta a livello logico
NSVB114YPDXV6T1G onsemi NSVB114YPDXV6T1G -
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 ECAD 4052 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 NSVB11 500 mW SOT-563 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V - 10kOhm 47kOhm
BC237BZL1G onsemi BC237BZL1G -
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 ECAD 5482 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) BC237 350 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 200 a 2 mA, 5 V 200 MHz
MPS2222AZL1G onsemi MPS2222AZL1G -
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 ECAD 9301 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) MPS222 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 40 V 600 mA 10nA (ICBO) NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 300 MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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