Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BCX70G	-	Richiesta di offerta	3220	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCX70			350 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	45 V	200 mA	20nA	NPN	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	120 a 2 mA, 5 V	125 MHz
FDD86381-F085	1.2000	Richiesta di offerta	21	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FDD86381		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN				80 V	25A (Tc)	10 V	21 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	866 pF a 40 V	-	48,4 W(Tj)
BC638G	-	Richiesta di offerta	6410	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	BC638			625 mW	TO-92 (TO-226)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000																	60 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	150 MHz
2N5551CTA	-	Richiesta di offerta	7638	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	2N5551			625 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																	160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	100 MHz
D44H10TU	-	Richiesta di offerta	5748	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-	Foro passante	TO-220-3	D44H				TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	80 V	8A	-	NPN	-	-	-
2N5885G	4.8179	Richiesta di offerta	8943	onsemi	-	Vassoio	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N5885			200 W	TO-204 (TO-3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100																	60 V	25A	2mA	NPN	4 V a 6,25 A, 25 A	20 a 10 A, 4 V	4 MHz
EMG5DXV5T1	-	Richiesta di offerta	2468	onsemi	*		Obsoleto					EMG5DX					-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	4.000
BC858BLT1G	0,1300	Richiesta di offerta	9	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC858			300 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
NTD5407NG	-	Richiesta di offerta	1809	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NTD54		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN				40 V	7,6 A (Ta), 38 A (Tc)	5 V, 10 V	26 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 32 V	-	75 W (Tc)
BC846BLT1	-	Richiesta di offerta	4083	onsemi	*	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto					BC846					scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
MJD253-1G	0,7600	Richiesta di offerta	474	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	MJD253			1,4 W	I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	75																	100 V	4A	100nA (ICBO)	PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	40 a 200 mA, 1 V	40 MHz
ECH8664R-TL-H	-	Richiesta di offerta	8583	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	ECH8664		MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W	8-CE	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)					30 V	7A		23,5 mOhm a 3,5 A, 4,5 V	-	10nC a 4,5 V		-	Porta a livello logico
2N5657G	-	Richiesta di offerta	9486	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	2N5657			20 W	TO-126	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500																	350 V	500 mA	100μA	NPN	10 V a 100 mA, 500 mA	30 a 100 mA, 10 V	10 MHz
BC846AWT1G	-	Richiesta di offerta	9269	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC846			150 mW	SC-70-3 (SOT323)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	65 V	100 mA	15nA (ICBO)	NPN	600mV a 5mA, 100mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BF256AG	-	Richiesta di offerta	7395	onsemi	-	Massa	Obsoleto	30 V		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	BF256	800 MHz	JFET		TO-92 (TO-226)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000	CanaleN		7mA	-	11dB											-
NVMFS5C430NWFT1G	-	Richiesta di offerta	8530	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NVMFS5		MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN				40 V	185A(Tc)	10 V	1,7 mOhm a 50 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	47 nC a 10 V	±20 V	3300 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 106 W (Tc)
D45VH10G	0,9300	Richiesta di offerta	6541	onsemi	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	D45VH10			83 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	50																	80 V	15A	-	PNP	1 V a 800 mA, 8 A	20 @ 4A, 1V	50 MHz
MPSH34_D26Z	-	Richiesta di offerta	8514	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	MPSH34			625 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																	40 V	50 mA	50nA (ICBO)	NPN	500 mV a 2 mA, 7 mA	15 a 20 mA, 2 V	500 MHz
MJL21196	-	Richiesta di offerta	1552	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	MJL21			200 W	TO-264	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	MJL21196OS	EAR99	8541.29.0095	25																	250 V	16A	100μA	NPN	4 V a 3,2 A, 16 A	25 a 8 A, 5 V	4 MHz
FJPF13007H1	-	Richiesta di offerta	1177	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FJPF13007			40 W	TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	200																	400 V	8A	-	NPN	3 V a 2 A, 8 A	15 a 2 A, 5 V	4 MHz
KSB1116AGTA	-	Richiesta di offerta	3286	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	KSB11			750 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																	60 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	300 mV a 50 mA, 1 A	200 a 100 mA, 2 V	120 MHz
KSC2073H1TU	-	Richiesta di offerta	8494	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	KSC2073			25 W	TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	150 V	1,5 A	10μA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 500 mA, 10 V	4 MHz
MJ11016	-	Richiesta di offerta	9885	onsemi	-	Vassoio	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	MJ110			200 W	TO-204 (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	MJ11016OS	EAR99	8541.29.0095	100																	120 V	30A	1mA	NPN-Darlington	4 V a 300 mA, 30 A	1000 a 20 A, 5 V	4 MHz
BC639_D75Z	-	Richiesta di offerta	2966	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC639			1 W	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																	80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	100 MHz
TIP31AG	0,9900	Richiesta di offerta	579	onsemi	-	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO31			2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	60 V	3A	300μA	NPN	1,2 V a 375 mA, 3 A	10 a 3 A, 4 V	3 MHz
NTGS3443T1G	0,5400	Richiesta di offerta	1	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	NTGS3443		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P				20 V	2,2A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	65 mOhm a 4,4 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±12V	565 pF a 5 V	-	500 mW (Ta)
BD18010STU	-	Richiesta di offerta	9874	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD180			30 W	TO-126-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	60																	80 V	3A	100μA (ICBO)	PNP	800 mV a 100 mA, 1 A	63 a 150 mA, 2 V	3 MHz
FDPC8014AS	-	Richiesta di offerta	6026	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	FDPC8014		MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W, 2,3 W	Clip di alimentazione 56	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio) asimmetrico					25 V	20A, 40A		3,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	35 nC a 10 V		2375 pF a 13 V	-
HUF75631SK8T	-	Richiesta di offerta	4627	onsemi	UltraFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HUF75		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN				100 V	5,5A(Ta)	10 V	39 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	79 nC a 20 V	±20 V	1225 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
FQP20N06L	1.5600	Richiesta di offerta	4624	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	FQP20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN				60 V	21A(Tc)	5 V, 10 V	55 mOhm a 10,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	13 nC a 5 V	±20 V	630 pF a 25 V	-	53 W (Tc)