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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)
FQP11N50CF	-	Richiesta di offerta	5919	onsemi	FRFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	FQP1		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		500 V	11A(Tc)	10 V	550 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±30 V	2055 pF a 25 V	-	195 W(Tc)
FCD5N60TM-WS	1.7900	Richiesta di offerta	2	onsemi	SuperFET™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FCD5N60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	4,6 A(Tc)	10 V	950 mOhm a 2,3 A, 10 V	5 V a 250 µA	16 nC a 10 V	±30 V	600 pF a 25 V	-	54 W (Tc)
FCH20N60	-	Richiesta di offerta	3751	onsemi	SuperFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	FCH20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±30 V	3080 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
2SB865-AE	0,2200	Richiesta di offerta	26	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1
NTTFS4C08NTAG	1.0800	Richiesta di offerta	7075	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	NTTFS4		MOSFET (ossido di metallo)		8-WDFN (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		30 V	9,3A(Ta)	4,5 V, 10 V	5,9 mOhm a 30 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	18,2 nC a 10 V	±20 V	1113 pF a 15 V	-	820 mW (Ta), 25,5 W (Tc)
PCFC041N60EW	-	Richiesta di offerta	7465	onsemi	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-PCFC041N60EWTR	OBSOLETO		3.000
NTMFS4708NT3G	-	Richiesta di offerta	1123	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NTMFS4		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	7,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 11,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±20 V	970 pF a 24 V	-	1 W (Ta)
HUF75332S3ST	-	Richiesta di offerta	4522	onsemi	UltraFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	HUF75		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		55 V	60A (Tc)	10 V	19 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	85 nC a 20 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	145 W(Tc)
MJ15011G	-	Richiesta di offerta	6821	onsemi	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	MJ150			200 W	TO-204 (TO-3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100																250 V	10A						1mA	NPN	1 V a 400 mA, 4 A	20 a 2 A, 2 V	-
RFD16N05LSM	-	Richiesta di offerta	4109	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	RFD16		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	RFD16N05LSM-NDR	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		50 V	16A (Tc)	4V, 5V	47 mOhm a 16 A, 5 V	2 V a 250 mA	80 nC a 10 V	±10 V		-	60 W (Tc)
NTD18N06L	-	Richiesta di offerta	1498	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NTD18		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN		60 V	18A (Ta)	5 V	65 mOhm a 9 A, 5 V	2 V a 250 µA	22 nC a 5 V	±15 V	675 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta), 55 W (Tj)
2SK3293-TD-E	0,2500	Richiesta di offerta	151	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	2.500
FDP039N08B-F102	7.9100	Richiesta di offerta	622	onsemi	PowerTrench®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	FDP039		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		80 V	120A (Tc)	10 V	3,9 mOhm a 100 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	133 nC a 10 V	±20 V	9450 pF a 40 V	-	214 W(Tc)
2SC5277D2-TL-E	0,2500	Richiesta di offerta	4	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000
FDD13AN06A0-F085	1.6400	Richiesta di offerta	2	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FDD13AN06		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		60 V	9,9 A (Ta), 50 A (Tc)	6 V, 10 V	13,5 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	1350 pF a 25 V	-	115 W(Tc)
NTND31015NZTAG	0,4200	Richiesta di offerta	44	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFLGA	NTND31015		MOSFET (ossido di metallo)	125 mW	6-XLLGA (0,9x0,65)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000	2 canali N (doppio)			20 V	200mA		1,5 Ohm a 100 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	-		12,3 pF a 15 V	-
MMBF4392LT1	-	Richiesta di offerta	1285	onsemi	*	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto				MMBF43					scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
UMC3NT1	0,0500	Richiesta di offerta	54	onsemi	-	Massa	Attivo				MC3					scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
NTMFS4899NFT1G	-	Richiesta di offerta	5787	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NTMFS4899		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		30 V	10,4 A (Ta), 75 A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 12 V	-	920 mW (Ta), 48 W (Tc)
NTLJD3115PT1G	0,6900	Richiesta di offerta	7	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	NTLJD3115		MOSFET (ossido di metallo)	710 mW	6-WDFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)			20 V	2,3 A		100 mOhm a 2 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	6,2 nC a 4,5 V		531 pF a 10 V	Porta a livello logico
FCU360N65S3R0	2.3400	Richiesta di offerta	1	onsemi	SuperFET® III	Tubo	Design non per nuovi		Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	FCU360				I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75					10A (Tc)
NVTFS5116PLWFTWG	1.5100	Richiesta di offerta	4490	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	NVTFS5116		MOSFET (ossido di metallo)		8-WDFN (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P		60 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	52 mOhm a 7 A, 10 V	3 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	3,2 W (Ta), 21 W (Tc)
NGTB30N65IHL2WG	-	Richiesta di offerta	5598	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	NGTB30	Standard		300 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											430 n	Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2,2 V a 15 V, 30 A	200μJ (spento)	135 nC	-/145ns
NSBC114TF3T5G	0,1061	Richiesta di offerta	1123	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-1123	NSBC114			254 mW	SOT-1123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000																50 V	100 mA						500nA	NPN - Prepolarizzato	250 mV a 1 mA, 10 mA	160 a 5 mA, 10 V		10 kOhm
NSS40501UW3T2G	1.0700	Richiesta di offerta	6	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 3-WDFN	NSS40501			875 mW	3-WDFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																40 V	5A						100nA (ICBO)	NPN	150 mV a 400 mA, 4 A	200 a 2 A, 2 V	150 MHz
NVMFWS0D7N04XMT1G	1.4039	Richiesta di offerta	3415	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerTDFN, 5 conduttori			MOSFET (ossido di metallo)		5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVMFWS0D7N04XMT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		40 V	331A(Tc)	10 V	0,7 mOhm a 50 A, 10 V	3,5 V a 180 µA	74,5 nC a 10 V	±20 V	4657 pF a 25 V	-	134 W(Tc)
MCH5839-TL-W	-	Richiesta di offerta	3879	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-SMD, conduttori piatti	MCH58		MOSFET (ossido di metallo)		SC-88AFL/MCPH5	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		20 V	1,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	266 mOhm a 750 mA, 4,5 V	1,4 V a 1 mA	1,7 nC a 4,5 V	±10 V	120 pF a 10 V	-	800 mW (Ta)
TIG067SS-TL-2W	-	Richiesta di offerta	6982	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	TIG067	Standard		1,2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			-												-	400 V		150A	5 V a 4 V, 150 A	-		-
2SD1063R	-	Richiesta di offerta	9511	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	215
NVMFS5C423NLWFAFT1G	2.0400	Richiesta di offerta	7609	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN		40 V	31A (Ta), 150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±20 V	3100 pF a 20 V	-	3,7 W (Ta), 83 W (Tc)