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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZY55B2V7 | 0,0417 | ![]() | 6722 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 0805 (metrico 2012) | BZY55 | 500 mW | 0805 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-BZY55B2V7TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 10 mA | 10 µA a 1 V | 2,7 V | 85 Ohm | ||||||||||||||
![]() | TUAU4KH | 0,2319 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-277, 3-PowerDFN | TUAU4 | Standard | SMPC4.6U | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-TUAU4KHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,9 V a 4 A | 75 ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 4A | 33 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SF14G R1G | - | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | SF14 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
| S1GL RQG | - | ![]() | 2275 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | S1G | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 9 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| 1SMA4760HR3G | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA4760 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA a 51,7 V | 68 V | 150 ohm | |||||||||||||||
![]() | TS35P05GH | 1.5366 | ![]() | 8347 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | TS35P05 | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 17,5 A | 10 µA a 600 V | 35A | Monofase | 600 V | |||||||||||||
![]() | HER603G R0G | - | ![]() | 5221 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | R-6, assiale | HER603 | Standard | R-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1 V a 6 A | 50 n | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 6A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
| 1SMA4745H | 0,0995 | ![]() | 8043 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA4745 | 1,25 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA a 12,2 V | 16 V | 16 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N4002GH | - | ![]() | 7424 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-204AL (DO-41) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-1N4002GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1 V a 1 A | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | S2JH | 0,4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S2J | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,15 V a 2 A | 1,5 µs | 1 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZX79B27A0G | - | ![]() | 1587 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | BZX79 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 100 mA | 18,9 mA a 50 mV | 27 V | 80 Ohm | |||||||||||||
![]() | UGF1006GHC0G | - | ![]() | 9218 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | UGF1006 | Standard | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 400 V | 10A | 1,25 V a 5 A | 20 ns | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||
![]() | S2V | 0,0958 | ![]() | 9999 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-S2VTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1400 V | 1,15 V a 2 A | 1,5 µs | 1 µA a 1,4 kV | -55°C ~ 150°C | 2A | 30 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | HS3BB | 0,2066 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Standard | DO-214AA (PMI) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1801-HS3BBTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 3 A | 50 n | 10 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | RS3KHR7G | - | ![]() | 8852 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | RS3K | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 3 A | 500 n | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||
| RS1KLM2G | - | ![]() | 5655 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RS1K | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,3 V a 800 mA | 500 n | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 800 mA | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DBL104G | 0,2250 | ![]() | 6811 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DBL104 | Standard | DBL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 1 A | 2 µA a 400 V | 1A | Monofase | 400 V | |||||||||||||
![]() | 1N4758AHA0G | - | ![]() | 1580 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e scatola (TB) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4758 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | ||||||||||||||
![]() | TS50P07G C2G | - | ![]() | 5015 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 SIP, TS-6P | TS50P07 | Standard | TS-6P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V a 25 A | 10 µA a 1000 V | 50A | Monofase | 1 kV | |||||||||||||
![]() | MUR160AHR1G | - | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MUR160 | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,25 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 27 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SRF1040 | 0,4221 | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SRF1040 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 10A | 550 mV a 5 A | 500 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||
![]() | MTZJ6V8SC R0G | 0,0305 | ![]() | 5007 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AG, DO-34, assiale | MTZJ6 | 500 mW | DO-34 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µA a 3,5 V | 6,84 V | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | S5KC-K | 0,2203 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1801-S5KC-KTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,15 V a 5 A | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 34 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||
| 1SMA5944HR3G | - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1SMA5944 | 1,5 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 nA a 47,1 V | 62 V | 100 ohm | |||||||||||||||
![]() | MUR320SBH | 0,2286 | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | MUR320 | Standard | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 900 mV a 3 A | 25 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 3A | 45 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | 2A04G B0G | - | ![]() | 9169 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2A04 | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1 V a 2 A | 5 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||
| BZD27C30P MQG | - | ![]() | 7936 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6,66% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-219AB | BZD27 | 1 W | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 22 V | 30 V | 15 Ohm | ||||||||||||||
![]() | FR152GHR0G | - | ![]() | 4660 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | FR152 | Standard | DO-204AC (DO-15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 1,5 A | 150 n | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1,5 A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | UF1KHB0G | - | ![]() | 7747 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | UF1K | Standard | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,7 V a 1 A | 75 ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 17 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||
| RSFBLHRQG | - | ![]() | 2771 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-219AB | RSFBL | Standard | SottoSMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 500 mA | 150 n | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 500mA | 4pF a 4V, 1MHz |

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