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Diodi(166326)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Corrente - Media rettificata (Io)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)
DB104	0,3400	Richiesta di offerta	1324	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)		Standard		DB-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		2516-DB104	EAR99	8541.10.0080	2.500	1 V a 1 A	1 µA a 400 V	1A	Monofase	400 V
RD12JS-AZ	0,0500	Richiesta di offerta	7493	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	2.700
Z3SMC120	0,2393	Richiesta di offerta	4951	Semiconduttore Diotec	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-214AB, SMC			3 W	SMC (DO-214AB)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		2796-Z3SMC120TR		8541.10.0000	3.000		1 µA a 60 V				120 V	80 Ohm
DBL203GH	-	Richiesta di offerta	8806	Società di semiconduttori di Taiwan	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		Standard		DBL	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1801-DBL203GH	EAR99	8541.10.0080	5.000	1,15 V a 2 A	2 µA a 200 V	2A	Monofase	200 V
TS15P01GH	-	Richiesta di offerta	4540	Società di semiconduttori di Taiwan	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 SIP, TS-6P		Standard		TS-6P	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1801-TS15P01GH	EAR99	8541.10.0080	1.200	1,1 V a 15 A	10 µA a 50 V	15A	Monofase	50 V
W01G-G	-	Richiesta di offerta	6277	Tecnologia ComChip	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	4 quadrati, BR	W01G	Standard		BR	-	Conformità ROHS3			641-W01G-G	EAR99	8541.10.0080	1	1,1 V a 1,5 A	10 µA a 100 V	1,5 A	Monofase	100 V
HBS504-HF	0,3393	Richiesta di offerta	7930	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Standard		HBS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-HBS504-HFTR	EAR99	8541.10.0080	2.500	970 mV a 5 A	5 µA a 400 V	5A	Monofase	400 V
NTE53018	6.0000	Richiesta di offerta	113	NTE Electronics, Inc	-	Borsa	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4-quadrati		Standard		-	scaricamento	Conformità ROHS3			2368-NTE53018	EAR99	8541.10.0070	1	1,1 V a 25 A	50 µA a 600 V	50A	Monofase	600 V
GBPC1006	2.2100	Richiesta di offerta	250	ONDEGGIARE	GBPC10	Borsa	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)				Standard			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	2616-GBPC1006	3A001	8541.10.0080	1	1,1 V a 5 A	5 µA a 600 V	10A	Monofase	600 V
DRS201K	0,4200	Richiesta di offerta	6827	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-ESIP		Standard		D3K	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		2516-DRS201K	EAR99	8541.10.0080	9.000	1,1 V a 2 A	1 µA a 50 V	2A	Monofase	50 V
RBU407M	0,7900	Richiesta di offerta	2183	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RBU		Standard		RBU	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		2516-RBU407M	EAR99	8541.10.0080	2.000	1 V a 4 A	1μA a 1000 V	4A	Monofase	1 kV
MSB303S	0,3600	Richiesta di offerta	9031	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, cavo piatto	MSB30	Standard		MSBS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		2516-MSB303STR	EAR99	8541.10.0080	24.000	1,1 V a 3 A	1 µA a 200 V	3A	Monofase	200 V
JAN1N979B-1/TR	1.6625	Richiesta di offerta	1907	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/117	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N979B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1,1 V a 200 mA	500 nA a 43 V				56 V	150 Ohm
JANTX1N5543BUR-1/TR	13.2202	Richiesta di offerta	9702	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N5543BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1,1 V a 200 mA	10 nA a 22,4 V				25 V	100 ohm
JANTX1N4481/TR	10.2809	Richiesta di offerta	4025	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale			1,5 W	DO-204AL (DO-41)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4481/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1,5 V a 1 A	50 nA a 37,6 V				47 V	50 Ohm
1N4699-1E3	3.6575	Richiesta di offerta	8509	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N4699-1E3	EAR99	8541.10.0050	1	1,1 V a 200 mA	50 nA a 9,1 V				12 V
JANTX1N4102UR-1/TR	5.8919	Richiesta di offerta	2686	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4102UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1	1,1 V a 200 mA	500 nA a 6,7 V				8,7 V	200 ohm
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1	132.7200	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo		Standard		AG-EASY1B-1	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	24	1,85 V a 60 A	174 µA a 1200 V	60A	Monofase	1,2 kV
KBJ1006G-BP	0,5250	Richiesta di offerta	9461	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBJ	KBJ1006	Standard		KBJ	scaricamento				353-KBJ1006G-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1 V a 5 A	5 µA a 600 V	10A	Monofase	600 V
KBP210G-BPS01	0,1788	Richiesta di offerta	3458	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBP	KBP210	Standard		Sterlina inglese	scaricamento				353-KBP210G-BPS01	EAR99	8541.10.0080	1	1,05 V a 2 A	10 µA a 1000 V	2A	Monofase	1 kV
KBJA1510-BP	0,3392	Richiesta di offerta	6820	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, JB	KBJA1510	Standard		JB	scaricamento				353-KBJA1510-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1 V a 7,5 A	5 µA a 1000 V	15A	Monofase	1 kV
GBJ30K	1.1205	Richiesta di offerta	6434	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ30	Standard		GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3			1242-GBJ30K	EAR99	8541.10.0080	200	1,05 V a 15 A	5 µA a 800 V	30A	Monofase	800 V
MMXZ5261C-TP	0,0488	Richiesta di offerta	2413	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	MMXZ5261		200 mW	SOD-323	scaricamento				353-MMXZ5261C-TP	EAR99	8541.10.0050	1	900 mV a 100 mA	100 nA a 36 V				47 V	105 Ohm
GBJ808-BP	0,3863	Richiesta di offerta	8771	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ808	Standard		GBJ	scaricamento				353-GBJ808-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1 V a 4 A	5 µA a 800 V	8A	Monofase	800 V
GBPC3501W-BP	2.0202	Richiesta di offerta	8442	MicroCommerciale Co	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, GBPC-W	GBPC3501	Standard		GBPC-W	scaricamento				353-GBPC3501W-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1,1 V a 17,5 A	5 µA a 100 V	35A	Monofase	100 V
MT5008A-BP	7.2080	Richiesta di offerta	8489	MicroCommerciale Co	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	5 quadrati, MT-35A	MT5008	Standard		MT-35A	scaricamento				353-MT5008A-BP	EAR99	8541.10.0080	1	1,2 V a 25 A	10 µA a 800 V	50A	Tre fasi	800 V
GBU30T08_HF	1.5880	Richiesta di offerta	5763	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU30	Standard		GBU	-				31-GBU30T08_HF	EAR99	8541.10.0080	20	1,1 V a 15 A	10 µA a 800 V	30A	Monofase	800 V
BZT52C3V3-HE3_A-18	0,0533	Richiesta di offerta	2811	Vishay General Semiconductor - Divisione Diodi	Automobilistico, AEC-Q101, BZT52	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123			300 mW	SOD-123	scaricamento				112-BZT52C3V3-HE3_A-18TR	EAR99	8541.10.0050	10.000		5 µA a 1 V				3,3 V	95 Ohm
GBPC4004	4.1148	Richiesta di offerta	6390	Società di semiconduttori di Taiwan	GBPC40	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	4 quadrati, GBPC	GBPC4004	Standard		GBPC	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1801-GBPC4004	EAR99	8541.10.0080	200	1,1 V a 20 A	10 µA a 400 V	40A	Monofase	400 V
T15JA07G-K	1.2234	Richiesta di offerta	8590	Società di semiconduttori di Taiwan	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 SIP, TS-6P	T15JA	Standard		TS-6P	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1801-T15JA07G-K	EAR99	8541.10.0080	1.500	1,1 V a 15 A	5 µA a 1000 V	15A	Monofase	1 kV