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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
NSVPZTA92T1G onsemi NSVPZTA92T1G 0,4700
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 ECAD 7932 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA NSVPZTA92 1,5 W SOT-223 (TO-261) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 300 V 500 mA 250nA PNP 500 mV a 2 mA, 20 mA 40 a 30 mA, 10 V 50 MHz
HGT1S7N60C3DS9A onsemi HGT1S7N60C3DS9A -
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 ECAD 8265 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB HGT1S7N60 Standard 60 W D²PAK (TO-263) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 480 V, 7 A, 50 Ohm, 15 V 37 ns - 600 V 14A 56A 2 V a 15 V, 7 A 165μJ (acceso), 600μJ (spento) 23 nC -
NSVUMC5NT1G onsemi NSVUMC5NT1G 0,4000
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 NSVUMC5 150 mW SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato 250 mV a 300 µA, 10 mA 20 a 5 mA, 10 V - 47kOhm, 4,7kOhm 47kOhm, 10kOhm
KSB834WYTM onsemi KSB834WYTM 1.0400
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB KSB834 1,5 W D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 60 V 3A 100μA (ICBO) PNP 1 V a 300 mA, 3 A 100 a 5 mA, 5 V 9 MHz
FDB0105N407L onsemi FDB0105N407L 6.7500
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 ECAD 4783 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta) FDB0105 MOSFET (ossido di metallo) TO-263-7 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 40 V 460A(Tc) 6 V, 10 V 0,8 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 291 nC a 10 V ±20 V 23100 pF a 20 V - 3,8 W (Ta), 300 W (Tc)
BC548BRL1G onsemi BC548BRL1G -
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 ECAD 3513 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) BC548 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 200 a 2 mA, 5 V 300 MHz
BCX71K_D87Z onsemi BCX71K_D87Z -
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 ECAD 2666 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 45 V 500 mA 20nA PNP 550 mV a 1,25 mA, 50 mA 380 a 2 mA, 5 V -
NTMFS4C03NT1G onsemi NTMFS4C03NT1G 2.0300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTMFS4 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 30 V 30A (Ta), 136A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,1 mOhm a 30 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 45,2 nC a 10 V ±20 V 3071 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 64 W (Tc)
NVMFS5C456NT1G onsemi NVMFS5C456NT1G 1.6300
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 ECAD 6207 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 20A (Ta), 80A (Tc) 10 V 4,5 mOhm a 35 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 18 nC a 10 V ±20 V 1150 pF a 25 V - 3,6 W (Ta), 55 W (Tc)
CPH6443-P-TL-H onsemi CPH6443-P-TL-H -
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 ECAD 2174 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 CPH644 - 6-CPH - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 - 6A(Tj) - - - -
2N4126TAR onsemi 2N4126TAR -
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 ECAD 4383 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead 2N4126 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 25 V 200 mA 50nA (ICBO) PNP 400 mV a 5 mA, 50 mA 120 a 2 mA, 1 V 250 MHz
MMBT8099LT1 onsemi MMBT8099LT1 -
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 ECAD 5309 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT8099 225 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100 nA NPN 400 mV a 5 mA, 100 mA 100 a 1 mA, 5 V 150 MHz
FDP33N25 onsemi FDP33N25 2.1000
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 ECAD 1996 0.00000000 onsemi UniFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 PLR33 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 250 V 33A(Tc) 10 V 94 mOhm a 16,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 48 nC a 10 V ±30 V 2135 pF a 25 V - 235 W(Tc)
NTD4904N-35G onsemi NTD4904N-35G -
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 ECAD 9831 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak NTD49 MOSFET (ossido di metallo) I-Pak scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 30 V 13A (Ta), 79A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,7 mOhm a 30 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 41 nC a 10 V ±20 V 3052 pF a 15 V - 1,4 W (Ta), 52 W (Tc)
NTHS5402T1 onsemi NTHS5402T1 -
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 ECAD 1546 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto NTHS54 MOSFET (ossido di metallo) ChipFET™ scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 4,9A(Ta) 4,5 V, 10 V 35 mOhm a 4,9 A, 10 V 1 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±20 V - 1,3 W(Ta)
NTMFS5834NLT1G onsemi NTMFS5834NLT1G -
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 ECAD 9836 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 14A (Ta), 75A (Tc) 4,5 V, 10 V 9,3 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 24 nC a 10 V ±20 V 1231 pF a 20 V - 3,6 W (Ta), 107 W (Tc)
MPSW01ARLRP onsemi MPSW01ARLRP -
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 ECAD 6161 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) MPSW01 1 W TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 40 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 100 mA, 1 A 60 a 100 mA, 1 V 50 MHz
FJY4010R onsemi FJY4010R -
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 ECAD 7825 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 FJY401 200 mW SC-89-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 100 mA 100nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 200 MHz 10 kOhm
BC560C_J35Z onsemi BC560C_J35Z -
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 ECAD 8663 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC560 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 420 a 2 mA, 5 V 150 MHz
2SC4520T-TD-E onsemi 2SC4520T-TD-E 0,2800
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 ECAD 7 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0075 1.000
CPH5520-TL-E onsemi CPH5520-TL-E 0,7300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 CPH5520 1,2 W 5-CPH scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 80 V, 50 V 2A 1μA (ICBO) NPN, PNP (emettitore accoppiato) 260 mV a 50 mA, 1 A 200 a 100 mA, 2 V 420 MHz
FQU1N60TU onsemi FQU1N60TU -
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 ECAD 3915 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA FQU1 MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.040 CanaleN 600 V 1A(Tc) 10 V 11,5 Ohm a 500 mA, 10 V 5 V a 250 µA 6 nC a 10 V ±30 V 150 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 30 W (Tc)
ISL9V3036S3S onsemi ISL9V3036S3S -
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 ECAD 7958 0.00000000 onsemi EcoSPARK® Tubo Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB ISL9 Logica 150 W D²PAK (TO-263) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 300 V, 1 kOhm, 5 V - 360 V 21A 1,6 V a 4 V, 6 A - 17 nC -/4,8 µs
2SB764E onsemi 2SB764E 0,1700
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 ECAD 8153 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 500
MPS2907RLRP onsemi MPS2907RLRP 0,0200
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 ECAD 180 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0075 2.000
BC517RL1 onsemi BC517RL1 -
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 ECAD 2690 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) BC517 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 1A 500nA NPN-Darlington 1 V a 100 µA, 100 mA 30000 a 20 mA, 2 V 200 MHz
J304_D26Z onsemi J304_D26Z -
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 ECAD 2792 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 30 V Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead J304 - JFET TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 CanaleN 15 mA - - -
NTMFS5C426NLT1G onsemi NTMFS5C426NLT1G 2.7300
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 ECAD 3040 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,2 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 250 µA 93 nC a 10 V ±20 V 5600 pF a 25 V - 3,8 W (Ta), 128 W (Tc)
2SC4134T-TL-E onsemi 2SC4134T-TL-E -
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 ECAD 3990 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SC4134 800 mW TP-FA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 700 100 V 1A 100nA (ICBO) NPN 400mV a 40mA, 400mA 200 a 100 mA, 5 V 120 MHz
MUN2112T3 onsemi MUN2112T3 0,0200
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 ECAD 2207 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.21.0095 4.000
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

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    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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