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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
SK52C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK52C R6G -
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 ECAD 8432 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SK52CR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 550 mV a 5 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 150°C 5A -
6A40G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40G A0G -
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 ECAD 3361 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante R-6, assiale 6A40 Standard R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 700 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1 V a 6 A 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 6A 60 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C68P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PMQG -
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 ECAD 4926 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,88% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 51 V 68 V 80 Ohm
1N5407GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GHB0G -
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 ECAD 2986 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale 1N5407 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1 V a 3 A 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 3A 25 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C36P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PMHG -
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 ECAD 9310 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,55% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 27 V 36 V 40 Ohm
TST40L150CW Taiwan Semiconductor Corporation TST40L150CW 1.4064
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 ECAD 4739 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 TST40 Schottky TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 860 mV a 20 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 20A -
BZD27C150PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHRTG -
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 ECAD 1680 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 110 V 147 V 300 ohm
BZD27C36PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHMHG -
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 ECAD 9667 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,55% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 27 V 36 V 40 Ohm
ES1DH Taiwan Semiconductor Corporation ES1DH 0,4800
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 ECAD 15 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA ES1D Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 16 pF a 4 V, 1 MHz
MUR310S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S V7G -
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 ECAD 3566 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC MUR310 Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 25 ns 5 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 3A -
BZD27C10PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PHMHG -
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 ECAD 8208 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 7 µA a 7,5 V 10 V 4 Ohm
SS34L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L RFG -
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 ECAD 7392 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS34 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 3 A 500 µA a 40 V -55°C ~ 125°C 3A -
BZD27C6V8P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PMQG -
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 ECAD 5922 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5,88% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 3 V 6,8 V 3 Ohm
MURF8L60HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MURF8L60HC0G -
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 ECAD 3514 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Pacchetto completo MURF8 Standard ITO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 8 A 65 ns 5 µA a 600 V -55°C ~ 175°C 8A -
MUR360S R7 Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S R7 -
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 ECAD 2873 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-MUR360SR7TR EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,25 V a 3 A 50 n 10 µA a 600 V -55°C ~ 175°C 3A -
BZS55C6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C6V8 0,0340
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 ECAD 9166 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) BZS55 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZS55C6V8TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 3 V 6,8 V 8 Ohm
BZT55B13 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B13L0G 0,0385
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 ECAD 6963 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZT55 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 10 V 13 V 26 Ohm
BZD27C6V8P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P R3G -
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 ECAD 6257 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5,88% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 10 µA a 3 V 6,8 V 3 Ohm
HT17G Taiwan Semiconductor Corporation HT17G 0,0963
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 ECAD 2715 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante T-18, assiale HT17 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,7 V a 1 A 75 ns 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
1N4756G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756G R0G 0,0627
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 ECAD 4283 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TA) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4756 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 35,8 V 47 V 80 Ohm
HER205GH Taiwan Semiconductor Corporation HER205GH 0,1342
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 ECAD 2321 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale Standard DO-204AC (DO-15) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-HER205GHTR EAR99 8541.10.0080 3.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 2 A 50 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 2A 35 pF a 4 V, 1 MHz
1N5401G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401G B0G -
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 ECAD 1227 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale 1N5401 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 1,1 V a 3 A 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A 25 pF a 4 V, 1 MHz
1SMC5352HM6G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352HM6G -
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 ECAD 9241 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 W DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 11,5 V 15 V 2,5 Ohm
SF44GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF44GHB0G -
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 ECAD 2666 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF44 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1 V a 4 A 35 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 4A 100 pF a 4 V, 1 MHz
SR005 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR005 R0G -
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 ECAD 2638 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale SR005 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 500 mA 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 500mA 80 pF a 4 V, 1 MHz
BZY55B36 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B36 0,0413
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 ECAD 5667 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0805 (metrico 2012) BZY55 500 mW 0805 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZY55B36TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 27 V 36 V 80 Ohm
F1T5G Taiwan Semiconductor Corporation F1T5G 0,0679
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 ECAD 6678 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante T-18, assiale F1T5 Standard TS-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 1 A 250 n 5 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
1N4006GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GH 0,0511
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 ECAD 6426 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4006 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1 V a 1 A 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52B6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8 0,0412
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 ECAD 3943 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52B 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT52B6V8TR EAR99 8541.10.0050 6.000 1 V a 10 mA 1,8 µA a 4 V 6,8 V 15 Ohm
RS3G M6 Taiwan Semiconductor Corporation RS3GM6 -
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 ECAD 4541 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-RS3GM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 3 A 150 n 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 3A -
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196-LFBGA Tampone esposto

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