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Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
2SA1527-AA	0,1000	Richiesta di offerta	33	onsemi	*	Massa	Attivo											scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	1
TIP41BG	0,8700	Richiesta di offerta	886	onsemi	-	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO41				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50																					80 V	6A							700μA	NPN	1,5 V a 600 mA, 6 A	15 a 3 A, 4 V	3 MHz
FQAF17P10	-	Richiesta di offerta	4462	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	FQAF1			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		Canale P						100 V	12,4 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 6,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±30 V	1100 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
FQI9N15TU	-	Richiesta di offerta	2015	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	FQI9			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						150 V	9A (Tc)	10 V	400 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±25 V	410 pF a 25 V	-	3,75 W (Ta), 75 W (Tc)
HGT1S3N60A4DS9A	-	Richiesta di offerta	6906	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	HGT1S3N60	Standard			70 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 3 A, 50 Ohm, 15 V															29 ns	-	600 V	17A	40A	2,7 V a 15 V, 3 A	37μJ (acceso), 25μJ (spento)	21 nC	6ns/73ns
MMDF2N05ZR2	0,2900	Richiesta di offerta	87	onsemi	*	Massa	Attivo											scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.21.0095	2.500
FQD12P10TF	-	Richiesta di offerta	6527	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FQD1			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.000		Canale P						100 V	9,4 A(Tc)	10 V	290 mOhm a 4,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±30 V	800 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
NTMYS010N04CLTWG	3.1100	Richiesta di offerta	8014	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1023, 4-LFPAK	NTMYS010			MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK4 (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						40 V	14A (Ta), 38A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,3 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 20 µA	7,3 nC a 10 V	±20 V	570 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 28 W (Tc)
2SC3596E	0,6300	Richiesta di offerta	17	onsemi	*	Massa	Attivo											scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0075	1
NTD20N03L27-001	-	Richiesta di offerta	1038	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	NTD20			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						30 V	20A (Ta)	4V, 5V	27 mOhm a 10 A, 5 V	2 V a 250 µA	18,9 nC a 10 V	±20 V	1260 pF a 25 V	-	1,75 W (Ta), 74 W (Tc)
FDS8433A	-	Richiesta di offerta	5910	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	FDS84			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						20 V	5A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	47 mOhm a 5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	28 nC a 5 V	±8 V	1130 pF a 10 V	-	2,5 W(Ta)
CPH6434-TL-E	0,2300	Richiesta di offerta	168	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6				MOSFET (ossido di metallo)		6-CPH	-	Non applicabile			EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						30 V	6A (Ta)		41 mOhm a 3 A, 4 V	-	7 nC a 4 V		790 pF a 10 V	-	1,6 W(Ta)
FQPF3N80CYDTU	-	Richiesta di offerta	4930	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo, cavi formati	FQPF3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3 (Formazione a Y)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	3A (Tc)	10 V	4,8 Ohm a 1,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	705 pF a 25 V	-	39 W (Tc)
FQB3N30TM	-	Richiesta di offerta	8904	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FQB3			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						300 V	3,2 A(Tc)	10 V	2,2 Ohm a 1,6 A, 10 V	5 V a 250 µA	7 nC a 10 V	±30 V	230 pF a 25 V	-	3,13 W (Ta), 55 W (Tc)
FDMA037N08LC	1.5900	Richiesta di offerta	2	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	FDMA037			MOSFET (ossido di metallo)		6-WDFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						80 V	6A (Tc)	4,5 V, 10 V	36,5 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 20 µA	9 nC a 10 V	±20 V	595 pF a 40 V	-	2,4 W(Ta)
MBT3904DW1T1G-M01	-	Richiesta di offerta	7436	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MBT3904				150 mW	SC-88/SC70-6/SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	3.000																					40 V	200mA							50nA	2 NPN (doppio)	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	300 MHz
MJD44H11G	1.0900	Richiesta di offerta	2498	onsemi	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD44				1,75 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	75																					80 V	8A							1μA	NPN	1 V a 400 mA, 8 A	40 @ 4A, 1V	85 MHz
FDMC6675BZ-T	-	Richiesta di offerta	7786	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-	-	-	FDMC66			-		-	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		-							9,5 A (Ta), 20 A (Tc)	-	-	-		±25 V		-	-
J309_D27Z	-	Richiesta di offerta	6563	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	25 V		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	J309		450 MHz	JFET		TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000	CanaleN		30mA		10 mA	-	12dB											3dB										10 V
NTLUS4930NTAG	-	Richiesta di offerta	1013	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	NTLUS4930			MOSFET (ossido di metallo)		6-UDFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN						30 V	3,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	28,5 mOhm a 6,1 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	8,7 nC a 10 V	±20 V	476 pF a 15 V	-	650 mW(Ta)
2SK3486-TD-E	0,1900	Richiesta di offerta	124	onsemi	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1.000
FQB13N10TM	-	Richiesta di offerta	8862	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FQB1			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						100 V	12,8 A(Tc)	10 V	180 mOhm a 6,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	16 nC a 10 V	±25 V	450 pF a 25 V	-	3,75 W (Ta), 65 W (Tc)
2SC3864	0,0700	Richiesta di offerta	1198	onsemi	*	Massa	Attivo											scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0075	500
FDMS9600S	2.4900	Richiesta di offerta	2	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	FDMS9600			MOSFET (ossido di metallo)	1 W	8-MLP (5x6), Potenza56	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)							30 V	12A, 16A		8,5 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	13nC a 4,5 V		1705 pF a 15 V	Porta a livello logico
NVMFS5C677NLT1G	1.4200	Richiesta di offerta	2441	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5			MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN						60 V	11A (Ta), 36A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 25 µA	9,7 nC a 10 V	±20 V	620 pF a 25 V	-	3,5 W (Ta), 37 W (Tc)
RJK5014DPK-00#T0	-	Richiesta di offerta	2815	onsemi	*	Massa	Attivo					RJK5014						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1
HUFA75329P3	-	Richiesta di offerta	4552	onsemi	UltraFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	HUFA75			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN						55 V	49A(Tc)	10 V	24 mOhm a 49 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 20 V	±20 V	1060 pF a 25 V	-	128 W(Tc)
2N5486_D74Z	-	Richiesta di offerta	2349	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto	25 V		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	2N5486		400 MHz	JFET		TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.000	CanaleN		20 mA			-	-											4dB										15 V
NVMFS5C646NLT3G	-	Richiesta di offerta	6238	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5			MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						60 V	20A (Ta), 93A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,7 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 250 µA	33,7 nC a 10 V	±20 V	2164 pF a 25 V	-	3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
SMMUN2114LT1G	0,3300	Richiesta di offerta	30	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMMUN2114				246 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000																					50 V	100 mA							500nA	PNP - Pre-polarizzato	250 mV a 300 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 10 V		10 kOhm	47 kOhm