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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
BZV55C22 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C22L0G 0,0333
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 ECAD 5062 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 16 V 22 V 55 Ohm
SFS1608GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1608GH 0,8349
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 ECAD 1003 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SFS1608 Standard TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 8 A 35 ns 10 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 16A 60 pF a 4 V, 1 MHz
1N4758G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758G R0G 0,0627
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 ECAD 2235 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TA) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4758 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 42,6 V 56 V 110 Ohm
BAV21W RHG Taiwan Semiconductor Corporation BAV21W RHG 0,3100
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 ECAD 8 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F BAV21 Standard SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 250 V 1,25 V a 200 mA 50 n 100 nA a 200 V -65°C ~ 150°C 200mA 5 pF a 0 V, 1 MHz
1N4752G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752G 0,0627
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 ECAD 4175 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4752 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-1N4752GTR EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 25,1 V 33 V 45 Ohm
S4D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4DV7G 0,6200
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 ECAD 8047 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro tagliato (CT) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC S4D Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,15 V a 4 A 1,5 µs 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 4A 60 pF a 4 V, 1 MHz
BZT55C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C9V1 0,0350
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 ECAD 2130 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55C9V1TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 6,8 V 9,1 V 10 Ohm
1N5400G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G -
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 ECAD 5868 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale Standard DO-201AD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-1N5400GTR EAR99 8541.10.0080 1.250 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 50 V 1,1 V a 3 A 5 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 3A 25 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C7V5PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHRVG -
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 ECAD 1893 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,04% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 50 µA a 3 V 7,45 V 2 Ohm
BZX585B4V3 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B4V3RSG 0,0476
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 ECAD 3250 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 mW SOD-523F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 8.000 2,7 µA a 1 V 4,3 V 90 Ohm
1PGSMA4754HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4754HR3G 0,4300
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 ECAD 18 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1PGSMA4754 1,25 W DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 1 µA a 29,7 V 39 V 60 Ohm
KBP207G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP207GC2 -
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 ECAD 9061 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBP Standard KBP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 1,2 V a 2 A 10 µA a 1000 V 2A Monofase 1 kV
SR1503H Taiwan Semiconductor Corporation SR1503H -
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 ECAD 1195 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante R-6, assiale Schottky R-6 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SR1503HTR EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 15 A 500 µA a 30 V -55°C ~ 150°C 15A -
TSZL52C13 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C13RWG -
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 ECAD 8394 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) TSZL52 200 mW 1005 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 10 V 13 V 25 Ohm
BZV55C3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V0L1G -
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 ECAD 9229 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V a 10 mA 4 µA a 1 V 3 V 85 Ohm
S10JC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S10JC R6G -
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 ECAD 1293 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard DO-214AB (SMC) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-S10JCR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,1 V a 10 A 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 10A 60 pF a 4 V, 1 MHz
B0540WF RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0540WF DX 0,0786
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 ECAD 4615 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F B0540 Schottky SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 510 mV a 500 mA 20 µA a 40 V -65°C ~ 150°C 500mA -
UF1BHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1BHB0G -
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 ECAD 8025 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale UF1B Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1 V a 1 A 50 n 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 1A 17 pF a 4 V, 1 MHz
1N4764AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AHA0G -
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 ECAD 5297 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4764 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA a 76 V 100 V 350 Ohm
BZX55C11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C11 A0G -
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 ECAD 7427 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 8,2 V 11 V 20 Ohm
BZD27C15PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRTG -
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 ECAD 4975 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 11 V 14,7 V 10 Ohm
SF2002GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2002GHC0G -
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 ECAD 5044 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SF2002 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 975 mV a 10 A 35 ns 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 20A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SR805 Taiwan Semiconductor Corporation SR805 0,3308
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 ECAD 7384 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale Schottky DO-201AD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-SR805TR EAR99 8541.10.0080 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 8 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 8A -
1N5820H Taiwan Semiconductor Corporation 1N5820H 0,1903
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 ECAD 4321 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale 1N5820 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 475 mV a 3 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 3A 200 pF a 4 V, 1 MHz
MBR1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1545CT -
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 ECAD 8809 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-3 MBR1545 Schottky TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 840 mV a 15 A 500 µA a 45 V -55°C ~ 150°C
SF32G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32G B0G -
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 ECAD 8509 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SF32 Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 950 mV a 3 A 35 ns 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SS36 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS36V7G 1.0000
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 ECAD 2 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro tagliato (CT) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC SS36 Schottky DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 3 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 3A -
BZT52C12S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12S RRG 0,3600
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 ECAD 6 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F BZT52C 200 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 90 nA a 8 V 12 V 25 Ohm
SR309HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR309HB0G -
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 ECAD 4621 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SR309 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 850 mV a 3 A 100 µA a 90 V -55°C ~ 150°C 3A -
BZD27C200PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PHRHG -
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 ECAD 3559 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 150 V 200 V 750 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

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