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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
FQA40N25 onsemi FQA40N25 3.9800
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 ECAD 55 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 FQA40 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PN scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 250 V 40A (Tc) 10 V 70 mOhm a 20 A, 10 V 5 V a 250 µA 110 nC a 10 V ±30 V 4000 pF a 25 V - 280 W(Tc)
NSV60601MZ4T3G onsemi NSV60601MZ4T3G 0,6300
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 ECAD 2560 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA NSV60601 800 mW SOT-223 (TO-261) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 4.000 60 V 6A 100nA (ICBO) NPN 300 mV a 600 mA, 6 A 120 a 1 A, 2 V 100 MHz
FDBL0630N150 onsemi FDBL0630N150 5.8500
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 ECAD 6 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSFN FDBL0630 MOSFET (ossido di metallo) 8-HPSOF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 150 V 169A(Tc) 10 V 6,3 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 90 nC a 10 V ±20 V 5805 pF a 75 V - 500 W(Tj)
NTJD4401NT2G onsemi NTJD4401NT2G -
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 ECAD 5576 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4401 MOSFET (ossido di metallo) 270 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 20 V 630mA 375 mOhm a 630 mA, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 3nC a 4,5 V 46 pF a 20 V Porta a livello logico
FCPF400N80Z onsemi FCPF400N80Z -
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 ECAD 6309 0.00000000 onsemi SuperFET®II Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FCPF400 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 11A(Tc) 10 V 400 mOhm a 5,5 A, 10 V 4,5 V a 1,1 mA 56 nC a 10 V ±20 V 2350 pF a 100 V - 35,7 W(Tc)
HUFA76633S3ST onsemi HUFA76633S3ST -
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 ECAD 9641 0.00000000 onsemi UltraFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB HUFA76 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 100 V 39A(Tc) 4,5 V, 10 V 35 mOhm a 39 A, 10 V 3 V a 250 µA 67 nC a 10 V ±16V 1820 pF a 25 V - 145 W(Tc)
KSP13TF onsemi KSP13TF -
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 ECAD 8949 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead KSP13 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN-Darlington 1,5 V a 100 µA, 100 mA 10000 a 100 mA, 5 V 125 MHz
2N3904RL1 onsemi 2N3904RL1 -
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 ECAD 3020 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) 2N3904 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 40 V 200 mA - NPN 300 mV a 5 mA, 50 mA 100 a 10 mA, 1 V 300 MHz
MPS2222ARLRP onsemi MPS2222ARLRP -
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 ECAD 5518 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) MPS222 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 40 V 600 mA 10nA (ICBO) NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 300 MHz
FDMQ8203 onsemi FDMQ8203 1.6300
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 ECAD 6012 0.00000000 onsemi GreenBridge™PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 12-WDFN Tampone esposto FDMQ82 MOSFET (ossido di metallo) 2,5 W 12-MLP (5x4,5) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N e 2 canali P (mezzo ponte) 100 V, 80 V 3,4 A, 2,6 A 110 mOhm a 3 A, 10 V 4 V a 250 µA 5nC a 10V 210 pF a 50 V Porta a livello logico
2SA1370D-AE onsemi 2SA1370D-AE 0,1800
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 ECAD 58 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1
SMUN5131DW1T1G onsemi SMUN5131DW1T1G 0,4300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SMUN5131 250 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 5 mA, 10 mA 8-5 mA, 10 V - 2,2 kOhm 2,2 kOhm
MMUN2135LT1G onsemi MMUN2135LT1G 0,1300
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 ECAD 25 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMUN2135 246 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 250 mV a 300 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V 2,2 kOhm 47 kOhm
NTTFS4C025NTAG onsemi NTTFS4C025NTAG 0,7091
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 ECAD 7686 0.00000000 onsemi * Nastro e bobina (TR) Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NTTFS4C025NTAGTR EAR99 8541.29.0095 1.500
FQA90N10V2 onsemi FQA90N10V2 -
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 ECAD 7185 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 MOSFET (ossido di metallo) TO-3P scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 100 V 105A (Tc) 10 V 10 mOhm a 52,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 191 nC a 10 V ±30 V 6150 pF a 25 V - 330 W(Tc)
KSC1815YBU onsemi KSC1815YBU -
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 ECAD 2513 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1815 400 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 1.000 50 V 150 mA 100nA (ICBO) NPN 250mV a 10mA, 100mA 120 a 2 mA, 6 V 80 MHz
2SB631E onsemi 2SB631E 0,2500
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 ECAD 10 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1
FDD8444-F085P onsemi FDD8444-F085P -
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 ECAD 9230 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FDD844 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 50A (Ta) 10 V 5,2 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 116 nC a 10 V ±20 V 6195 pF a 25 V - 153 W (Ta)
2SC6097-TL-E onsemi 2SC6097-TL-E 0,8800
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 2SC6097 800 mW TP-FA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 700 60 V 3A 1μA (ICBO) NPN 135 mV a 100 mA, 1 A 300 a 100 mA, 2 V 390 MHz
NTB75N03-6G onsemi NTB75N03-6G -
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 ECAD 5663 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB NTB75 MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 30 V 75A (Tc) 10 V 6,5 mOhm a 37,5 A, 10 V 2 V a 250 µA 75 nC a 5 V ±20 V 5635 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 125 W (Tc)
NVMFS5C430NLWFET1G onsemi NVMFS5C430NLWFET1G 1.3058
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 ECAD 3271 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NVMFS5C430NLWFET1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,4 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±20 V 4300 pF a 20 V - 3,8 W (Ta), 110 W (Tc)
NVMFD5485NLWFT3G onsemi NVMFD5485NLWFT3G -
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 ECAD 3465 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN NVMFD5483 MOSFET (ossido di metallo) 2,9 W Doppia bandiera 8-DFN (5x6) (SO8FL-doppia) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canali N (doppio) 60 V 5.3A 44 mOhm a 15 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 20nC a 10V 560 pF a 25 V Porta a livello logico
BC213 onsemi BC213 -
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 ECAD 4853 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto - Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC213 625 mW TO-92-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 500 mA 15nA (ICBO) PNP 600mV a 5mA, 100mA 80 a 2 mA, 5 V 200 MHz
MJ11021 onsemi MJ11021 -
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 ECAD 2266 0.00000000 onsemi - Vassoio Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MJ110 175 W TO-204 (TO-3) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 100 250 V 15A 1mA PNP-Darlington 3,4 V a 150 mA, 15 A 400 a 10 A, 5 V -
FJP5554TU onsemi FJP5554TU -
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 ECAD 7763 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 FJP555 70 W TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V 4A 250μA NPN 1,5 V a 1 A, 3,5 A 20 a 800 mA, 3 V -
NDD04N60ZT4G onsemi NDD04N60ZT4G -
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 ECAD 7740 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 NDD04 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 4.1A (Tc) 10 V 2 Ohm a 2 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 29 nC a 10 V ±30 V 640 pF a 25 V - 83 W (Tc)
KSD569OTU onsemi KSD569OTU -
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 ECAD 6961 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 KSD569 1,5 W TO-220-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 80 V 7A 10μA (ICBO) NPN 500 mV a 500 mA, 5 A 60 @ 3A, 1V -
BC327-040G onsemi BC327-040G -
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 ECAD 8704 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo BC327 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 5.000 45 V 800 mA 100 nA PNP 700mV a 50mA, 500mA 250 a 100 mA, 1 V 260 MHz
IRFU220BTU-AM002 onsemi IRFU220BTU-AM002 -
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 ECAD 2423 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA IRFU220 MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.040 CanaleN 200 V 4,6 A(Tc) 10 V 800 mOhm a 2,3 A, 10 V 4 V a 250 µA 16 nC a 10 V ±30 V 390 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 40 W (Tc)
KSC1008COTA onsemi KSC1008COTA -
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 ECAD 8893 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead KSC1008 800 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 60 V 700mA 100nA (ICBO) NPN 400mV a 50mA, 500mA 70 a 50 mA, 2 V 50 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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