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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2M33Z | 0,1565 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2M33 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 23 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MBR4045PTH | 2.1677 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | MBR4045 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-MBR4045PTH | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 40A | 800 mV a 40 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | 1N4743AH | 0,1188 | ![]() | 1971 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4743 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 38,8 V | 13 V | 95 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N4747AHR1G | - | ![]() | 8631 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4747 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 15,2 V | 20 V | 95 Ohm | |||||||||||||||
| 1SMA5932 | 0,0935 | ![]() | 6820 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA5932 | 1,5 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 nA a 15,2 V | 20 V | 14 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SRA1660C0G | - | ![]() | 3055 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | Foro passante | TO-220-2 | SRA1660 | Schottky | TO-220AC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 700 mV a 16 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 16A | - | |||||||||||||
![]() | AZ23C4V7 | 0,0786 | ![]() | 2022 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-AZ23C4V7TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di anodo comune | 4,7 V | 78 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SR502HR0G | - | ![]() | 8651 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-201AD, assiale | SR502 | Schottky | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 550 mV a 5 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 125°C | 5A | - | |||||||||||||
| BZD27C150P RVG | - | ![]() | 1462 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,12% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 110 V | 147 V | 300 ohm | |||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5956R5G | - | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1PGSMB5956 | 3 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||
![]() | SS210LH | 0,3075 | ![]() | 5391 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123 | SS210 | Schottky | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-SS210LHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 850 mV a 2 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||
| BZT52B2V7-G RHG | 0,0461 | ![]() | 5470 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52B | 410 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 20 µA a 1 V | 2,7 V | 100 ohm | |||||||||||||||
![]() | BZY55C33 | 0,0350 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0805 (metrico 2012) | BZY55 | 500 mW | 0805 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZY55C33TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA a 24 V | 33 V | 80 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZV55B10L0G | 0,0357 | ![]() | 4786 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZV55B | 500 mW | MiniMELF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 100 mA | 100 nA a 7,5 V | 10 V | 15 Ohm | ||||||||||||||
![]() | KBU801G T0G | - | ![]() | 3398 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | KBU801GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 8 A | 5 µA a 50 V | 8A | Monofase | 50 V | ||||||||||||||
| ES1GLMHG | - | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | ES1G | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 1 A | 35 ns | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1SMB5927H | 0,1560 | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5927 | 3 W | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 6,5 Ohm | |||||||||||||||
| HS2MFS | 0,4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-128 | HS2M | Standard | SOD-128 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,7 V a 2 A | 75 ns | 1μA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 12 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | MBRS20100CT-Y | 0,6433 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MBRS20100 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-MBRS20100CT-YTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.600 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 20A | 850 mV a 10 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | SK55C R7 | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-SK55CR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 750 mV a 5 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - | |||||||||||||
![]() | SF805GHC0G | - | ![]() | 8422 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SF805 | Standard | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 300 V | 1,3 V a 8 A | 35 ns | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZS55B7V5 RAG | - | ![]() | 3057 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 1206 (3216 metri) | BZS55 | 500 mW | 1206 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-BZS55B7V5RAGTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA a 5 V | 7,5 V | 7 Ohm | |||||||||||||
![]() | MUR360SBH | 0,5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | MUR360 | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,25 V a 3 A | 50 n | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 3A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZD27C200PHMHG | - | ![]() | 9010 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 150 V | 200 V | 750 Ohm | |||||||||||||||
![]() | TSF30U60C | 1.5792 | ![]() | 4297 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | TSF30 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 60 V | 15A | 570 mV a 15 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
| RS1AHM2G | - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | RS1A | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,3 V a 1 A | 150 n | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
| BZD27C91PHR3G | - | ![]() | 3548 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,07% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 68 V | 90,5 V | 200 ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX85C8V2 A0G | - | ![]() | 3516 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | BZX85 | 1,3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 10 mA | 1 µA a 6,2 V | 8,2 V | 5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S5MB | 0,1328 | ![]() | 2068 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S5M | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 5 A | 10 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | TSPB15U50S S1G | 1.5400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-277, 3-PowerDFN | TSPB15 | Schottky | SMPC4.0 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 560 mV a 15 A | 2 mA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - |

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