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Transistor(39)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima)
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor P3M12080K4 11.9000
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 ECAD 9034 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12080K4 1 CanaleN 1200 V 47A 15 V 96 mOhm a 20 A, 15 V 2,4 V a 5 mA (tip.) +21V, -8V - 221W
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor P3M12017K4 39,7500
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 ECAD 7138 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12017K4 1 CanaleN 1200 V 151A 15 V 24 mOhm a 75 A, 15 V 2,5 V a 75 mA (tip.) +25 V, -10 V - 789W
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33,9000
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 ECAD 4850 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M07013K4 1 CanaleN 750 V 140A 15 V 16 mOhm a 75 A, 15 V 2,2 V a 75 mA (tip.) +19 V, -8 V - 428 W
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor P3M12040K3 20.9800
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 ECAD 8887 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12040K3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 63A 15 V 48 mOhm a 40 A, 15 V 2,2 V a 40 mA (tip.) +21V, -8V - 349 W
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor P3M12040K4 20.9800
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 ECAD 2699 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12040K4 1 CanaleN 1200 V 63A 15 V 48 mOhm a 40 A, 15 V 2,2 V a 40 mA (tip.) +21V, -8V - 349 W
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7 11.9000
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 ECAD 1610 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12080G7TR 1 CanaleN 1200 V 32A 15 V 96 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 30 mA (tip.) +19 V, -8 V - 136 W
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
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 ECAD 2705 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06120K4 1 CanaleN 650 V 27A 15 V 158 mOhm a 10 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 131 W
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3 882.3600
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 ECAD 3564 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN - Vassoio Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo PAA12400 Carburo di silicio (SiC) - Modulo scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-PAA12400BM3 1 2 canali N (mezzo ponte) 1200 V (1,2 kV) 350A 7,3 mOhm a 300 A, 20 V 5 V a 100 mA - 29,5 pF a 1000 V -
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor P3M171K2K3 5.5900
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 ECAD 2230 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K2K3 1 CanaleN 1700 V 6A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 68W
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
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 ECAD 6996 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06120K3 1 CanaleN 650 V 27A 15 V 158 mOhm a 10 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 131 W
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
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 ECAD 7689 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale GaNFET (nitruro di gallio) DFN8*8 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P1H06300D8TR 1 CanaleN 650 V 10A 6V - +10 V, -20 V - 55,5 W
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
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 ECAD 2030 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06040K3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 650 V 68A 15 V 50 mOhm a 40 A, 15 V 2,4 V a 7,5 mA (tip.) +20 V, -8 V - 254 W
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
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 ECAD 9755 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060K3 1 CanaleN 650 V 48A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 20 mA (tip.) +20 V, -8 V - 188 W
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
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 ECAD 2069 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12025K3 1 CanaleN 1200 V 113A 15 V 35 mOhm a 50 A, 15 V 2,4 V a 17,7 mA (tip.) +21V, -10V - 524 W
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
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 ECAD 8824 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12160K3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 19A 15 V 192 mOhm a 10 A, 15 V 2,4 V a 2,5 mA (tip.) +21V, -8V - 110 W
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
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 ECAD 30 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12025K4 1 CanaleN 1200 V 112A 15 V 35 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +19 V, -8 V - 577W
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
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 ECAD 2987 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220F-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220F-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K0F3 1 CanaleN 1700 V 5,5 A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 51W
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 5.0800
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 ECAD 8943 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M173K0T3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1700 V 4A 15 V 2,6 Ohm a 600 mA, 15 V 2,2 V a 600 µA (tip.) +19 V, -8 V - 75 W
P3M17040K4 PN Junction Semiconductor P3M17040K4 35.8600
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 ECAD 4762 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M17040K4 1 CanaleN 1700 V 73A 15 V 60 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +19 V, -8 V - 536 W
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
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 ECAD 7995 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060K4 1 CanaleN 650 V 48A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,4 V a 5 mA (tip.) +20 V, -8 V - 188 W
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4 8.8300
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 ECAD 9289 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12160K4 1 CanaleN 1200 V 19A 15 V 192 mOhm a 10 A, 15 V 2,4 V a 2,5 mA (tip.) +21V, -8V - 110 W
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
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 ECAD 7160 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DFN8*8 SiCFET (carburo di silicio) DFN8*8 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300D8TR 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 32 W
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor P3M173K0K3 5.0800
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 ECAD 6554 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M173K0K3 1 CanaleN 1700 V 4A 15 V 3,6 Ohm a 600 mA, 15 V 2,2 V a 600 µA (tip.) +19 V, -8 V - 63 W
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor P3M171K0G7 6.1000
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 ECAD 7429 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K0G7 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1700 V 7A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 100 W
P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3 4.9800
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 ECAD 7695 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300T3 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 35 W
P3M06060T3 PN Junction Semiconductor P3M06060T3 10.3800
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 ECAD 8146 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060T3 1 CanaleN 650 V 46A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 20 mA (tip.) +20 V, -8 V - 170 W
P3M173K0F3 PN Junction Semiconductor P3M173K0F3 5.0800
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 ECAD 8624 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220F-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220F-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M173K0F3 1 CanaleN 1700 V 1,97A 15 V 3,6 Ohm a 0,25 A, 15 V 2,2 V a 1,5 mA (tip.) +19 V, -8 V - 19 W
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
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 ECAD 8324 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12040G7TR 1 CanaleN 1200 V 69A 15 V 53 mOhm a 40 A, 15 V 2,2 V a 40 mA (tip.) +19 V, -8 V - 357 W
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
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 ECAD 4032 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DFN5*6 SiCFET (carburo di silicio) DFN5*6 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300D5TR 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 26 W
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
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 ECAD 7390 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060G7TR EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 650 V 44A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 20 mA (tip.) +20 V, -8 V - 159 W
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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