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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
SRA20150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA20150HC0G -
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 ECAD 3826 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SRA20150 Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 1,02 V a 20 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 20A -
HER1608GH Taiwan Semiconductor Corporation HER1608GH 0,6715
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 ECAD 5360 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-HER1608GH EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 1000 V 16A 1,7 V a 8 A 80 ns 10 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C
1N4748G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748G A0G -
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 ECAD 4234 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TA) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4748 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 16,7 V 22 V 23 Ohm
S1JFSH Taiwan Semiconductor Corporation S1JFSH 0,0590
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 ECAD 4746 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-128 S1J Standard SOD-128 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 14.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,1 V a 1 A 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 9 pF a 4 V, 1 MHz
BZX79C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C4V7 0,0287
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 ECAD 2010 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZX79C4V7TR EAR99 8541.10.0050 20.000 1,5 V a 100 mA 3 µA a 2 V 4,7 V 80 Ohm
SK32A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A R3G -
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 ECAD 2053 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SK32 Schottky DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 550 mV a 3 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 150°C 3A -
S1DL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RVG 0,3800
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 ECAD 51 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB S1D Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 1 A 1,8 µs 5 µA a 200 V -55°C ~ 175°C 1A 9 pF a 4 V, 1 MHz
MTZJ36SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ36SB R0G 0,0305
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 ECAD 1441 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ36 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 27 V 33,64 V 75 Ohm
SK510CH Taiwan Semiconductor Corporation SK510CH 0,2111
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 ECAD 2078 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 850 mV a 5 A 300 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 5A -
BZD27C11PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PH 0,2933
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 ECAD 2138 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,45% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZD27C11PHTR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 4 µA a 8,2 V 11 V 7 Ohm
ES1CL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RVG 0,6000
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 ECAD 60 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB ES1C Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
ES1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1DLRTG -
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 ECAD 1997 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB ES1D Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 1 A 35 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 1 V, 1 MHz
RSFGL RUG Taiwan Semiconductor Corporation TAPPETO RSFGL -
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 ECAD 4011 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RSFGL Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 500 mA 150 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 500mA 4pF a 4V, 1MHz
MTZJ4V7SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V7SC 0,0305
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 ECAD 9275 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale MTZJ4 500 mW DO-34 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-MTZJ4V7SCTR EAR99 8541.10.0050 10.000 5 µA a 1 V 4,81 V 80 Ohm
BZT55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V6 0,0385
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 ECAD 8671 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55B3V6TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 2 µA a 1 V 3,6 V 85 Ohm
BZV55C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C11 0,0333
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 ECAD 3107 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZV55C 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZV55C11TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 8,2 V 11 V 20 Ohm
BZT55B33 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B33 0,0385
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 ECAD 9893 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55B33TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 24 V 33 V 80 Ohm
ES2F R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2F R5G -
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 ECAD 7306 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI ES2F Standard DO-214AA (PMI) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 300 V 1,3 V a 2 A 35 ns 10 µA a 300 V -55°C ~ 150°C 2A 20 pF a 4 V, 1 MHz
1N4749G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4749G R0G 0,0627
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 ECAD 4752 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TA) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4749 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 18,2 V 24 V 25 Ohm
TSZU52C3V6 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V6 RGG 0,0669
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 ECAD 7802 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 0603 (1608 metri) TSZU52 150 mW 0603 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 15 µA a 1 V 3,6 V 95 Ohm
SS1H6LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS1H6LS RVG 0,5000
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 ECAD 2 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123H SS1H6 Schottky SOD-123HE scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 1 A 1 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 1A -
BZT52B30 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B30 DX 0,2700
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 ECAD 8878 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52B 500 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V a 10 mA 45 nA a 21 V 30 V 80 Ohm
US1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1D R3G 0,5700
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 ECAD 5 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA US1D Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1 V a 1 A 50 n 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
ES1JFS Taiwan Semiconductor Corporation ES1JFS 0,1062
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 ECAD 6807 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-128 ES1J Standard SOD-128 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 14.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 1 A 35 ns 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
RS1GHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1GHR3G -
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 ECAD 1824 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AC, SMA RS1G Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 150 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
BAS85-L0 L1 Taiwan Semiconductor Corporation BAS85-L0L1 -
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 ECAD 6477 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Schottky MiniMELF - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato BAS85-L0L1 EAR99 8541.10.0070 2.500 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 800 mV a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V 125°C (massimo) 200mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
RS1KLHRHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1KLHRHG -
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 ECAD 8447 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RS1K Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 800 mA 500 n 5 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 800 mA 10 pF a 4 V, 1 MHz
MBR20150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150CTHC0G -
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 ECAD 5420 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 MBR20150 Schottky TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 20A 1,23 V a 20 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 150°C
SR305HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR305HB0G -
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 ECAD 7899 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SR305 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 700 mV a 3 A 500 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 3A -
SS14L RUG Taiwan Semiconductor Corporation TAPPETO SS14L 0,1965
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 ECAD 6429 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS14 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 550 mV a 1 A 400 µA a 40 V -55°C ~ 125°C 1A -
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