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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Rottura (V(BR)GSS) Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
BC560C_J35Z onsemi BC560C_J35Z -
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ECAD 8663 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC560 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 420 a 2 mA, 5 V 150 MHz
2SC4520T-TD-E onsemi 2SC4520T-TD-E 0,2800
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ECAD 7 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0075 1.000
CPH5520-TL-E onsemi CPH5520-TL-E 0,7300
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ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 CPH5520 1,2 W 5-CPH scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 80 V, 50 V 2A 1μA (ICBO) NPN, PNP (emettitore accoppiato) 260 mV a 50 mA, 1 A 200 a 100 mA, 2 V 420 MHz
FQU1N60TU onsemi FQU1N60TU -
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ECAD 3915 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA FQU1 MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.040 CanaleN 600 V 1A(Tc) 10 V 11,5 Ohm a 500 mA, 10 V 5 V a 250 µA 6 nC a 10 V ±30 V 150 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 30 W (Tc)
ISL9V3036S3S onsemi ISL9V3036S3S -
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ECAD 7958 0.00000000 onsemi EcoSPARK® Tubo Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB ISL9 Logica 150 W D²PAK (TO-263) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 300 V, 1 kOhm, 5 V - 360 V 21A 1,6 V a 4 V, 6 A - 17 nC -/4,8 µs
2SB764E onsemi 2SB764E 0,1700
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ECAD 8153 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 500
MPS2907RLRP onsemi MPS2907RLRP 0,0200
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ECAD 180 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0075 2.000
BC517RL1 onsemi BC517RL1 -
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ECAD 2690 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) BC517 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 1A 500nA NPN-Darlington 1 V a 100 µA, 100 mA 30000 a 20 mA, 2 V 200 MHz
J304_D26Z onsemi J304_D26Z -
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ECAD 2792 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 30 V Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead J304 - JFET TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 CanaleN 15 mA - - -
NTMFS5C426NLT1G onsemi NTMFS5C426NLT1G 2.7300
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ECAD 3040 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,2 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 250 µA 93 nC a 10 V ±20 V 5600 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 128 W (Tc)
2SC4134T-TL-E onsemi 2SC4134T-TL-E -
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ECAD 3990 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SC4134 800 mW TP-FA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 700 100 V 1A 100nA (ICBO) NPN 400mV a 40mA, 400mA 200 a 100 mA, 5 V 120 MHz
MUN2112T3 onsemi MUN2112T3 0,0200
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ECAD 2207 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.21.0095 4.000
NJVMJK44H11TWG onsemi NJVMJK44H11TWG 1.0500
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ECAD 3375 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1023, 4-LFPAK NJVMJK44 20 W LFPAK4 (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 80 V 8A 1μA NPN 1 V a 400 mA, 8 A 60 a 2A, 1V 85 MHz
PN4302 onsemi PN4302 -
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ECAD 3140 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN430 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN - 30 V 500 µA a 15 V 4 V a 1 nA
KSB798GTF onsemi KSB798GTF -
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ECAD 7058 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA KSB79 2 W SOT-89-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 4.000 25 V 1A 100nA (ICBO) PNP 400 mV a 100 mA, 1 A 200 a 100 mA, 1 V 110 MHz
BC847BS onsemi BC847BS -
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ECAD 8524 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 210 mW SC-88 (SC-70-6) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 100mA 15nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 650 mV a 5 mA, 100 mA 200 a 2 mA, 5 V -
2SA1435 onsemi 2SA1435 0,2200
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ECAD 9659 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 1.000
FDMB3900AN onsemi FDMB3900AN -
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ECAD 8648 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN FDMB3900 MOSFET (ossido di metallo) 800 mW 8-MLP, MicroFET (3x1,9) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 25 V 7A 23 mOhm a 7 A, 10 V 3 V a 250 µA 17nC a 10V 890 pF a 13 V Porta a livello logico
FDD6780A onsemi FDD6780A -
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ECAD 9943 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FDD678 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 16,4 A (Ta), 30 A (Tc) 4,5 V, 10 V 8,6 mOhm a 16,4 A, 10 V 3 V a 250 µA 24 nC a 10 V ±20 V 1235 pF a 13 V - 3,7 W (Ta), 32,6 W (Tc)
FDMS8662 onsemi FDMS8662 -
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ECAD 9116 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN FDMS86 MOSFET (ossido di metallo) 8-PQFN (5x6) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 28A (Ta), 49A (Tc) 4,5 V, 10 V 2 mOhm a 28 A, 10 V 3 V a 250 µA 100 nC a 10 V ±20 V 6420 pF a 15 V - 2,5 W (Ta), 83 W (Tc)
2SB544F-MP-AE onsemi 2SB544F-MP-AE -
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ECAD 8908 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0075 1
NTR3162PT3G onsemi NTR3162PT3G -
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ECAD 6839 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR316 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 (TO-236) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 Canale P 20 V 2,2A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 70 mOhm a 2,2 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 10,3 nC a 4,5 V ±8 V 940 pF a 10 V - 480 mW(Ta)
NTZD3156CT2G onsemi NTZD3156CT2G -
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ECAD 8982 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 NTZD3156 MOSFET (ossido di metallo) 250 mW SOT-563 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 Canali N e P 20 V 540 mA, 430 mA 550 mOhm a 540 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 2,5 nC a 4,5 V 72 pF a 16 V Porta a livello logico
EMG2DXV5T1G onsemi EMG2DXV5T1G -
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ECAD 9361 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOT-553 EMG2DX 230 mW SOT-553 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V - 47kOhm 47kOhm
KSB1121TTF onsemi KSB1121TTF -
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ECAD 9452 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA KSB11 1,3 W SOT-89-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 4.000 25 V 2A 100nA (ICBO) PNP 600 mV a 75 mA, 1,5 A 200 a 100 mA, 2 V 150 MHz
FDMA420NZ onsemi FDMA420NZ 0,8100
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ECAD 4 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto FDMA420 MOSFET (ossido di metallo) 6-MicroFET (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 20 V 5,7A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 30 mOhm a 5,7 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 12 nC a 4,5 V ±12V 935 pF a 10 V - 2,4 W(Ta)
NTLJS3A18PZTXG onsemi NTLJS3A18PZTXG -
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ECAD 6419 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto NTLJS3A MOSFET (ossido di metallo) 6-WDFN (2x2) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 Canale P 20 V 5A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 18 mOhm a 7 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 28 nC a 4,5 V ±8 V 2240 pF a 15 V - 700mW (Ta)
NSBA123JDXV6T5 onsemi NSBA123JDXV6T5 0,0500
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ECAD 943 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto NSBA12 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 8.000
NTB5404NT4G onsemi NTB5404NT4G -
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ECAD 5929 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB NTB54 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 40 V 167A(Tc) 5 V, 10 V 4,5 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 125 nC a 10 V ±20 V 7000 pF a 32 V - 5,4 W (Ta), 254 W (Tc)
2SC3952D onsemi 2SC3952D -
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ECAD 2933 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock