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Transistor(39)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
P3M12040G7	20.9800	Richiesta di offerta	8324	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA	SiCFET (carburo di silicio)	D2PAK-7	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M12040G7TR			1	CanaleN	1200 V	69A	15 V	53 mOhm a 40 A, 15 V	2,2 V a 40 mA (tip.)		+19 V, -8 V		-	357W
P3M06040K4	12.1700	Richiesta di offerta	2233	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	SiCFET (carburo di silicio)	TO-247-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M06040K4			1	CanaleN	650 V	68A	15 V	50 mOhm a 40 A, 15 V	2,4 V a 7,5 mA (tip.)		+20 V, -8 V		-	254 W
P3M171K0T3	6.1000	Richiesta di offerta	9441	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-2	SiCFET (carburo di silicio)	TO-220-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M171K0T3			1	CanaleN	1700 V	6A	15 V	1,4 Ohm a 2 A, 15 V	2,2 V a 2 mA (tip.)		+19 V, -8 V		-	100 W
P3M17040K3	35.8600	Richiesta di offerta	3652	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SiCFET (carburo di silicio)	TO-247-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M17040K3			1	CanaleN	1700 V	73A	15 V	60 mOhm a 50 A, 15 V	2,2 V a 50 mA (tip.)		+19 V, -8 V		-	536 W
P3M06060L8	10.3800	Richiesta di offerta	5762	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale		SiCFET (carburo di silicio)	PEDAGGIO	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M06060L8TR			1	CanaleN	650 V	40A	15 V	79 mOhm a 20 A, 15 V	2,4 V a 5 mA (tip.)		+20 V, -8 V		-	188 W
P3M06120T3	9.0500	Richiesta di offerta	8880	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-2	SiCFET (carburo di silicio)	TO-220-2L	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M06120T3			1	CanaleN	650 V	29A	15 V	158 mOhm a 10 A, 15 V	2,2 V a 5 mA (tip.)		+20 V, -8 V		-	153 W
P3M06300K3	4.9800	Richiesta di offerta	3261	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SiCFET (carburo di silicio)	TO-247-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M06300K3			1	CanaleN	650 V	9A	15 V	500 mOhm a 4,5 A, 15 V	2,2 V a 5 mA (tip.)	904 nC a 15 V	+20 V, -8 V	338 pF a 400 V	-	38 W
P3M171K0K3	6.1000	Richiesta di offerta	5311	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SiCFET (carburo di silicio)	TO-247-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M171K0K3			1	CanaleN	1700 V	6A	15 V	1,4 Ohm a 2 A, 15 V	2,2 V a 2 mA (tip.)		+19 V, -8 V		-	68W
P3M06060G7	10.3800	Richiesta di offerta	7390	Semiconduttore con giunzione PN	P3M	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA	SiCFET (carburo di silicio)	D2PAK-7	scaricamento	Conformità ROHS3	RAGGIUNGERE Interessato	4237-P3M06060G7TR	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	650 V	44A	15 V	79 mOhm a 20 A, 15 V	2,2 V a 20 mA (tip.)		+20 V, -8 V		-	159 W