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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
TN6727A_D74Z onsemi TN6727A_D74Z -
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 ECAD 3206 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati) TN6727 1 W TO-226 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 40 V 1,5 A 100nA (ICBO) PNP 500 mV a 100 mA, 1 A 50 a 1A, 1V -
MUN5312DW1T2G onsemi MUN5312DW1T2G 0,2800
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 ECAD 9 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MUN5312 385 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 300 µA, 10 mA 60 a 5 mA, 10 V - 22kOhm 22kOhm
2N6426G onsemi 2N6426G -
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 ECAD 9760 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2N6426 625 mW TO-92 (TO-226) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 5.000 40 V 500 mA 1μA NPN-Darlington 1,5 V a 500 µA, 500 mA 30000 a 100 mA, 5 V -
NVD4809NHT4G onsemi NVD4809NHT4G -
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 ECAD 6613 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 NVD480 MOSFET (ossido di metallo) DPAK-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 9A(Ta), 58A(Tc) 4,5 V, 11,5 V 9 mOhm a 30 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 44 nC a 11,5 V ±20 V 2155 pF a 12 V - 1,3 W (Ta), 52 W (Tc)
FDZ1416NZ onsemi FDZ1416NZ -
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 ECAD 2441 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP FDZ1416 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 4-WLCSP (1,6x1,4) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 5.000 Scarico comune a 2 canali N (doppio). - - - 1,3 V a 250 µA 17nC a 4,5 V - -
FQPF32N12V2 onsemi FQPF32N12V2 -
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 ECAD 4422 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo FQPF3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 120 V 32A(Tc) 10 V 50 mOhm a 16 A, 10 V 4 V a 250 µA 53 nC a 10 V ±30 V 1860 pF a 25 V - 50 W (Tc)
MMFT2N25ET3 onsemi MMFT2N25ET3 0,1500
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 ECAD 4 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0095 4.000
KSD1020YBU onsemi KSD1020YBU -
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 ECAD 7960 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo corto KSD1020 350 mW TO-92S scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 25 V 700mA 100nA (ICBO) NPN 400mV a 70mA, 700mA 120 a 100 mA, 1 V 170 MHz
NVMJD012N06CLTWG onsemi NVMJD012N06CLTWG 0,7134
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 ECAD 4638 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1205, 8-LFPAK56 NVMJD012 MOSFET (ossido di metallo) 3,2 W (Ta), 42 W (Tc) 8-LFPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NVMJD012N06CLTWGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 60 V 11,5 A (Ta), 42 A (Tc) 11,9 mOhm a 25 A, 10 V 2,2 V a 30 µA 11,5 nC a 10 V 792 pF a 25 V -
NVMFS5C670NLWFT3G onsemi NVMFS5C670NLWFT3G -
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 ECAD 9298 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS5 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) 4,5 V, 10 V 6,1 mOhm a 35 A, 10 V 2 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±20 V 1.400 pF a 25 V - 3,6 W (Ta), 61 W (Tc)
BD13710S onsemi BD13710S -
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 ECAD 1632 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD137 1,25 W TO-126-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 60 V 1,5 A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 63 a 150 mA, 2 V -
3LN01SS-TL-H onsemi 3LN01SS-TL-H -
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 ECAD 6388 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 3LN01 MOSFET (ossido di metallo) SMCP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 CanaleN 30 V 150mA(Ta) 1,5 V, 4 V 3,7 Ohm a 80 mA, 4 V - 1,58 nC a 10 V ±10 V 7 pF a 10 V - 150mW (Ta)
FDS2734 onsemi FDS2734 2.1000
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 ECAD 5402 0.00000000 onsemi UltraFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FDS27 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 250 V 3A (Ta) 6 V, 10 V 117 mOhm a 3 A, 10 V 4 V a 250 µA 45 nC a 10 V ±20 V 2610 pF a 100 V - 2,5 W(Ta)
BC558C_J35Z onsemi BC558C_J35Z -
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 ECAD 5067 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC558 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 420 a 2 mA, 5 V 150 MHz
FQB7P20TM onsemi FQB7P20TM -
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 ECAD 1072 0.00000000 onsemi QFET® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB FQB7P20 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 Canale P 200 V 7,3 A(Tc) 10 V 690 mOhm a 3,65 A, 10 V 5 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±30 V 770 pF a 25 V - 3,13 W (Ta), 90 W (Tc)
NTK3134NT1H onsemi NTK3134NT1H -
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 ECAD 8740 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-723 NTK3134 - SOT-723 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 - 890mA (Ta) 1,5 V, 4,5 V - - ±6 V - -
KSE701STU onsemi KSE701STU -
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 ECAD 2941 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 KSE70 40 W TO-126-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.920 60 V 4A 100μA PNP-Darlington 2,8 V a 40 mA, 2 A 750 a 2 A, 3 V -
BC850AMTF onsemi BC850AMTF -
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 ECAD 7687 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 310 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV a 5mA, 100mA 110 a 2 mA, 5 V 300 MHz
MUN5137DW1T1G onsemi MUN5137DW1T1G -
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 ECAD 4491 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MUN51 250 mW SC-88/SC70-6/SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 250 mV a 5 mA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V - 47kOhm 22kOhm
FCH104N60F-F085 onsemi FCH104N60F-F085 6.3300
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 ECAD 298 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 FCH104 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 37A(Tc) 10 V 104 mOhm a 18,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 139 nC a 10 V ±20 V 4302 pF a 100 V - 357 W(Tc)
NSV60600MZ4T3G onsemi NSV60600MZ4T3G 0,6400
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 ECAD 1853 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA NSV60600 800 mW SOT-223 (TO-261) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 4.000 60 V 6A 100nA (ICBO) PNP 350 mV a 600 mA, 6 A 120 a 1 A, 2 V 100 MHz
BC847CTT1G onsemi BC847CTT1G -
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 ECAD 5441 0.00000000 onsemi - Nastro tagliato (CT) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 BC847 200 mW SC-75, SOT-416 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA - NPN 600mV a 5mA, 100mA 420 a 2 mA, 5 V 100 MHz
FDN327N onsemi FDN327N 0,4900
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 ECAD 9795 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN327 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 2A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 70 mOhm a 2 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 6,3 nC a 4,5 V ±8 V 423 pF a 10 V - 500 mW (Ta)
FDD5690 onsemi FDD5690 1.6100
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FDD569 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 30A (Tc) 6 V, 10 V 27 mOhm a 9 A, 10 V 4 V a 250 µA 32 nC a 10 V ±20 V 1110 pF a 25 V - 3,2 W (Ta), 50 W (Tc)
NVTFS4C06NTAG onsemi NVTFS4C06NTAG 1.6400
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 ECAD 6546 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NVTFS4 MOSFET (ossido di metallo) 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 30 V 21A (Ta) 4,5 V, 10 V 4,2 mOhm a 30 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 26 nC a 10 V ±20 V 1683 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 37 W (Tc)
NUS2401SNT1 onsemi NUS2401SNT1 -
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 ECAD 3514 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 NUS2401 350 mW SC-74 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 200mA 500nA 2 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato 250 mV a 1 mA, 10 mA / 250 mV a 300 µA, 10 mA - - 175 Ohm, 10 kOhm 10kOhm
2N6043 onsemi 2N6043 -
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 ECAD 8776 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 2N6043 75 W TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 60 V 8A 20μA NPN-Darlington 2 V a 16 mA, 4 A 1000 a 4 A, 4 V -
NDT014 onsemi NDT014 0,8500
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 ECAD 17 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA NDT014 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-4 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 CanaleN 60 V 2,7A(Ta) 10 V 200 mOhm a 1,6 A, 10 V 4 V a 250 µA 11 nC a 10 V ±20 V 155 pF a 25 V - 3 W (Ta)
2SC4696-AN onsemi 2SC4696-AN 0,2100
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 ECAD 7 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1
MCH3315-TL-E onsemi MCH3315-TL-E 0,1500
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 ECAD 12 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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