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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tensione - Rottura (V(BR)GSS) | Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id | Corrente - Interruzione collettore (max) | Resistenza - RDS(On) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPSL51_D26Z | - | ![]() | 4463 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | MPSL51 | 625 mW | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 100 V | 200 mA | 1μA (ICBO) | PNP | 300 mV a 5 mA, 50 mA | 40 a 50 mA, 5 V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | PZT2907AT3 | - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | PZT290 | 1,5 W | SOT-223 (TO-261) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 10 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | NVTJD4105CT1G | - | ![]() | 2458 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NVTJD41 | - | SC-88/SC70-6/SOT-363 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | KSD471AYTA | 0,4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | KSD471 | 800 mW | TO-92-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 100 mA, 1 A | 120 a 100 mA, 1 V | 130 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC546TAR | - | ![]() | 1558 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e scatola (TB) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | BC546 | 500 mW | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 65 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 110 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | NTTFSC4937NTAG | - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | onsemi | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | NTTFSC4937 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1723T | 0,4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBTA56 | - | ![]() | 3541 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA56 | 350 mW | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 V | 500 mA | 100 nA | PNP | 200mV a 10mA, 100mA | 100 a 100 mA, 1 V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | PN5434_D27Z | - | ![]() | 7410 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead | PN543 | 350 mW | TO-92-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | 30 pF a 10 V (VGS) | 25 V | 30 mA a 15 V | 1 V a 3 nA | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | NTD60N03T4 | - | ![]() | 3168 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | NTD60 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 28 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,5 mOhm a 30 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 30 nC a 4,5 V | ±20 V | 2150 pF a 24 V | - | 75 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | FQU6N40CTU_NBEA001 | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | FQU6 | MOSFET (ossido di metallo) | I-PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | CanaleN | 400 V | 4,5 A(Tc) | 10 V | 1 Ohm a 2,25 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±30 V | 625 pF a 25 V | - | 2,5 W (Ta), 48 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | 2N3905 | 0,0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 mW | TO-92 | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 V | 200 mA | 50nA | PNP | 400 mV a 5 mA, 50 mA | 50 a 10 mA, 1 V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4401M3T5G | 0,3400 | ![]() | 61 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-723 | MMBT4401 | 265 mW | SOT-723 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 40 V | 600 mA | - | NPN | 750mV a 50mA, 500mA | 100 a 150 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC858BLT1 | 0,0200 | ![]() | 492 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | BC858 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4107M | - | ![]() | 6094 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF4392 | - | ![]() | 2022 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF43 | 350 mW | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 14 pF a 20 V | 30 V | 25 mA a 20 V | 2 V a 1 nA | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS6B03NWFT1G | - | ![]() | 9470 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | NVMFS6 | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 145A(Tc) | 10 V | 4,8 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 58 nC a 10 V | ±16V | 4200 pF a 50 V | - | 3,9 W (Ta), 198 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | HUF75631S3S | - | ![]() | 9981 | 0.00000000 | onsemi | UltraFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (ossido di metallo) | D²PAK (TO-263) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | CanaleN | 100 V | 33A(Tc) | 10 V | 40 mOhm a 33 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 79 nC a 20 V | ±20 V | 1220 pF a 25 V | - | 120 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | NDS9936 | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | NDS993 | MOSFET (ossido di metallo) | 900 mW | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 5A | 50 mOhm a 5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | 525 pF a 15 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||
![]() | KSA473YTSTU | - | ![]() | 3078 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | KSA473 | 10 W | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 30 V | 3A | 1μA (ICBO) | PNP | 800 mV a 200 mA, 2 A | 120 a 500 mA, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TIP50TU | - | ![]() | 7306 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | CONSIGLIO50 | 2 W | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-TIP50TU | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 1A | 1mA | NPN | 1 V a 200 mA, 1 A | 30 a 300 mA, 10 V | 10 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FDB8132 | - | ![]() | 6196 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | FDB813 | MOSFET (ossido di metallo) | D²PAK (TO-263) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 30 V | 80A (Tc) | 10 V | 1,6 mOhm a 80 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 350 nC a 13 V | ±20 V | 14.100 pF a 15 V | - | 341 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | MSD42WT1 | - | ![]() | 8234 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MSD42 | 150 mW | SC-70-3 (SOT323) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 150 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 2 mA, 20 mA | 40 a 30 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||
![]() | NTMT090N65S3HF | 8.2900 | ![]() | 7856 | 0.00000000 | onsemi | SuperFET® III, FRFET® | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | MOSFET (ossido di metallo) | 4-PQFN (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 650 V | 36A(Tc) | 10 V | 90 mOhm a 18 A, 10 V | 5 V a 860 µA | 66 nC a 10 V | ±30 V | 2930 pF a 400 V | - | 272 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | FDS6575 | 1.3700 | ![]() | 245 | 0.00000000 | onsemi | PowerTrench® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FDS65 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 20 V | 10A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 13 mOhm a 10 A, 4,5 V | 1,5 V a 250 µA | 74 nC a 4,5 V | ±8 V | 4951 pF a 10 V | - | 2,5 W(Ta) | |||||||||||||||
![]() | NTTFS5C670NLTWG | 0,8737 | ![]() | 8022 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | NTTFS5 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-WDFN (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 60 V | 16A (Ta), 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6,5 mOhm a 35 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 1.400 pF a 25 V | - | 3,2 W (Ta), 63 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | NTMFS5C410NLTT1G | 5.6800 | ![]() | 999 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN, 5 conduttori | NTMFS5 | MOSFET (ossido di metallo) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 40 V | 50A (Ta), 330A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 0,9 mOhm a 50 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 143 nC a 10 V | ±20 V | 8862 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 167 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | FQPF13N50T | - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | FQPF1 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 500 V | 12,5 A(Tc) | 10 V | 430 mOhm a 6,25 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±30 V | 2300 pF a 25 V | - | 56 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | MTP27N06L | 0,3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCH1430-TL-W | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | SCH143 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-563/SCH6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 5.000 | CanaleN | 20 V | 2A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 125 mOhm a 1 A, 4,5 V | 1,3 V a 1 mA | 1,8 nC a 4,5 V | ±12V | 128 pF a 10 V | - | 800 mW (Ta) |

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