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Diodi(166326)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
BZT52C16 DX	0,0412	Richiesta di offerta	5070	Società di semiconduttori di Taiwan	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123F	BZT52C		500 mW	SOD-123F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000			1 V a 10 mA		45 nA a 11,2 V				16 V	40 Ohm
JANTX1N4120D-1/TR	16.3856	Richiesta di offerta	1859	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4120D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		10 nA a 22,8 V				30 V	200 ohm
BZD27C51PHMTG	-	Richiesta di offerta	3224	Società di semiconduttori di Taiwan	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5,88%	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-219AB	BZD27		1 W	SottoSMA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	7.500			1,2 V a 200 mA		1 µA a 39 V				51 V	60 Ohm
JAN1N4622D-1	12.0000	Richiesta di offerta	9780	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4622		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		2,5 µA a 2 V				3,9 V	1650 Ohm
SR105-TP	0,0474	Richiesta di offerta	2015	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	SR105	Schottky		DO-41	scaricamento				353-SR105-TP	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	50 V	700 mV a 1 A		500 µA a 50 V	-55°C ~ 125°C	1A	-
1N5920E3/TR13	-	Richiesta di offerta	4994	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5920		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000			1,2 V a 200 mA		5 µA a 4 V				6,2 V	2 Ohm
JANTX1N4974DUS/TR	30,9000	Richiesta di offerta	9003	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/356	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			5 W	E-MELF	-				150-JANTX1N4974DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1,5 V a 1 A		2 µA a 35,8 V				47 V	25 Ohm
1N7053-1	7.1700	Richiesta di offerta	2671	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N7053		250 mW	DO-7	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1									4,8 V	35 Ohm
1N966BE3	2.0083	Richiesta di offerta	8396	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW	DO-7 (DO-204AA)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N966BE3	EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		5 µA a 12,2 V				16 V	17 Ohm
V7NL63HM3/I	0,6200	Richiesta di offerta	14	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automotive, AEC-Q101, TMBS®	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale, fianco bagnabile	2-VDFN	V7NL63	Schottky		DFN3820A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato				14.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	60 V	580 mV a 7 A		110 µA a 60 V	-40°C~150°C	2,6 A	1150 pF a 4 V, 1 MHz
1N5985UR-1/TR	3.7400	Richiesta di offerta	9079	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	264			1,1 V a 200 mA						2,4 V
1N5924PE3/TR8	0,9150	Richiesta di offerta	3420	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5924		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500			1,2 V a 200 mA		5 µA a 7 V				9,1 V	4 Ohm
CD5268B	1.4497	Richiesta di offerta	9821	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire			500 mW	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD5268B	EAR99	8541.10.0050	1			1,5 V a 200 mA		100 nA a 62 V				82 V	330 Ohm
GDZ3V3B-G3-18	0,0445	Richiesta di offerta	6496	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	GDZ-G	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±4%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	GDZ3V3		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000					20 µA a 1 V				3,3 V	120 Ohm
JAN1N5539D-1	13.8000	Richiesta di offerta	5564	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5539		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		10 nA a 17,1 V				19 V	100 ohm
1N5250A	2.7750	Richiesta di offerta	1612	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C (TA)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1			1,5 V a 200 mA		100 nA a 14,3 V				20 V	25 Ohm
VS-96-1091PBF	-	Richiesta di offerta	3733	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	*	Tubo	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			OBSOLETO	0000.00.0000	50
1N2274R	2.5000	Richiesta di offerta	50	Stato Solido Inc.	-	Scatola	Attivo			Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero		Standard, polarità inversa		DO-5	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	2383-1N2274R	EAR99	8541.10.0080	10	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)	200 V	1,19 V a 90 A		10 µA a 200 V	-65°C ~ 200°C	40A	-
GP08G-E3/73	-	Richiesta di offerta	3538	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	SUPERECTIFIER®	Nastro e scatola (TB)	Attivo			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	GP08	Standard		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)	400 V	1,3 V a 800 mA	2 µs	5 µA a 400 V	-65°C ~ 175°C	800 mA	-
1N4736AP/TR12	1.8900	Richiesta di offerta	4023	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4736		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000			1,2 V a 200 mA		10 µA a 4 V				6,8 V	3,5 Ohm
ZM4743A	0,0830	Richiesta di offerta	4298	Società di semiconduttori di Taiwan	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	ZM4743		1 W	MELF	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1801-ZM4743ATR	EAR99	8541.10.0050	5.000					5 µA a 9,9 V				13 V	10 Ohm
BZX384C11-E3-08	0,2400	Richiesta di offerta	9292	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	BZX384	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BZX384C11		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000					100 nA a 8 V				11 V	20 Ohm
JAN1N976C-1/TR	4.0432	Richiesta di offerta	9081	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N976C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1,1 V a 200 mA		500 nA a 33 V				43 V	93 Ohm
SS1040HE_R1_00001	0,3800	Richiesta di offerta	3	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123H	SS1040	Schottky		SOD-123HE	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-SS1040HE_R1_00001DKR	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	40 V	550 mV a 1 A		30 µA a 40 V	-55°C ~ 150°C	1A	155pF a 0 V, 1 MHz
DSR10F600PI	-	Richiesta di offerta	6246	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2 Confezione completa, scheda isolata		Standard		ITO-220AC	scaricamento				31-DSR10F600PI	EAR99	8541.10.0080	50	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	600 V	3,2 V a 10 A	30 ns	20 µA a 600 V	175°C	10A	26 pF a 10 V, 1 MHz
SBRD8350RLG-VF01	0,4700	Richiesta di offerta	5	onsemi	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		Schottky		DPAK	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-SBRD8350RLG-VF01	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)	50 V	600 mV a 3 A		200 µA a 50 V	-65°C ~ 175°C	3A	-
BZT52-B4V3-AU_R1_000A1	0,0243	Richiesta di offerta	6206	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,09%	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123	BZT52		410 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.252.000			900 mV a 10 mA		5 µA a 1 V				4,3 V	95 Ohm
MMSZ5265C-HE3_A-08	0,0566	Richiesta di offerta	3641	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123			500 mW	SOD-123	scaricamento				112-MMSZ5265C-HE3_A-08TR	EAR99	8541.10.0050	15.000			900 mV a 10 mA		100 nA a 47 V				62 V	185 Ohm
S1D-M3/5AT	0,0508	Richiesta di offerta	6258	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	S1D	Standard		DO-214AC (SMA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	7.500	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)	200 V	1,1 V a 1 A	1,8 µs	1 µA a 200 V	-55°C ~ 150°C	1A	12 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ27SD R0G	0,0305	Richiesta di offerta	4097	Società di semiconduttori di Taiwan	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AG, DO-34, assiale	MTZJ27		500 mW	DO-34	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000					200 nA a 21 V				26,97 V	45 Ohm