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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DBL203GH | - | ![]() | 8806 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | Standard | DBL | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-DBL203GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,15 V a 2 A | 2 µA a 200 V | 2A | Monofase | 200 V | ||||||
![]() | TS15P01GH | - | ![]() | 4540 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | Standard | TS-6P | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-TS15P01GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,1 V a 15 A | 10 µA a 50 V | 15A | Monofase | 50 V | ||||||
![]() | HDBL101G | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | Standard | DBL | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-HDBL101G | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1 V a 1 A | 5 µA a 50 V | 1A | Monofase | 50 V | ||||||
![]() | GBPC4004 | 4.1148 | ![]() | 6390 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | GBPC40 | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, GBPC | GBPC4004 | Standard | GBPC | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-GBPC4004 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V a 20 A | 10 µA a 400 V | 40A | Monofase | 400 V | ||||||
![]() | ZM4745A | 0,0830 | ![]() | 6773 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF | ZM4745 | 1 W | MELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-ZM4745ATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 12,2 V | 16 V | 16 Ohm | |||||||
![]() | T15JA07G-K | 1.2234 | ![]() | 8590 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | T15JA | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-T15JA07G-K | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 1000 V | 15A | Monofase | 1 kV | ||||||
![]() | GBPC5002M | 6.2532 | ![]() | 2318 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | GBPC50 | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | 4 quadrati, GBPC | GBPC5002 | Standard | GBPC | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-GBPC5002M | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 200 V | 50A | Monofase | 200 V | ||||||
![]() | TS10K60H | 0,7521 | ![]() | 3313 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4SIP,TS4K | TS10K60 | Standard | TS4K | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-TS10K60H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V a 10 A | 10 µA a 600 V | 10A | Monofase | 600 V | ||||||
![]() | KBPF406G | 0,6672 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBPF | KBPF406 | Standard | KBPF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-KBPF406G | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.100 | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 800 V | 4A | Monofase | 800 V | ||||||
![]() | GBU1006H | 0,8559 | ![]() | 1918 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-ESIP, GBU | GBU1006 | Standard | GBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-GBU1006H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V a 10 A | 5 µA a 800 V | 10A | Monofase | 800 V | ||||||
![]() | T15JA06G-K | 2.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | T15JA | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-T15JA06G-K | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 15 A | 5 µA a 800 V | 15A | Monofase | 800 V | |||||
![]() | BZV55B47 | 0,0357 | ![]() | 6977 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55B | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZV55B47TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 100 mA | 100 nA a 35 V | 47 V | 110 Ohm | ||||||
![]() | DBL155G | 0,2700 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DBL155 | Standard | DBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1,5 A | 2 µA a 600 V | 1,5 A | Monofase | 600 V | ||||||
![]() | GBU1007H | 0,8559 | ![]() | 7700 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-ESIP, GBU | GBU1007 | Standard | GBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-GBU1007H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V a 10 A | 5 µA a 1000 V | 10A | Monofase | 1 kV | ||||||
![]() | 1N4751G | 0,0627 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4751 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-1N4751GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | ||||||
![]() | SBS25HREG | - | ![]() | 2477 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SBS25 | Standard | ABS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 500 mV a 2 A | 100 µA a 50 V | 2A | Monofase | 50 V | ||||||
| DBLS156GH | 0,3192 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DBLS156 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V a 1,5 A | 2 µA a 800 V | 1,5 A | Monofase | 800 V | |||||||
![]() | 1PGSMC5358 | 0,3249 | ![]() | 1854 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-1PGSMC5358TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 4 Ohm | |||||||
![]() | TS8P07GH | - | ![]() | 2316 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | TS8P07 | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 8 A | 10 µA a 1000 V | 8A | Monofase | 1 kV | ||||||
![]() | ABS8H | 0,1788 | ![]() | 9477 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | ABS8 | Standard | ABS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 950 mV a 400 mA | 10 µA a 800 V | 800 mA | Monofase | 800 V | ||||||
![]() | TS20P07G C2G | - | ![]() | 2057 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | TS20P07 | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 20 A | 10 µA a 1000 V | 20A | Monofase | 1 kV | ||||||
| GBLA08H | - | ![]() | 9334 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBL | GBLA08 | Standard | GBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V a 4 A | 5 µA a 800 V | 4A | Monofase | 800 V | |||||||
| DBLS154G C1G | - | ![]() | 1858 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DBLS154 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1,5 A | 2 µA a 400 V | 1,5 A | Monofase | 400 V | |||||||
![]() | KBL602GT0 | - | ![]() | 3627 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBL | KBL602 | Standard | KBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | KBL602GT0 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 6 A | 10 µA a 100 V | 6A | Monofase | 100 V | |||||
![]() | KBU607G | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | KBU607 | Standard | KBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 6 A | 5 µA a 1000 V | 6A | Monofase | 1 kV | ||||||
![]() | KBU402G T0G | - | ![]() | 5486 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | KBU402GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 4 A | 5 µA a 100 V | 4A | Monofase | 100 V | ||||||
![]() | TS25P05G C2G | - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | TS25P05 | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 600 V | 25A | Monofase | 600 V | ||||||
| DBL105GH | 0,2394 | ![]() | 7244 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DBL105 | Standard | DBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1 A | 2 µA a 600 V | 1A | Monofase | 600 V | |||||||
| DBLS102G C1G | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DBLS102 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1 A | 2 µA a 100 V | 1A | Monofase | 100 V | |||||||
| DBLS203G C1G | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DBLS203 | Standard | DBLS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,15 V a 2 A | 2 µA a 200 V | 2A | Monofase | 200 V |

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