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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MMBT2907AWT1	-	Richiesta di offerta	1585	onsemi	*	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto					MMBT2907					scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	3.000
MPSA13_D75Z	-	Richiesta di offerta	5074	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	MPSA13			625 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000																	30 V	1,2A	100nA (ICBO)	NPN-Darlington	1,5 V a 100 µA, 100 mA	10000 a 100 mA, 5 V	125 MHz
KSE340STSTU	-	Richiesta di offerta	3115	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	KSE34			20 W	TO-126-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.880																	300 V	500 mA	100μA (ICBO)	NPN	-	30 a 50 mA, 10 V	-
NTD4815N-35G	0,7800	Richiesta di offerta	153	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	NTD4815		MOSFET (ossido di metallo)		I-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN				30 V	6,9 A (Ta), 35 A (Tc)	4,5 V, 11,5 V	15 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14,1 nC a 11,5 V	±20 V	770 pF a 12 V	-	1,26 W (Ta), 32,6 W (Tc)
SSVPZTA92T1	0,2400	Richiesta di offerta	49	onsemi	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0095	1.000
MJD41CT4	-	Richiesta di offerta	4700	onsemi	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD41			20 W	DPAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.500																	100 V	6A	50 µA	NPN	1,5 V a 600 mA, 6 A	15 a 3 A, 4 V	3 MHz
MMBF170LT3G	-	Richiesta di offerta	3191	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBF17		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	10.000		CanaleN				60 V	500mA (Ta)	10 V	5 Ohm a 200 mA, 10 V	3 V a 1 mA		±20 V	60 pF a 10 V	-	225 mW (Ta)
KSB1023TU	-	Richiesta di offerta	4847	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	KSB10			2 W	TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1.000																	40 V	3A	20μA (ICBO)	PNP-Darlington	1,5 V a 4 mA, 2 A	1000 a 3 A, 2 V	-
BC337-025G	-	Richiesta di offerta	3874	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	BC337			625 mW	TO-92 (TO-226)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	5.000																	45 V	800 mA	100 nA	NPN	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	210 MHz
CPH5518-TL-H	-	Richiesta di offerta	7098	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5	CPH5518			1,2 W	5-CPH	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	3.000																	80 V, 50 V	1A	100nA (ICBO)	NPN, PNP (emettitore accoppiato)	190mV a 10mA, 500mA	200 a 100 mA, 2 V	420 MHz
MMBT5087LT3G	0,2200	Richiesta di offerta	26	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT5087			300 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	10.000																	50 V	50 mA	50nA (ICBO)	PNP	300 mV a 1 mA, 10 mA	250 a 100 µA, 5 V	40 MHz
KSC1674YTA	-	Richiesta di offerta	6757	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	KSC1674			250 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000					-												20 V	20 mA		NPN		120 a 1 mA, 6 V	600 MHz			3 dB ~ 5 dB a 100 MHz
2N5555	-	Richiesta di offerta	2665	onsemi	-	Massa	Obsoleto	25 V		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	2N5555	-	JFET		TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	2.000	CanaleN		15 mA	-	-											-
2SA2124-S-TD-E	-	Richiesta di offerta	9075	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SA2124			3,5 W	PCP	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1.000																	30 V	2A	100nA (ICBO)	PNP	400 mV a 75 mA, 1,5 A	200 a 100 mA, 2 V	440 MHz
MJD340TF	-	Richiesta di offerta	4595	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD34			15 W	D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.000																	300 V	500 mA	100μA	NPN	-	30 a 50 mA, 10 V	-
KSE13003TH1ATU	-	Richiesta di offerta	1396	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	KSE13003			20 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1.000																	400 V	1,5 A	-	NPN	3 V a 500 mA, 1,5 A	9 a 500 mA, 2 V	4 MHz
CPH3441-TL-E	0,2000	Richiesta di offerta	402	onsemi	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	3.000
FJNS3211RBU	-	Richiesta di offerta	9638	onsemi	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo corto	FJNS32			300 mW	TO-92S	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	10.000																	40 V	100 mA	100nA (ICBO)	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 1 mA, 10 mA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	22 kOhm
FJP3305H1	-	Richiesta di offerta	3612	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	FJP3305			75 W	TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	200																	400 V	4A	1 µA (ICBO)	NPN	1 V a 1 A, 4 A	19 @ 1A, 5V	4 MHz
MMBT4401LT3G	0,1500	Richiesta di offerta	167	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT4401			300 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	10.000																	40 V	600 mA	-	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
NTMS4700NR2	-	Richiesta di offerta	3521	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	NTMS47		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	2.500		CanaleN				30 V	8,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	7,2 mOhm a 13 A, 10 V	3 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±20 V	1600 pF a 24 V	-	860 mW(Ta)
FQAF16N50	-	Richiesta di offerta	9587	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	FQAF16		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN				500 V	11,3 A(Tc)	10 V	320 mOhm a 5,65 A, 10 V	5 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
NSVMMBT589LT1G	0,2169	Richiesta di offerta	8531	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NSVMMBT589			310 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000																	30 V	1A	100 nA	PNP	650 mV a 200 mA, 2 A	100 a 500 mA, 2 V	100 MHz
NST45011MW6T1G	0,4600	Richiesta di offerta	423	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NST45011			380 mW	SC-88/SC70-6/SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000																	45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 coppie abbinate NPN (doppie).	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC547ATAR	-	Richiesta di offerta	8497	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC547			500 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000																	45 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	300 MHz
NSVMUN5215DW1T1G	0,3700	Richiesta di offerta	2	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	NSVMUN5215			250 mW	SC-88/SC70-6/SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000																	50 V	100mA	500nA	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	250 mV a 1 mA, 10 mA	160 a 5 mA, 10 V	-	10kOhm	-
FDN336P-NL	-	Richiesta di offerta	7531	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FDN336		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P				20 V	1,3A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	200 mOhm a 1,3 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	5 nC a 4,5 V	±8 V	330 pF a 10 V	-	500 mW (Ta)
2SC930E-NP-AA	0,0200	Richiesta di offerta	124	onsemi	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	1
BCW30LT1G	0,2300	Richiesta di offerta	2	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW30			300 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000																	32 V	100 mA	100nA (ICBO)	PNP	300 mV a 500 µA, 10 mA	215 a 2 mA, 5 V	-
FQA10N80_F109	-	Richiesta di offerta	3764	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	FQA1		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	450		CanaleN				800 V	9,8 A(Tc)	10 V	1,05 Ohm a 4,9 A, 10 V	5 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±30 V	2700 pF a 25 V	-	240 W(Tc)