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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF75637S3S | - | ![]() | 8119 | 0.00000000 | onsemi | UltraFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (ossido di metallo) | D²PAK (TO-263) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | CanaleN | 100 V | 44A(Tc) | 10 V | 30 mOhm a 44 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 108 nC a 20 V | ±20 V | 1700 pF a 25 V | - | 155 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ802 | 1.7300 | ![]() | 4853 | 0.00000000 | onsemi | - | Vassoio | Obsoleto | - | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | MJ802 | 200 W | TO-204 (TO-3) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 90 V | 30A | - | NPN | 800 mV a 750 mA, 7,5 A | 25 a 7,5 A, 2 V | 2 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTH11 | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTH11 | 225 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - | 25 V | 50mA | NPN | 60 a 4 mA, 10 V | 650 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF3N80 | - | ![]() | 5645 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | FQPF3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 800 V | 1,8 A(Tc) | 10 V | 5 Ohm a 900 mA, 10 V | 5 V a 250 µA | 19 nC a 10 V | ±30 V | 690 pF a 25 V | - | 39 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SJE1943 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419S3ST | - | ![]() | 3858 | 0.00000000 | onsemi | UltraFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | HUFA76 | MOSFET (ossido di metallo) | D²PAK (TO-263) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 60 V | 29A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 35 mOhm a 29 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±16V | 900 pF a 25 V | - | 75 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PN100A | - | ![]() | 7864 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN100 | 625 mW | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2832-PN100A | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 50nA | NPN | 400mV a 20mA, 200mA | 300 a 10 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTZD3152PT1H | - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | NTZD3152 | MOSFET (ossido di metallo) | 250 mW | SOT-563 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 canali P (doppio) | 20 V | 430 mA | 900 mOhm a 430 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 2,5 nC a 4,5 V | 175 pF a 16 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1902R-E | 1.0000 | ![]() | 5606 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123E | 0,0200 | ![]() | 63 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | DTC123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76645S3S | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | onsemi | UltraFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | HUF76 | MOSFET (ossido di metallo) | D²PAK (TO-263) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 100 V | 75A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 14 mOhm a 75 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 153 nC a 10 V | ±16V | 4400 pF a 25 V | - | 310 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ609 | 0,5500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 544 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMUN5235T1G-M02 | 0,0800 | ![]() | 75 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | SMUN5235 | 202 mW | SC-70 (SOT323) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2832-SMUN5235T1G-M02TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 6.250 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 250 mV a 1 mA, 10 mA | 80 a 5 mA, 10 V | 2,2 kOhm | 47 kOhm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX18LT1 | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23-3 (TO-236) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 620mV a 50mA, 500mA | 100 a 100 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS6B14NT1G | - | ![]() | 5138 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | NTMFS6 | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 10A (Ta), 50A (Tc) | 6 V, 10 V | 15 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 1300 pF a 50 V | - | 3,1 W (Ta), 77 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS015N10MCLT1G | 1.3200 | ![]() | 8810 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | NVMFS015 | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 10,5 A (Ta), 54 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 12,2 mOhm a 14 A, 10 V | 2,2 V a 282 µA | 19 nC a 10 V | ±20 V | 1338 pF a 50 V | - | 3 W (Ta), 79 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143Z | 0,0200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | DTA143 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUN5211T1 | 0,0500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MUN5211 | 310 mW | SC-70-3 (SOT323) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 250 mV a 300 µA, 10 mA | 35 a 5 mA, 10 V | 10 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6729G | - | ![]() | 6153 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | MPS672 | 1 W | TO-92 (TO-226) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 80 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 500mV a 10mA, 250mA | 50 a 250 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5H610NLT1G | 0,4103 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 488-NVMFS5H610NLT1GTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 60 V | 13A (Ta), 48A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 8 A, 10 V | 2 V a 40 µA | 13,7 nC a 10 V | ±20 V | 880 pF a 30 V | - | 3,6 W (Tc), 52 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA16N50-F109 | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA16 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3P | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 500 V | 16A (Tc) | 10 V | 320 mOhm a 8 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 75 nC a 10 V | ±30 V | 3000 pF a 25 V | - | 200 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5210RLRA | 0,0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA3060ADF | 2.8800 | ![]() | 179 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA3060 | Standard | 176 W | TO-3PN | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 30 A, 6 Ohm, 15 V | 26 ns | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 60A | 90A | 2,3 V a 15 V, 30 A | 960μJ (acceso), 165μJ (spento) | 37,4 nC | 12ns/42,4ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC1386PTF | - | ![]() | 2945 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | FJC13 | 500 mW | SOT-89-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 V | 5A | 500nA (ICBO) | PNP | 1 V a 100 mA, 4 A | 80 a 500 mA, 2 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4221 | - | ![]() | 4422 | 0.00000000 | onsemi | - | Vassoio | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK4221 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | CanaleN | 500 V | 26A (Ta) | 10 V | 240 mOhm a 13 A, 10 V | - | 87 nC a 10 V | ±30 V | 2250 pF a 30 V | - | 2,5 W (Ta), 220 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHD3102CT1G | 1.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | NTHD3102 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,1 W | ChipFET™ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P | 20 V | 4A, 3.1A | 45 mOhm a 4,4 A, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 7,9 nC a 4,5 V | 510 pF a 10 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFGHL75T65SQDT | 6.5000 | ![]() | 5594 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | AFGHL75 | Standard | 375 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 488-AFGHL75T65SQDT | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75 A, 4,7 Ohm, 15 V | 75 ns | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 80A | 300 A | 2,1 V a 15 V, 75 A | 2,12 mJ (acceso), 1,14 mJ (spento) | 136 nC | 24ns/106ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1020YTA | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e scatola (TB) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo corto | KSD1020 | 350 mW | TO-92S | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 V | 700mA | 100nA (ICBO) | NPN | 400mV a 70mA, 700mA | 120 a 100 mA, 1 V | 170 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF21N60NT | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | FCPF21 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847AM3T5G | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BC847 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 488-BC847AM3T5GTR | OBSOLETO | 8.000 |

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