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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Rottura (V(BR)GSS) Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id Corrente - Interruzione collettore (max) Resistenza - RDS(On) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
KSC5502TU onsemi KSC5502TU 1.6600
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 ECAD 9864 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 KSC5502 50 W TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 488-KSC5502TU EAR99 8541.29.0095 1.000 600 V 2A 100μA NPN 1,5 V a 200 mA, 1 A 12 a 500 mA, 2,5 V -
TIP41C onsemi TIP41C -
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 ECAD 6309 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 SUGGERIMENTO41 65 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 200 100 V 6A 700μA NPN 1,5 V a 600 mA, 6 A 15 a 3 A, 4 V 3 MHz
2SJ653 onsemi 2SJ653 2.8500
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 ECAD 37 0.00000000 onsemi * Massa Attivo 2SJ65 - scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 -
NVMFS5C404NLAFT1G onsemi NVMFS5C404NLAFT1G 7.0200
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 ECAD 6914 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 370A(Tc) 4,5 V, 10 V 0,67 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 250 µA 81 nC a 4,5 V ±20 V 12168 pF a 25 V - 200 W(Tc)
FCU2250N80Z onsemi FCU2250N80Z -
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 ECAD 2317 0.00000000 onsemi SuperFET®II Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA FCU2250 MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2166-FCU2250N80Z-488 EAR99 8541.29.0095 1.800 CanaleN 800 V 2,6 A(Tc) 10 V 2,25 Ohm a 1,3 A, 10 V 4,5 V a 260 µA 14 nC a 10 V ±20 V 585 pF a 100 V - 39 W (Tc)
FGH40N65UFDTU onsemi FGH40N65UFDTU -
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 ECAD 8281 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 FGH40 Standard 290 W TO-247-3 - Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V 45 ns Sosta sul campo 650 V 80A 120A 2,4 V a 15 V, 40 A 1,19 mJ (acceso), 460 µJ (spento) 120 nC 24ns/112ns
LSMBT1005LT1 onsemi LSMBT1005LT1 0,0800
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 ECAD 12 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 3.000
NSVBC143JPDXV6T1G onsemi NSVBC143JPDXV6T1G -
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 ECAD 7104 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 NSVBC143 357 mW SOT-563 scaricamento 488-NSVBC143JPDXV6T1GTR EAR99 8541.21.0095 1 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V - 2,2 kOhm, 47 kOhm 47kOhm
NTTFS4800NTAG onsemi NTTFS4800NTAG -
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 ECAD 7570 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NTTFS4 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 30 V 5A (Ta), 32A (Tc) 4,5 V, 11,5 V 20 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 16,6 nC a 10 V ±20 V 964 pF a 15 V - 860 mW (Ta), 33,8 W (Tc)
J113 onsemi J113 0,5000
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) J113 625 mW TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato J113FS EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN - 35 V 2 mA a 15 V 500 mV a 1 µA 100 ohm
FGB5N60UNDF onsemi FGB5N60UNDF -
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 ECAD 6364 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB FGB5N60 Standard 73,5 W D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 400 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V 35 ns TNP 600 V 10A 15A 2,4 V a 15 V, 5 A 80μJ (acceso), 70μJ (spento) 12,1 nC 5,4 n/25,4 n
KSP14TA onsemi KSP14TA -
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 ECAD 1165 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead KSP14 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN-Darlington 1,5 V a 100 µA, 100 mA 20000 a 100 mA, 5 V 125 MHz
BC546BBU onsemi BC546BBU -
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 ECAD 7875 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000 65 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV a 5mA, 100mA 200 a 2 mA, 5 V 300 MHz
SPS9600RLRE onsemi SPS9600RLRE 1.0000
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 ECAD 3396 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - RoHS non conforme 3 (168 ore) RAGGIUNGERE Interessato 2.000
NTMFS4C822NAT3G onsemi NTMFS4C822NAT3G 1.6100
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 ECAD 5997 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,7 mOhm a 30 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 45,2 nC a 10 V ±20 V 3071 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 64 W (Tc)
FDB045AN08A0-F085 onsemi FDB045AN08A0-F085 2.9546
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 ECAD 8028 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB FDB045 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 75 V 19A (Ta) 6 V, 10 V 4,5 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 138 nC a 10 V ±20 V 6600 pF a 25 V - 310 W(Tc)
FQPF9N08 onsemi FQPF9N08 -
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 ECAD 6925 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FQPF9 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 80 V 7A(Tc) 10 V 210 mOhm a 3,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 7,7 nC a 10 V ±25 V 250 pF a 25 V - 23 W (Tc)
MPSW56RLRP onsemi MPSW56RLRP 0,0700
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 ECAD 287 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) MPSW56 1 W TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 80 V 500 mA 500nA PNP 500mV a 10mA, 250mA 50 a 250 mA, 1 V 50 MHz
HUFA76619D3ST onsemi HUFA76619D3ST -
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 ECAD 5822 0.00000000 onsemi UltraFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 HUFA76 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 18A (Tc) 4,5 V, 10 V 85 mOhm a 18 A, 10 V 3 V a 250 µA 29 nC a 10 V ±16V 767 pF a 25 V - 75 W (Tc)
P2N2907AG onsemi P2N2907AG -
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 ECAD 6749 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo P2N290 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 5.000 60 V 600 mA 10nA PNP 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 200 MHz
FDS6900AS-G onsemi FDS6900AS-G -
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 ECAD 6955 0.00000000 onsemi PowerTrench®, SyncFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FDS69 MOSFET (ossido di metallo) 900 mW (Ta) 8-SOIC - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 30 V 6,9 A, 8,2 A 27 mOhm a 6,9 A, 10 V 3 V a 250 µA, 3 V a 1 mA 15nC a 10V 600 pF a 15 V Porta a livello logico
NTMFS4983NFT3G onsemi NTMFS4983NFT3G -
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 ECAD 1771 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTMFS4983 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 22A (Ta), 106A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,1 mOhm a 30 A, 10 V 2,3 V a 1 mA 47,9 nC a 10 V ±20 V 3250 pF a 15 V - 1,7 W (Ta), 38 W (Tc)
BSR58 onsemi BSR58 0,4400
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 ECAD 5 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR58 250 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN - 40 V 8 mA a 15 V 800 mV a 0,5 nA 60 Ohm
FQPF2P40 onsemi FQPF2P40 -
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 ECAD 3194 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FQPF2 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 Canale P 400 V 1,34 A(Tc) 10 V 6,5 Ohm a 670 mA, 10 V 5 V a 250 µA 13 nC a 10 V ±30 V 350 pF a 25 V - 28 W (Tc)
FDMD8260LET60 onsemi FDMD8260LET60 -
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 ECAD 8771 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 12-PowerWDFN FDMD8260 MOSFET (ossido di metallo) 1,1 W 12-Potenza3.3x5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 60 V 15A 5,8 mOhm a 15 A, 10 V 3 V a 250 µA 68nC a 10V 5245pF a 30V -
SGR15N40LTM onsemi SGR15N40LTM -
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 ECAD 2330 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SGR15 Standard 45 W TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 - Trincea 400 V 130A 8 V a 4,5 V, 130 A - -
PCISL9R860W onsemi PCISL9R860W -
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 ECAD 1386 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1
MTD10N10ELT4 onsemi MTD10N10ELT4 -
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 ECAD 3508 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MTD10 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 10A (Tc) 5 V 220 mOhm a 5 A, 5 V 2 V a 250 µA 15 nC a 5 V ±15 V 1040 pF a 25 V - 1,75 W (Ta), 40 W (Tc)
5HN02M-TL-E onsemi 5HN02M-TL-E 0,0600
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 ECAD 159 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0095 3.000
FDMC8010A onsemi FDMC8010A -
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 ECAD 4452 0.00000000 onsemi * Massa Obsoleto FDMC8010 - - Non applicabile REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 1 -
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  • Standard Product Unit

    30.000.000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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