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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
SK22A Taiwan Semiconductor Corporation SK22A -
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 ECAD 7799 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SK22ATR EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 500 mV a 2 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 2A -
1PGSMB5955 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5955 0,1689
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 ECAD 7263 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan 1PGSMB59 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 3 W DO-214AA (PMI) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 136,8 V 180 V 900 Ohm
BZT52C18-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C18-G RHG 0,0445
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 ECAD 3940 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52C 350 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12,6 V 18 V 45 Ohm
1N5244B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5244B A0G -
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 ECAD 8297 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% 100°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5244 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,1 V a 200 mA 100 nA a 10 V 14 V 15 Ohm
ES2JFSH Taiwan Semiconductor Corporation ES2JFSH 0,1491
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 ECAD 5292 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-128 Standard SOD-128 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-ES2JFSHTR EAR99 8541.10.0080 14.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 2 A 35 ns 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 2A 21 pF a 4 V, 1 MHz
HER1604GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1604GH 0,6155
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 ECAD 5728 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-HER1604GH EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 300 V 16A 1 V a 8 A 50 n 10 µA a 300 V -55°C ~ 150°C
RS2A M4G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A M4G -
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 ECAD 9813 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI RS2A Standard DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1,3 V a 2 A 150 n 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 2A 50 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C18P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PRFG -
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 ECAD 9388 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,4% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 13 V 17,95 V 15 Ohm
BZD27C120P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P R3G -
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 ECAD 1290 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,39% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 1 µA a 91 V 120,5 V 300 ohm
RS1A Taiwan Semiconductor Corporation RS1A 0,0929
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 ECAD 5238 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Standard DO-214AC (SMA) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1,3 V a 1 A 150 n 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
SR205HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR205HR0G -
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 ECAD 4654 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale SR205 Schottky DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 2 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 2A -
SFT13GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation SFT13GHA1G -
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 ECAD 1752 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Interrotto alla SIC Foro passante T-18, assiale SFT13 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
TSI10H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H200CW -
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 ECAD 2144 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Obsoleto Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI10 Schottky I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 2.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 5A 910 mV a 5 A 100 µA a 200 V -55°C ~ 150°C
1N4004G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004G R1G -
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 ECAD 7093 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4004 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1 V a 1 A 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
SRAS860 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS860MNG -
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 ECAD 5931 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SRAS860 Schottky TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 8 A 100 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 8A -
HS1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RVG 0,6700
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 ECAD 17 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB HS1G Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
SS210LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS210LHMHG -
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 ECAD 6267 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS210 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 850 mV a 2 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 2A -
BZD27C33P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PMHG -
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 ECAD 7041 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,06% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 24 V 33 V 15 Ohm
6A20G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20G R0G -
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 ECAD 6477 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante R-6, assiale 6A20 Standard R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V a 6 A 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 6A 60 pF a 4 V, 1 MHz
RSFBL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFBL MHG -
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 ECAD 9343 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RSFBL Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,3 V a 500 mA 150 n 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 500mA 4pF a 4V, 1MHz
TSZU52C2V0 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V0 0,0669
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 ECAD 2038 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 0603 (1608 metri) TSZU52 150 mW 0603 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-TSZU52C2V0TR EAR99 8541.10.0050 20.000 900 mV a 10 mA 100 µA a 1 V 2 V 100 ohm
BZD27C7V5PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMTG -
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 ECAD 3606 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,04% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 50 µA a 3 V 7,45 V 2 Ohm
BZT52B30-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B30-G 0,0461
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 ECAD 8346 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52B 410 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52B30-GTR EAR99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 21 V 30 V 80 Ohm
RS2JH Taiwan Semiconductor Corporation RS2JH 0,0964
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 ECAD 9538 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI Standard DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-RS2JHTR EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 2 A 250 n 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 2A 50 pF a 4 V, 1 MHz
MMSZ5243B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5243B RHG 0,0433
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 ECAD 1978 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F MMSZ5243 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 500 nA a 9,9 V 13 V 13 Ohm
1SMB5943 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5943R5G -
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 ECAD 4012 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5943 3 W DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 850 1 µA a 42,6 V 56 V 86 Ohm
GBLA02 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA02 -
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 ECAD 4143 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBL Standard GBL - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-GBLA02 EAR99 8541.10.0080 1.200 1 V a 4 A 5 µA a 200 V 3A Monofase 200 V
1PGSMB5955 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5955R5G -
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 ECAD 4694 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1PGSMB5955 3 W DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 850 1 µA a 136,8 V 180 V 900 Ohm
SK29A Taiwan Semiconductor Corporation SK29A -
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 ECAD 7290 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SK29ATR EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 850 mV a 2 A 100 µA a 90 V -55°C ~ 150°C 2A -
SFAF504GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF504GHC0G -
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 ECAD 8017 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo SFAF504 Standard ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 975 mV a 5 A 35 ns 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 5A 70 pF a 4 V, 1 MHz
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